功率芯片预封装、封装方法及其结构、晶圆预封装结构.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110211885A(43)申请公布日2019.09.06(21)申请号201910467610.5H01L23/31(2006.01)(22)申请日2019.05.30(71)申请人全球能源互联网研究院有限公司地址102209北京市昌平区未来科技城滨河大道18号申请人国网江西省电力有限公司国家电网有限公司(72)发明人武伟石浩赛朝阳唐新灵吴军民潘艳张朋李现兵(74)专利代理机构北京三聚阳光知识产权代理有限公司11250代理人罗啸(51)Int.Cl.H01L21/56(2006.01)H01L21/60(2006.01)权利要求书2页说明书6页附图4页(54)发明名称功率芯片预封装、封装方法及其结构、晶圆预封装结构(57)摘要本发明公开了一种功率芯片预封装、封装方法及其结构、晶圆预封装结构，用于晶圆，晶圆上阵列排布有多个功率芯片，功率芯片的第一电极位于晶圆的第一表面，该预封装方法包括：将多个第一引出电极分别连接在功率芯片的第一电极上；利用封装材料填充各个第一引出电极之间的空间，形成包围第一引出电极的第一封装层；将多个第二引出电极分别连接在功率芯片的第二电极上；去除晶圆中各功率芯片之间预留划片槽区域，形成划片槽；利用封装材料填充划片槽及各个第二引出电极之间的空间，形成包围第二引出电极及划片槽的第二封装层；对晶圆进行切割，形成预封装功率芯片。通过实施本发明，避免了功率芯片终端受到污染的可能，提高了功率芯片的可靠性。CN110211885ACN110211885A权利要求书1/2页1.一种功率芯片预封装方法，用于晶圆，所述晶圆上阵列排布有多个功率芯片，所述功率芯片的第一电极位于所述晶圆的第一表面，所述功率芯片的第二电极位于所述晶圆的第二表面，其特征在于，包括：将多个第一引出电极分别连接在所述功率芯片的第一电极上；利用封装材料填充各个第一引出电极之间的空间，形成包围所述第一引出电极的第一封装层；将多个第二引出电极分别连接在所述功率芯片的第二电极上；去除所述晶圆中各功率芯片之间预留划片槽区域，形成划片槽；利用所述封装材料填充所述划片槽及各个第二引出电极之间的空间，形成包围所述第二引出电极及划片槽的第二封装层；对所述晶圆进行切割，形成预封装功率芯片。2.根据权利要求1所述功率芯片预封装方法，其特征在于，将多个第一引出电极分别连接在所述功率芯片的第一电极上，包括：采用焊接或烧结工艺将多个第一引出电极分别连接在所述功率芯片的第一电极上。3.根据权利要求1所述功率芯片预封装方法，其特征在于，将多个第二引出电极分别连接在所述功率芯片的第二电极上，包括：采用焊接或烧结工艺将多个第二引出电极分别连接在所述功率芯片的第二电极上。4.根据权利要求1所述的功率芯片预封装方法，其特征在于，所述划片槽具有向上延伸至接触第一封装层的深度。5.一种功率芯片封装方法，其特征在于，包括：通过压接封装工艺封装根据权利要求1－4任一项所述的功率芯片预封装方法得到的预封装功率芯片。6.一种晶圆预封装结构，其特征在于，包括：晶圆，所述晶圆包括阵列排布的多个功率芯片，所述功率芯片的第一电极位于所述晶圆的第一表面，所述功率芯片的第二电极位于所述晶圆的第二表面；多个第一引出电极，分别连接在所述第一电极上；第一封装层，填充各个第一引出电极之间的空间；多个第二引出电极，分别连接在所述第二电极上；划片槽，设置在各个所述功率芯片之间；第二封装层，填充所述划片槽及各个第二引出电极之间的空间。7.根据权利要求6所述的晶圆预封装结构，其特征在于，所述第二引出电极的尺寸小于所述功率芯片的尺寸，且大于第一引出电极的尺寸。8.根据权利要求6所述的晶圆预封装结构，其特征在于，还包括：第一连接层，所述第一连接层设置在所述第一引出电极和所述第一电极之间；第二连接层，所述第二连接层设置在所述第二引出电极和所述第二电极之间。9.根据权利要求6所述的晶圆预封装结构，其特征在于，所述第一引出电极或第二引出电极包括：钼片或金属基复合材料可伐合金片。10.根据权利要求6－9任一项所述的晶圆预封装结构，其特征在于，所述功率芯片包括：双绝缘栅晶体管、快恢复二极管及碳化硅金属－氧化物半导体场效应晶体管中的任意2CN110211885A权利要求书2/2页一种。11.一种功率芯片预封装结构，其特征在于，包括：功率芯片，具有第一电极和与所述第一电极设置在相对面的第二电极；多个第一引出电极，分别连接在所述第一电极上；第一封装层，设置在所述功率芯片上，包围所述第一引出电极的侧面；多个第二引出电极，分别连接在所述第二电极上；第二封装层，包围所述第二引出电极的侧面及所述功率芯片的至少一个侧面。12.一种功率芯片封装结构，其特征在于，包括：如权利要求11所述的功