阵列基板及其制备方法和显示装置.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111584423A(43)申请公布日2020.08.25(21)申请号202010429569.5(22)申请日2020.05.20(71)申请人京东方科技集团股份有限公司地址100015北京市朝阳区酒仙桥路10号申请人合肥鑫晟光电科技有限公司(72)发明人刘宁王庆贺(74)专利代理机构北京博思佳知识产权代理有限公司11415代理人武娜(51)Int.Cl.H01L21/768(2006.01)H01L21/77(2017.01)H01L27/12(2006.01)H01L27/32(2006.01)权利要求书3页说明书9页附图11页(54)发明名称阵列基板及其制备方法和显示装置(57)摘要本发明涉及一种阵列基板及其制备方法和显示装置。所述阵列基板的制备方法，包括：在衬底上形成第一膜层；第一膜层包括刻蚀部；对刻蚀部进行湿法刻蚀，得到未贯穿刻蚀部的盲孔，盲孔的深度小于刻蚀部的厚度；对盲孔的底部进行干法刻蚀，得到贯穿刻蚀部的通孔。根据本发明的实施例，可以避免膜层交界处出现刻蚀裂缝问题。CN111584423ACN111584423A权利要求书1/3页1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：在衬底上形成第一膜层；所述第一膜层包括刻蚀部；对所述刻蚀部进行湿法刻蚀，得到未贯穿所述刻蚀部的盲孔，所述盲孔的深度小于所述刻蚀部的厚度；对所述盲孔的底部进行干法刻蚀，得到贯穿所述刻蚀部的通孔。2.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，进行所述湿法刻蚀使用的刻蚀液包括氟化氢、氟化铵与表面活性剂，其中，氟化氢的质量分数为2％～5％，氟化铵的质量分数为20％～40％，表面活性剂的质量分数为1％～5％。3.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述通孔包括第一侧壁与第二侧壁，所述第一侧壁在所述湿法刻蚀中形成，所述第二侧壁在所述干法刻蚀中形成，所述第二侧壁与所述衬底靠近所述第一膜层的表面之间的夹角大于所述第一侧壁与所述衬底靠近所述第一膜层的表面之间的夹角。4.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述第一膜层包括打孔区；所述刻蚀部位于所述打孔区；所述打孔区包括第一打孔区与第二打孔区，所述刻蚀部包括第一刻蚀部与第二刻蚀部；所述第一刻蚀部位于所述第一打孔区，所述第二刻蚀部位于所述第二打孔区；所述盲孔包括第一盲孔与第二盲孔；所述第一盲孔在所述第一膜层上的投影位于所述第一打孔区，所述第二盲孔在所述第一膜层上的投影位于所述第二打孔区；所述在衬底上形成第一膜层之前，还包括：在衬底上形成第二膜层，所述第二膜层位于所述衬底与所述第一膜层之间；在所述第二膜层上形成第三膜层，所述第三膜层位于所述第二膜层与第一膜层之间；所述第二膜层包括器件区，所述第三膜层在所述第二膜层上的投影位于所述器件区；所述第三膜层包括导电区，所述导电区在所述第一膜层上的投影位于所述第二打孔区；所述在衬底上形成第一膜层之后，还包括：在所述第一膜层远离所述衬底的一侧形成光刻胶层，所述光刻胶层包括镂空部与厚度减薄部，所述厚度减薄部在所述第一膜层上的投影落在所述第二打孔区内，所述镂空部在所述第一膜层上的投影落在所述第一打孔区内；所述对所述刻蚀部进行湿法刻蚀，得到未贯穿所述刻蚀部的盲孔，包括：对所述第一刻蚀部进行第一次湿法刻蚀，得到未贯穿所述第一刻蚀部的第一盲孔，经所述第一次湿法刻蚀后所述第一盲孔的深度为第一深度，所述第一深度小于所述第一刻蚀部的厚度；对所述厚度减薄部进行灰化处理，去除所述厚度减薄部，以暴露所述第二刻蚀部；对所述第一盲孔的底部以及所述第二刻蚀部进行第二次湿法刻蚀，经所述第二次湿法刻蚀后所述第一盲孔的深度为第二深度，所述第二深度小于所述第一刻蚀部的厚度，且大于所述第一深度，对所述第二刻蚀部进行所述第二次湿法刻蚀后得到第二盲孔，所述第二盲孔的深度为第三深度，所述第三深度小于所述第二刻蚀部的厚度。5.根据权利要求4所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，经所述第二次湿法刻蚀后所述第一盲孔的内底面与第一界面之间的间距为1000～1500埃米，所述第一界面为所述第一膜层与所述第二膜层之间的界面；所述第二盲孔的内底面与第二界面之间的间距为1000～1500埃米，所述第二界面为所2CN111584423A权利要求书2/3页述第一膜层与所述第三膜层之间的界面。6.根据权利要求4所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述通孔包括第一通孔与第二通孔，所述第一通孔在所述第一膜层上的投影落在所述第一打孔区内，所述第二通孔在所述第一膜层上的投影落在所述第二打孔区内；所述对所述盲孔的底部进行干法刻蚀，得到贯穿所述刻蚀部的通孔，包括：对所述第一盲孔的底部以及所述第二盲孔的底部进行干法刻蚀，得到所述第一通