阵列基板及其制备方法和显示装置.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN108987411A(43)申请公布日2018.12.11(21)申请号201710417593.5(22)申请日2017.06.02(71)申请人京东方科技集团股份有限公司地址100015北京市朝阳区酒仙桥路10号(72)发明人张锋吕志军刘文渠董立文张世政党宁(74)专利代理机构北京天昊联合知识产权代理有限公司11112代理人罗瑞芝陈源(51)Int.Cl.H01L27/12(2006.01)H01L27/32(2006.01)权利要求书2页说明书7页附图4页(54)发明名称阵列基板及其制备方法和显示装置(57)摘要本发明属于显示技术领域，具体涉及一种阵列基板、阵列基板的制备方法和显示装置。该阵列基板包括依次设置在基板上的第一膜层和第二膜层，所述第二膜层划分为第二膜层去除区和第二膜层保留区，所述第一膜层在对应着所述第二膜层去除区的区域设置有垫高部。本发明中的阵列基板，能有效解决在阵列基板制备工艺中某一层图形在湿法刻蚀过程中，因存在刻蚀液和图形材料在一些封闭空间或两线形成的狭窄间隙内容易出现浸润不够彻底，影响最终的阵列基板的良率的问题。CN108987411ACN108987411A权利要求书1/2页1.一种阵列基板，其特征在于，包括依次设置在基板上的第一膜层和第二膜层，所述第二膜层划分为第二膜层去除区和第二膜层保留区，所述第一膜层在对应着所述第二膜层去除区的区域设置有垫高部。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二膜层包括可湿刻的材料。3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一膜层在对应着所述第二膜层保留区的区域还设置有保留部，所述保留部的高度小于所述垫高部的高度。4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第一膜层为平坦层，所述第二膜层为阳极；或者，所述第一膜层为钝化层，所述第二膜层为像素电极；或者，所述第一膜层为绝缘层，所述第二膜层为公共电极。5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第一膜层下方设置有导电图形，所述第一膜层开设有过孔，所述第二膜层和所述可湿刻的材料通过所述过孔连接。6.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，仅在对应着所述第二膜层去除区的区域设置有所述第一膜层。7.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述垫高部的上表面相对于所述保留部的上表面的高度大1-3μm。8.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述垫高部的上表面相对于未设置所述垫高部的上表面的高度大1-3μm。9.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-8任一项所述的阵列基板。10.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括采用构图工艺形成第一膜层和第二膜层的步骤，所述第二膜层划分为第二膜层去除区和第二膜层保留区，所述第一膜层在对应着所述第二膜层去除区的区域形成有垫高部。11.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，所述第二膜层包括可湿刻的材料。12.根据权利要求11所述的制备方法，其特征在于，所述第一膜层在对应着所述第二膜层保留区的区域还形成有保留部，所述保留部的高度小于所述垫高部的高度。13.根据权利要求12所述的制备方法，其特征在于，所述第一膜层下方形成有导电图形，所述第一膜层开设有过孔，所述第二膜层和所述可湿刻的材料通过所述过孔连接。14.根据权利要求13所述的制备方法，其特征在于，所述第一膜层为平坦层，所述第二膜层为阳极。15.根据权利要求14所述的制备方法，其特征在于，形成所述第一膜层包括步骤：形成第一膜层材料层；采用半色调掩模板或灰色调掩模板对所述第一膜层材料层进行曝光和显影工艺，以形成第一膜层材料层完全去除区，第一膜层材料层部分保留区和第一膜层材料层完全保留区；其中所述第一膜层材料层完全去除区对应为所述过孔区域，所述第一膜层材料层完全保留区对应为所述垫高部，所述第一膜层材料层部分保留区对应为所述保留部。16.根据权利要求11所述的制备方法，其特征在于，仅在对应着所述第二膜层去除区的区域形成有所述第一膜层。17.根据权利要求16所述的制备方法，其特征在于，形成所述第一膜层包括步骤：2CN108987411A权利要求书2/2页形成第一膜层材料层；采用掩模板对所述第一膜层材料层进行曝光，去除所述第一膜层材料层中对应着除所述垫高部以外的材料。3CN108987411A说明书1/7页阵列基板及其制备方法和显示装置技术领域[0001]本发明属于显示技术领域，具体涉及一种阵列基板、阵列基板的制备方法和显示装置。背景技术[0002]随着科学技术的不断进步，视觉资讯在人们的生活中的地位越来越重要，因而承载视觉资讯信息的平板显示器件也在人们生活中占据了越来越重要的地位。这些平板显示器件包括液晶显示器件(LiquidC