一种基于刻蚀机台减少残留聚合物防止铝腐蚀的方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN109148264A(43)申请公布日2019.01.04(21)申请号201810898170.4(22)申请日2018.08.08(71)申请人上海华力微电子有限公司地址201203上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号(72)发明人沈显青陈敏杰吴智勇(74)专利代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237代理人智云(51)Int.Cl.H01L21/02(2006.01)权利要求书1页说明书2页附图1页(54)发明名称一种基于刻蚀机台减少残留聚合物防止铝腐蚀的方法(57)摘要本发明提出一种基于刻蚀机台减少残留聚合物防止铝腐蚀的方法，包括下列步骤：在刻蚀机台进行厚铝刻蚀工艺处理；将上述处理后的结构传输至去胶腔室中；在去胶腔室中通入氧气与上述结构的残留聚合物进行反应；在去胶腔室中通入水蒸气进行处理。本发明提出一种基于刻蚀机台减少残留聚合物防止铝腐蚀的方法，通过用去胶腔室去除残留聚合物，经过一次清洗将残余聚合物去除，可提升产品的工艺窗口。CN109148264ACN109148264A权利要求书1/1页1.一种基于刻蚀机台减少残留聚合物防止铝腐蚀的方法，其特征在于，包括下列步骤：在刻蚀机台进行厚铝刻蚀工艺处理；将上述处理后的结构传输至去胶腔室中；在去胶腔室中通入氧气与上述结构的残留聚合物进行反应；在去胶腔室中通入水蒸气进行处理。2.根据权利要求1所述的防止铝腐蚀的方法，其特征在于，所述通入氧气步骤中提供2.5torr的腔室气压以及0W的射频功率。3.根据权利要求1所述的防止铝腐蚀的方法，其特征在于，所述通入氧气步骤中氧气的流量为3000～4000sccm。4.根据权利要求3所述的防止铝腐蚀的方法，其特征在于，所述通入氧气步骤中氧气的流量为3800sccm。5.根据权利要求1所述的防止铝腐蚀的方法，其特征在于，所述通入氧气步骤中通入氧气的时间为17～23s。6.根据权利要求1所述的防止铝腐蚀的方法，其特征在于，所述通入水蒸气步骤中提供2.0torr的腔室气压以及1450W的射频功率。7.根据权利要求1所述的防止铝腐蚀的方法，其特征在于，所述通入水蒸气步骤中水蒸气的流量为500～700sccm。8.根据权利要求7所述的防止铝腐蚀的方法，其特征在于，所述通入水蒸气步骤中水蒸气的流量为600sccm。9.根据权利要求1所述的防止铝腐蚀的方法，其特征在于，所述通入水蒸气步骤中通入水蒸气的时间为55～65s。10.根据权利要求1所述的防止铝腐蚀的方法，其特征在于，所述去胶腔室中的温度设置为280℃～320℃。2CN109148264A说明书1/2页一种基于刻蚀机台减少残留聚合物防止铝腐蚀的方法技术领域[0001]本发明涉及半导体集成电路制造领域，且特别涉及一种基于刻蚀机台减少残留聚合物防止铝腐蚀的方法。背景技术[0002]由于厚铝(36k)刻蚀工艺中，刻蚀工艺时间很长，同时光刻胶厚，聚合物源相对多，导致刻蚀完后铝线侧壁聚合物很厚，而且黏附性强，从而导致后续的多次清洗都无法将残留聚合物去除干净，在残留的聚合物中带有CL2分子，而CL2是造成铝腐蚀的主要原因之一，吸附在残留聚合物中的Cl2会慢慢挥发出来引起铝腐蚀。发明内容[0003]本发明提出一种基于刻蚀机台减少残留聚合物防止铝腐蚀的方法，通过用去胶腔室去除残留聚合物，经过一次清洗将残余聚合物去除，可提升产品的工艺窗口。[0004]为了达到上述目的，本发明提出一种基于刻蚀机台减少残留聚合物防止铝腐蚀的方法，包括下列步骤：[0005]在刻蚀机台进行厚铝刻蚀工艺处理；[0006]将上述处理后的结构传输至去胶腔室中；[0007]在去胶腔室中通入氧气与上述结构的残留聚合物进行反应；[0008]在去胶腔室中通入水蒸气进行处理。[0009]进一步的，所述通入氧气步骤中提供2.5torr的腔室气压以及0W的射频功率。[0010]进一步的，所述通入氧气步骤中氧气的流量为3000～4000sccm。[0011]进一步的，所述通入氧气步骤中氧气的流量为3800sccm。[0012]进一步的，所述通入氧气步骤中通入氧气的时间为17～23s。[0013]进一步的，所述通入水蒸气步骤中提供2.0torr的腔室气压以及1450W的射频功率。[0014]进一步的，所述通入水蒸气步骤中水蒸气的流量为500～700sccm。[0015]进一步的，所述通入水蒸气步骤中水蒸气的流量为600sccm。[0016]进一步的，所述通入水蒸气步骤中通入水蒸气的时间为55～65s。[0017]进一步的，所述去胶腔室中的温度设置为280℃～320℃。[0018]本发明提出的基于刻蚀机台减少残留聚合物防止铝腐蚀的方法，在去胶腔室中分别通入氧气和水蒸气