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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN109715852A(43)申请公布日2019.05.03(21)申请号201780057134.9(74)专利代理机构北京林达刘知识产权代理事务所(普通(22)申请日2017.08.29合伙)11277代理人刘新宇(30)优先权数据2016-2037582016.10.17JP(51)Int.Cl.C23C18/52(2006.01)(85)PCT国际申请进入国家阶段日C23C18/32(2006.01)2019.03.15H01L21/288(2006.01)(86)PCT国际申请的申请数据H01L21/768(2006.01)PCT/JP2017/0309912017.08.29H01L23/522(2006.01)(87)PCT国际申请的公布数据WO2018/074072JA2018.04.26(71)申请人东京毅力科创株式会社地址日本东京都(72)发明人藤田启一岩井和俊水谷信崇权利要求书2页说明书5页附图2页(54)发明名称金属布线层形成方法、金属布线层形成装置以及存储介质(57)摘要能够在基板的凹部内形成金属布线层,且不会在基板表面残留异物镀层。金属布线层形成方法具有:在设置于基板(2)的凹部(3)的底面(3a)的钨或钨合金(4)上形成作为保护层的第一镀层(7)的工序;对基板(2)的表面(2a)上的异物镀层(7a)进行清洗来将其去除的工序;以及在凹部(3)内的第一镀层(7)上形成第二镀层(8)的工序。CN109715852ACN109715852A权利要求书1/2页1.一种金属布线层形成方法,针对基板形成金属布线层,所述金属布线层形成方法的特征在于,具有以下工序:准备具有凹部的基板,在该凹部的底面形成有下部电极;通过对所述基板实施第一镀敷处理,至少在所述凹部的下部电极上形成作为保护层的第一镀层;对所述基板进行清洗来去除与所述第一镀层同时形成的附着于基板表面的异物镀层;以及通过对所述基板实施第二镀敷处理,在所述凹部内的所述第一镀层上形成第二镀层。2.根据权利要求1所述的金属布线层形成方法,其特征在于,还具有以下工序:在去除所述异物镀层的工序之前,向所述基板提供催化剂;以及对所述基板进行预备清洗来去除形成于所述下部电极的催化剂以外的催化剂。3.根据权利要求1或2所述的金属布线层形成方法,其特征在于,在形成所述第一镀层的工序与去除所述异物镀层的工序之间,对所述基板实施UV处理或加热处理来使所述异物镀层容易去除。4.根据权利要求1至3中的任一项所述的金属布线层形成方法,其特征在于,所述下部电极包含钨或钨合金,所述第一镀层及所述第二镀层包含钴或钴合金。5.一种金属布线层形成装置,针对基板形成金属布线层,所述金属布线层形成装置的特征在于,具备:第一镀层形成部,其通过对具有凹部的基板实施第一镀敷处理,在该凹部的底面形成有下部电极,来至少在所述凹部的下部电极上形成作为保护层的第一镀层;异物镀层清洗部,其对所述基板进行清洗来去除与所述第一镀层同时形成的附着于基板表面的异物镀层;以及第二镀层形成部,其通过对所述基板实施第二镀敷处理,在所述凹部内的所述第一镀层上形成第二镀层。6.根据权利要求5所述的金属布线层形成装置,其特征在于,还具备:催化剂提供部,其向所述基板提供催化剂;以及催化剂清洗部,其对所述基板进行预备清洗来去除形成于所述下部电极的催化剂以外的催化剂。7.根据权利要求5或6所述的金属布线层形成装置,其特征在于,所述金属布线层形成装置设置有UV处理部或加热处理部,该UV处理部或加热处理部对所述基板实施UV处理或加热处理来使所述异物镀层容易去除。8.一种存储介质,其特征在于保存有用于使计算机执行金属布线形成方法的计算机程序,金属布线层形成方法针对基板形成金属布线层,该金属布线层形成方法具有以下工序:准备具有凹部的基板,在该凹部的底面形成有下部电极;通过对所述基板实施第一镀敷处理,至少在所述凹部的下部电极上形成作为保护层的第一镀层;对所述基板进行清洗来去除与所述第一镀层同时形成的附着于基板表面的异物镀层;2CN109715852A权利要求书2/2页以及通过对所述基板实施第二镀敷处理,在所述凹部内的所述第一镀层上形成第二镀层。3CN109715852A说明书1/5页金属布线层形成方法、金属布线层形成装置以及存储介质技术领域[0001]本发明涉及一种针对基板形成金属布线层的金属布线层形成方法、金属布线层形成装置以及存储介质。背景技术[0002]近年,为了应对安装面积的省空间化、处理速度的改善之类的课题,LSI(LargeScaleIntegration:大规模集成电路)等半导体装置被要求进一步高密度化。作为实现高密度化的技术的一例,公知有通过层叠多个布线基板来