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基片处理装置、基片处理方法和存储介质.pdf
2023-11-15
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基片处理装置、基片处理方法和存储介质.pdf
本发明能够检测干燥处理后的基片背面的残留液。实施方式的基片处理装置包括保持部、喷嘴、检测部和控制部。保持部保持基片并使其旋转。喷嘴向基片的背面排出处理液。检测部测量对象区域内的物体的温度。控制部控制保持部控制，在进行了干燥处理后，根据检测部的检测结果，判断在基片的背面有无处理液的残留液，其中该干燥处理使基片旋转以从基片甩去处理液来使基片干燥。
2023-11-15
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基片处理装置、基片处理方法和存储介质.pdf
本发明为在基片的正面的周缘和侧面形成涂敷膜的基片处理装置、基片处理方法和存储介质。在基片的包含正面的周缘和侧面在内的周缘部形成涂敷膜的基片处理装置，包括：基片保持部，其构成为能够以基片可旋转的方式保持基片；第1药液供给部，其构成为能够对包含基片的背面在内的基片的周缘供给第1药液；部分除去部，其将供给到基片上的第1药液中的、附着于基片的正面和侧面的至少一部分的第1药液除去；第2药液供给部，其构成为能够对基片的正面和侧面供给用于形成涂敷膜的第2药液；第1药液除去部，其将保留在附着了第2药液的基片上的第1药液除
2023-11-06
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基片液处理装置、基片液处理方法和存储有基片液处理程序的计算机可读存储介质.pdf
本发明提供一种能够留下基片的凹部内的覆膜，精度良好地蚀刻凹部外的覆膜的基片液处理方法(基片液处理装置、存储介质)。在使形成有覆膜的基片的表面与用于除去上述覆膜的蚀刻液接触来进行蚀刻处理的基片液处理方法中，其中，上述覆膜覆盖凹部的内部和凹部的外部，上述基片液处理方法包括：第一覆膜除去步骤，其使上述蚀刻液成为第一温度以使得成为第一蚀刻速率，在第一处理时间中除去上述凹部外部的上述覆膜；和第二覆膜除去步骤，其使上述蚀刻液成为第二温度以使得成为比上述第一蚀刻速率低的第二蚀刻速率，在第二处理时间中留下上述凹部内部的上
2023-11-17
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基片处理方法和基片处理装置.pdf
本发明提供能够连续控制在基片上形成的膜的覆盖率的基片处理方法和基片处理装置。基片处理方法包括a)在腔室内将在正面形成有图案的基片暴露于第一反应种，使第一反应种吸附在基片的正面的工序。此外，基片处理方法包括b)在腔室内，将基片暴露于由第二反应种形成的等离子体，在基片的正面形成膜的工序。此外，基片处理方法包括c)将包含工序a)和工序b)的处理以改变工序b)开始时的第一反应种的滞留量的方式反复执行两次以上的工序。
2023-11-09
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基片处理方法和基片处理装置.pdf
本发明提供基片处理方法和基片处理装置。处理液浸曝光后的、表面具有未形成图案的抗蚀剂膜的基片的基片处理方法和基片处理装置中，与处理前的基片表面的接触角的大小无关地，能够使得用于液浸曝光的水、清洗液在处理后不残留在基片的表面。基片处理方法包括：对液浸曝光处理后的、具有未形成图案的抗蚀剂膜的基片的表面，供给水溶性聚合物的溶液的工序；用供给的水溶性聚合物的溶液，使抗蚀剂膜的表面亲水化的工序；在亲水化的工序后，一边使基片旋转，一边对基片的表面供给清洗液，将对亲水化没有贡献的水溶性聚合物的水溶液除去的工序；和使被供给
2023-11-09
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