半导体器件的制作方法及CMOS图像传感器的制作方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN109449079A(43)申请公布日2019.03.08(21)申请号201811288623.8(22)申请日2018.10.31(71)申请人豪威科技（上海）有限公司地址201210上海市浦东新区张江高科技园区上科路88号(72)发明人林率兵李全宝(74)专利代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237代理人智云(51)Int.Cl.H01L21/027(2006.01)H01L21/266(2006.01)H01L27/146(2006.01)权利要求书2页说明书8页附图10页(54)发明名称半导体器件的制作方法及CMOS图像传感器的制作方法(57)摘要本发明提供了一种半导体器件的制作方法及CMOS图像传感器的制作方法，包括：提供一衬底，在衬底上形成图形化的第一光阻；以图形化的第一光阻为掩蔽层在衬底中注入第一类杂质离子；掩膜层填充并覆盖第一光阻；反刻蚀掩膜层以暴露出第一光阻；去除图形化的第一光阻，从而形成图形化的掩膜层，以图形化的掩膜层为掩蔽层在衬底中注入第二类杂质离子。本发明在注入第一类杂质离子后，保留第一光阻，通过掩膜层填充、反刻及去第一光阻实现第一光阻图案的反转，形成的图形化的掩膜层即所需第二类杂质离子注入的掩蔽图形，利用第一光阻反转实现自对准可有效避免现有技术中两次光刻之间的套刻偏移，降低对准工艺难度，提高离子注入的工艺精度。CN109449079ACN109449079A权利要求书1/2页1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：提供一衬底；在所述衬底上形成图形化的第一光阻，所述图形化的第一光阻具有第一开口；以所述图形化的第一光阻为掩蔽层在所述衬底中注入第一类杂质离子；形成填充所述第一开口并覆盖所述图形化的第一光阻的掩膜层；反刻蚀所述掩膜层以暴露出所述图形化的第一光阻；去除所述图形化的第一光阻以形成图形化的掩膜层，所述图形化的掩膜层具有第二开口；以所述图形化的掩膜层为掩蔽层在所述衬底中注入第二类杂质离子；以及去除所述图形化的掩膜层。2.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，注入第一类杂质离子之后，形成掩膜层之前，还包括：去除部分图形化的第一光阻，以使所述第一开口变宽。3.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，去除所述图形化的第一光阻之后，注入第二类杂质离子之前，还包括：形成图形化的第二光阻，所述图形化的第二光阻覆盖所述衬底的部分区域。4.如权利要求3所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述图形化的第二光阻还覆盖所述掩膜层的部分区域。5.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述掩膜层的材料为旋涂玻璃或旋涂介电材料。6.如权利要求5所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，形成所述旋涂玻璃的工艺包括旋涂和固化。7.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述第一类杂质离子是P型离子，所述第二类杂质离子是N型离子；或者，所述第一类杂质离子是N型离子，所述第二类杂质离子是P型离子。8.一种CMOS图像传感器的制作方法，其特征在于，包括：提供一衬底，所述衬底用于制作像素单元；在所述衬底上形成图形化的第一光阻，所述图形化的第一光阻具有第一开口；以所述图形化的第一光阻为掩蔽层在所述衬底中注入第一类杂质离子，形成感光区；形成填充所述第一开口并覆盖所述图形化的第一光阻的掩膜层；反刻蚀所述掩膜层以暴露出所述图形化的第一光阻；去除所述图形化的第一光阻以形成图形化的掩膜层，所述图形化的掩膜层具有第二开口；以所述图形化的掩膜层为掩蔽层在所述衬底中注入第二类杂质离子，形成隔离区；以及去除所述图形化的掩膜层。9.如权利要求8所述的CMOS图像传感器的制作方法，其特征在于，去除所述图形化的第一光阻之后，注入第二类杂质离子之前，还包括：形成图形化的第二光阻，所述图形化的第二光阻覆盖所述衬底的部分区域。2CN109449079A权利要求书2/2页10.如权利要求9所述的CMOS图像传感器的制作方法，其特征在于，所述图形化的第二光阻覆盖所述衬底的区域为遮光区。3CN109449079A说明书1/8页半导体器件的制作方法及CMOS图像传感器的制作方法技术领域[0001]本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种半导体器件的制作方法及CMOS图像传感器的制作方法。背景技术[0002]半导体器件结构中，经常需要形成交替间隔分布的不同类型的杂质离子掺杂单元，如按一定规律分布的N型/P型间隔互补掺杂单元。例如，CMOS图像传感器的像素单元包含大量的N型掺杂单元，这些N型掺杂单元被P型掺杂单元隔离。目前，形成每种类型的杂质离子掺杂单元时都需要进行光刻(包括旋涂光阻、曝光、显影等)、离子注入和去光阻工艺，实践发现