阵列基板及其制备方法和显示装置.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110911465A(43)申请公布日2020.03.24(21)申请号201911203541.3(22)申请日2019.11.29(71)申请人京东方科技集团股份有限公司地址100015北京市朝阳区酒仙桥路10号(72)发明人郭康谷新张笑武捷陈明起(74)专利代理机构北京天昊联合知识产权代理有限公司11112代理人姜春咸冯建基(51)Int.Cl.H01L27/32(2006.01)H01L51/56(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图4页(54)发明名称阵列基板及其制备方法和显示装置(57)摘要本发明提供一种阵列基板及其制备方法和显示装置。该制备方法包括：先后在背板上形成第一导电结构、中间膜层和第二导电结构，在形成中间膜层之后且在形成第二导电结构之前还包括：在中间膜层上形成整面压印胶，纳米压印压印胶使其表层形成高度不同的纳米压印结构阵列；形成刻蚀阻挡层及其中第一过孔的图形；第一过孔与第一导电结构的位置相对应；以刻蚀阻挡层为掩膜板刻蚀形成贯穿压印胶和中间膜层的第二过孔，以使第一导电结构局部暴露；第二过孔包括开设在压印胶中的第一子过孔和开设在中间膜层中的纳米过孔阵列。该制备方法能够减少或避免出现过孔残留不良，从而确保第二导电结构与第一导电结构实现连接，进而确保阵列基板能正常点亮。CN110911465ACN110911465A权利要求书1/1页1.一种阵列基板的制备方法，包括：先后在背板上形成第一导电结构、中间膜层和第二导电结构，其特征在于，在形成所述中间膜层之后且在形成所述第二导电结构之前还包括：在所述中间膜层上形成整面压印胶，纳米压印所述压印胶使其表层形成高度不同的纳米压印结构阵列；形成刻蚀阻挡层及其中第一过孔的图形；所述第一过孔与所述第一导电结构的位置相对应；以所述刻蚀阻挡层为掩膜板刻蚀形成贯穿所述压印胶和所述中间膜层的第二过孔，以使所述第一导电结构局部暴露；所述第二过孔包括开设在所述压印胶中的第一子过孔和开设在所述中间膜层中的纳米过孔阵列。2.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，形成所述中间膜层包括先后形成平坦层和第一膜层；所述第二过孔还包括开设在所述第一膜层中的第二子过孔，所述纳米过孔阵列开设在所述平坦层中。3.根据权利要求2所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，形成所述第二过孔之后且在形成所述第二导电结构之前还包括：去除所述刻蚀阻挡层；形成过孔保护层的图形；所述过孔保护层对应覆盖所述纳米过孔阵列区域；依次去除所述压印胶、所述第一膜层和所述过孔保护层。4.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述压印胶采用丙烯酸酯、环氧树脂或者溶剂多位乳酸乙酯材料。5.根据权利要求2所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述第一膜层采用氧化硅或者氮化硅材料；所述平坦层采用透明树脂材料。6.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述刻蚀阻挡层采用氧化铟锡或铟镓锌氧化物材料。7.根据权利要求3所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述过孔保护层采用PR胶材料。8.根据权利要求7所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述过孔保护层的厚度范围为100nm-5μm。9.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板采用权利要求1-8任意一项所述的制备方法制备形成。10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求9所述的阵列基板。2CN110911465A说明书1/4页阵列基板及其制备方法和显示装置技术领域[0001]本发明属于显示技术领域，具体涉及一种阵列基板及其制备方法和显示装置。背景技术[0002]在目前高分辨率显示器件中，接线Pad(电极)区的面积要求越来越小(如为若干微米)，这使得接线Pad区通过过孔连接其他导电结构的过孔尺寸要求也越来越小，在显示器件的制备过程中，过孔尺寸太小会导致过孔内残留后续制备膜层材料，使过孔出现残留不良，从而导致显示器件无法点亮。发明内容[0003]本发明针对现有显示器件中过孔残留不良的问题，提供一种阵列基板及其制备方法和显示装置。该制备方法通过采用纳米压印形成压印胶表层高度不同的纳米压印结构阵列，以便后续在中间膜层中刻蚀形成纳米过孔阵列，能够减少或避免出现过孔残留不良，从而确保第二导电结构与第一导电结构实现连接，进而确保阵列基板能正常点亮。[0004]本发明提供一种阵列基板的制备方法，包括：先后在背板上形成第一导电结构、中间膜层和第二导电结构，在形成所述中间膜层之后且在形成所述第二导电结构之前还包括：[0005]在所述中间膜层上形成整面压印胶，纳米压印所述压印胶使其表层形成高度不同的纳米压印结构阵列；[0006]形成刻蚀阻挡层及其中第一过孔的图形；所述第一过孔与所述第一导电结构的位置相对