CMOS图像传感器的制作方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115295570A(43)申请公布日2022.11.04(21)申请号202211170495.3(22)申请日2022.09.26(71)申请人合肥晶合集成电路股份有限公司地址230012安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号(72)发明人陈维邦林智伟(74)专利代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237专利代理师曹廷廷(51)Int.Cl.H01L27/146(2006.01)H01L21/308(2006.01)权利要求书2页说明书7页附图5页(54)发明名称CMOS图像传感器的制作方法(57)摘要本发明提供一种CMOS图像传感器的制作方法。该制作方法包括：提供包括第一区和第二区的基底，基底上表面形成有硬掩模层；在硬掩模层上形成芯模结构；在芯模结构的侧壁形成侧墙，去除芯模结构，第一区上相邻的侧墙之间具有第一间距，第二区上相邻的侧墙之间具有第二间距；以第一区和/或第二区作为修整区，通过刻蚀工艺修整修整区上的侧墙的轮廓；以侧墙为掩模，刻蚀硬掩模层和基底，在第一区和第二区的基底中分别形成深度不同的第一沟槽和第二沟槽，其中，通过修整修整区上的侧墙的轮廓，以形成设定截面形状的沟槽。如此，可以同时形成尺寸较小且深度不同的沟槽，且沟槽的截面形状可控。CN115295570ACN115295570A权利要求书1/2页1.一种CMOS图像传感器的制作方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括第一区和第二区，基底上表面形成有硬掩模层；在所述硬掩模层上形成芯模结构；在所述芯模结构的侧壁形成侧墙，去除所述芯模结构；所述第一区上相邻的侧墙之间具有第一间距，所述第二区上相邻的侧墙之间具有第二间距；以所述第一区和/或所述第二区作为修整区，通过刻蚀工艺修整所述修整区上的侧墙的轮廓；以及以所述侧墙为掩模，刻蚀所述硬掩模层和所述基底并停止在所述基底中，在所述第一区的基底中形成第一沟槽以及在所述第二区的基底中形成第二沟槽；其中，通过设置不同的所述第一间距和所述第二间距，以形成深度不同的所述第一沟槽和所述第二沟槽；通过修整所述修整区上的侧墙的轮廓，以在所述修整区的基底中形成设定截面形状的沟槽。2.如权利要求1所述的一种CMOS图像传感器的制作方法，其特征在于，所述第一区为像素区，所述第二区为逻辑区；所述第一沟槽的深度小于所述第二沟槽的深度。3.如权利要求1所述的一种CMOS图像传感器的制作方法，其特征在于，所述在所述硬掩模层上形成芯模结构的方法包括：在所述硬掩模层上表面形成芯模材料层和位于所述芯模材料层上的图形化的第一掩模层；以所述图形化的第一掩模层为掩模，向下刻蚀所述芯模材料层并停止在所述硬掩模层的上表面，形成所述芯模结构；以及去除所述图形化的第一掩模层。4.权利要求3所述的一种CMOS图像传感器的制作方法，其特征在于，所述芯模材料层和所述图形化的第一掩模层之间设置有自下而上层叠的无定形碳层、碳氧化硅层和底部抗反射层。5.如权利要求1所述的一种CMOS图像传感器的制作方法，其特征在于，所述在所述芯模结构的侧壁形成侧墙的方法包括：形成侧墙材料层，所述侧墙材料层覆盖所述芯模结构的侧壁和顶面以及覆盖所述硬掩模层露出的上表面；刻蚀去除所述芯模结构顶面的侧墙材料层和所述硬掩模层上表面的部分侧墙材料层，保留所述芯模结构侧壁上的侧墙材料层作为所述侧墙。6.如权利要求1所述的一种CMOS图像传感器的制作方法，其特征在于，所述硬掩模层包括在所述基底上表面自下而上层叠的第一氧化硅层、氮化硅层和第二氧化硅层。7.如权利要求1至6任一项所述的一种CMOS图像传感器的制作方法，其特征在于，所述第一间距为45纳米~55纳米，所述第一沟槽的深度为150纳米~250纳米；所述第二间距为55纳米6~5纳米，所述第二沟槽的深度为270纳米~330纳米。8.如权利要求1所述的一种CMOS图像传感器的制作方法，其特征在于，所述通过刻蚀工艺修整所述修整区上的侧墙的轮廓的方法包括：通过刻蚀所述侧墙的侧壁，使得所述修整区上相邻的所述侧墙之间的开口的截面为上宽下窄的形状，以便后续在所述修整区的基底中形成截面为上宽下窄的形状的沟槽。2CN115295570A权利要求书2/2页9.如权利要求1所述的一种CMOS图像传感器的制作方法，其特征在于，所述以所述侧墙为掩模，刻蚀所述硬掩模层和所述基底的方法包括：分至少两个子步骤刻蚀所述基底，所述至少两个子步骤的刻蚀条件不同，以使得所述第一沟槽的侧壁和所述第二沟槽的侧壁均至少具有两种倾斜度。3CN115295570A说明书1/7页CMOS图像传感器的制作方法技术领域[0001]本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种CMOS图像传感器的制作方法。背景技术[0002]CMOS图像传