一种改善后段刻蚀后聚合物残留的方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115055439A(43)申请公布日2022.09.16(21)申请号202210714677.6(22)申请日2022.06.22(71)申请人上海华力集成电路制造有限公司地址201203上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室(72)发明人李思汗(74)专利代理机构上海浦一知识产权代理有限公司31211专利代理师戴广志(51)Int.Cl.B08B3/08(2006.01)B08B3/02(2006.01)H01L21/02(2006.01)权利要求书1页说明书3页附图1页(54)发明名称一种改善后段刻蚀后聚合物残留的方法(57)摘要本发明提供一种改善后段刻蚀后聚合物残留的方法，晶圆的上表面已完成后段工艺；后段工艺包括形成通孔的刻蚀及形成铜互连结构；对晶圆的上下表面进行预清洗，以去除晶圆上下表面的静电；利用uDHF溶液对晶圆的上表面进行第一主清洗，利用uDHF溶液对晶圆的上表面进行第二主清洗，以去除晶圆上表面后段刻蚀后残留的聚合物；利用去离子水对晶圆的上表面进行第三主清洗，时间为120s，清洗方式从晶圆的中央喷洒；利用去离子水对晶圆上表面进行第三主清洗，时间为60s，清洗方式从晶圆的中央喷洒。本发明通过改进湿法刻蚀工艺来改善聚合物残留导致的缺陷，DICO2预清洗可使电荷释放从而加强后续UDHF的主清洗能力，并且主清洗增强了清洗能力，使得聚合物更容易去除。CN115055439ACN115055439A权利要求书1/1页1.一种改善后段刻蚀后聚合物残留的方法，其特征在于，至少包括：步骤一、提供晶圆，所述晶圆包含上表面和下表面，所述晶圆的上表面已完成后段工艺；所述后段工艺包括形成通孔的刻蚀以及形成铜互连结构；步骤二、对所述晶圆的上表面和下表面进行预清洗，以去除所述晶圆上表面和下表面的静电；步骤三、利用uDHF溶液对所述晶圆的上表面进行第一主清洗，以去除所述晶圆上表面后段刻蚀后残留的聚合物；步骤四、利用uDHF溶液对所述晶圆的上表面进行第二主清洗，以去除所述晶圆上表面后段刻蚀后残留的聚合物；步骤五、利用去离子水对所述晶圆的上表面进行第三主清洗，清洗时间为120s，清洗方式从晶圆的中央喷洒；步骤六、利用去离子水对所述晶圆的上表面进行第三主清洗，清洗时间为60s，清洗方式从晶圆的中央喷洒。2.根据权利要求1所述的改善后段刻蚀后聚合物残留的方法，其特征在于：步骤二中的所述预清洗的清洗液为DICO2，所述DICO2为混合有二氧化碳的去离子水。3.根据权利要求2所述的改善后段刻蚀后聚合物残留的方法，其特征在于：步骤二中的所述预清洗的过程中，所述清洗液从所述晶圆的边缘喷洒。4.根据权利要求3所述的改善后段刻蚀后聚合物残留的方法，其特征在于：步骤二中的所述预清洗的时间为5s。5.根据权利要求1所述的改善后段刻蚀后聚合物残留的方法，其特征在于：步骤三中的所述uDHF溶液为DHF和H2SO4的混合液。6.根据权利要求5所述的改善后段刻蚀后聚合物残留的方法，其特征在于：步骤三中的所述第一主清洗的清洗过程中，所述uDHF溶液从所述晶圆上表面的边缘喷洒。7.根据权利要求6所述的改善后段刻蚀后聚合物残留的方法，其特征在于：步骤三中的所述第一主清洗的清洗时间为80s。8.根据权利要求1所述的改善后段刻蚀后聚合物残留的方法，其特征在于：步骤四中的所述uDHF溶液为DHF和H2SO4的混合液。9.根据权利要求8所述的改善后段刻蚀后聚合物残留的方法，其特征在于：步骤四中的所述第二主清洗的清洗过程中，所述uDHF溶液从所述晶圆上表面的中央进行喷洒。10.根据权利要求9所述的改善后段刻蚀后聚合物残留的方法，其特征在于：步骤四中的所述第二主清洗的清洗时间为160s。2CN115055439A说明书1/3页一种改善后段刻蚀后聚合物残留的方法技术领域[0001]本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种改善后段刻蚀后聚合物残留的方法。背景技术[0002]在晶圆制造过程中，在后段金属填充后的站点常出现晶圆中心分布有聚合物残留导致的缺陷,这种缺陷是由于第一金属层形成后的湿法清洗导致的。若聚合物残留存在于沟槽处可能会造成铜线缺失。[0003]因此，需要提出一种新的方法来解决上述问题。发明内容[0004]鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种改善后段刻蚀后聚合物残留的方法，用于解决现有技术中由于的问题。[0005]为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种改善后段刻蚀后聚合物残留的方法，至少包括：[0006]步骤一、提供晶圆，所述晶圆包含上表面和下表面，所述晶圆的上表面已完成后段刻蚀；[0007]步骤二、对所述晶圆的上表面和下表面进行预清洗，以去除所述晶圆上表面和下表面的静电；[0008]步骤三、