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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN109426014A(43)申请公布日2019.03.05(21)申请号201710756891.7(22)申请日2017.08.29(71)申请人京东方科技集团股份有限公司地址100015北京市朝阳区酒仙桥路10号申请人重庆京东方光电科技有限公司(72)发明人贾玉坤王念念王淼范大林杨帆张歌冯宗锐(74)专利代理机构北京天昊联合知识产权代理有限公司11112代理人柴亮张天舒(51)Int.Cl.G02F1/13(2006.01)G02F1/1333(2006.01)权利要求书2页说明书7页附图7页(54)发明名称阵列基板制备方法(57)摘要本发明提供一种阵列基板制备方法,属于阵列基板检测技术领域,其可至少部分解决现有的阵列基板中无法及时检测出像素电极残留不良的问题。本发明的阵列基板制备方法包括于基底上形成多条第一引线的步骤和形成多个像素电极的步骤,其中,第一引线与像素电极在基底上的正投影无重叠,且它们的所在层间无绝缘层;阵列基板的制备方法还包括:形成多条与第一引线绝缘的连接线,每条连接线将至少两个像素电极电连接,多个通过连接线电连接的像素电极构成一条等效线,每条等效线至少有一个端部位于阵列基板边缘部;检测等效线与第一引线是否短路;除去至少部分连接线,使任意两像素电极间均不电连接。CN109426014ACN109426014A权利要求书1/2页1.一种阵列基板制备方法,包括于基底上形成多条第一引线的步骤和形成多个像素电极的步骤,其中,所述第一引线与像素电极在基底上的正投影无重叠,且它们的所在层间无绝缘层;其特征在于,所述阵列基板的制备方法还包括:形成多条与所述第一引线绝缘的连接线,每条所述连接线将至少两个像素电极电连接,多个通过所述连接线电连接的像素电极构成一条等效线,每条所述等效线至少有一个端部位于阵列基板边缘部;检测所述等效线与第一引线是否短路;除去至少部分所述连接线,使任意两像素电极间均不电连接。2.根据权利要求1所述的阵列基板制备方法,其特征在于,所述第一引线为栅线或数据线。3.根据权利要求1所述的阵列基板制备方法,其特征在于,所述阵列基板还包括与像素电极叠置的公共电极,所述公共电极与像素电极间设有绝缘层。4.根据权利要求1所述的阵列基板制备方法,其特征在于,所述连接线与第一引线同层设置且同步形成。5.根据权利要求1所述的阵列基板制备方法,其特征在于,所述连接线与像素电极同层设置且同步形成。6.根据权利要求1所述的阵列基板制备方法,其特征在于,所述连接线设于两相邻的像素电极间,并将所述两相邻的像素电极电连接。7.根据权利要求1所述的阵列基板制备方法,其特征在于,各所述像素电极排成阵列,多个沿第一方向设置的像素电极构成一排;所述第一引线沿第一方向延伸,且位于相邻排的像素电极之间。8.根据权利要求7所述的阵列基板制备方法,其特征在于,同一排中的所述像素电极被连接线电连接形成一条等效线。9.根据权利要求1所述的阵列基板制备方法,其特征在于,所述连接线包括连接在相邻的像素电极之间的部分;所述除去至少部分连接线包括:除去所述位于相邻的像素电极之间的全部或部分连接线。10.根据权利要求1所述的阵列基板制备方法,其特征在于,所述除去至少部分所述连接线包括:通过刻蚀除去至少部分所述连接线。11.根据权利要求10所述的阵列基板制备方法,其特征在于,在形成所述连接线后,还包括:形成包括第一过孔和第二过孔的第一绝缘层,所述第一过孔处设有连接线,所述第二过孔位于与第一过孔不同的位置;所述除去至少部分所述连接线包括:通过刻蚀除去所述第一过孔处的连接线。12.根据权利要求11所述的阵列基板制备方法,其特征在于,在形成所述第一绝缘层后,还包括:形成具有开口的公共电极,所述开口对应第一过孔;所述除去至少部分所述连接线包括:通过刻蚀除去所述开口处的连接线。2CN109426014A权利要求书2/2页13.根据权利要求1所述的阵列基板制备方法,其特征在于,若检测发现等效线与第一引线间存在短路,则:确定等效线中的像素电极与第一引线间发生短路的位置;将等效线中的像素电极与第一引线发生短路的部分切断。14.根据权利要求13所述的阵列基板制备方法,其特征在于,所述将等效线中的像素电极与第一引线发生短路的部分切断包括:通过激光将等效线中的像素电极与第一引线发生短路的部分切断。3CN109426014A说明书1/7页阵列基板制备方法技术领域[0001]本发明属于阵列基板检测技术领域,具体涉及一种阵列基板制备方法。背景技术[0002]在ADS(AdvancedsuperDimensionSwitch)和HADS等模式的阵列基板中,同时设有公共电极(CommonITO)和像素电极(PXLITO