

金属布线层形成方法、金属布线层形成装置以及存储介质.pdf
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金属布线层形成方法、金属布线层形成装置以及存储介质.pdf
能够在基板的凹部内形成金属布线层,且不会在基板表面残留异物镀层。金属布线层形成方法具有:在设置于基板(2)的凹部(3)的底面(3a)的钨或钨合金(4)上形成作为保护层的第一镀层(7)的工序;对基板(2)的表面(2a)上的异物镀层(7a)进行清洗来将其去除的工序;以及在凹部(3)内的第一镀层(7)上形成第二镀层(8)的工序。
金属层间介质的形成方法及金属层间介质结构.pdf
一种金属层的形成方法.pdf
本发明提供一种金属层的形成方法,包括提供半导体衬底,该半导体衬底上形成有介质层和贯穿介质层的接触孔;在介质层表面沉积一层阻挡层;在阻挡层表面沉积金属,且该金属填满接触孔;进行研磨至露出介质层,形成接触孔插塞;在半导体衬底上方依次淀积形成介质阻挡层、层间介质层、抗反射层以及掩膜层,并刻蚀形成暴露出接触孔插塞上表面的沟槽;采用氢氟酸溶液清洗去除刻蚀残留物;用水清洗去除氢氟酸溶液残留;在沟槽中填充金属,以形成与接触孔插塞电接触的金属层。本发明采用DHF清洗溶剂来替代EKC作为湿法清洗溶液来清洗去除刻蚀残留物,避
金属层间通孔形成方法.pdf
本发明公开了一种金属层间通孔形成方法,在介质凹槽侧壁上保留一定厚度的绝缘层材料,在后续对介质凹槽及对应通孔实施金属层间介质一体化刻蚀时,由于介质凹槽侧壁有绝缘层材料残余的保护,介质凹槽的开口尺寸保持不变不会变大,同时也是介质凹槽侧壁的残余绝缘层材料的作用,通孔相对底层金属即使有移位也不会偏移出相应的位线的底层金属外面,不会因通孔移位造成的某一边的金属间距更小,避免相邻通孔之间出现金属短接风险,增加了底层金属的通孔区域的工艺窗口,增加了次工艺的窗口边距,从而提升了金属层间通孔形成工艺的健康度。
形成图案的方法、精细图案层以及半导体装置.pdf
一种形成图案的方法、精细图案层以及半导体装置。形成图案的方法包括:在衬底上形成蚀刻对象层,在蚀刻对象层上形成具有凸图案的第一层,形成完全覆盖第一层的凸图案的第二层,部分地移除第二层以暴露出凸图案的顶部、同时留下设置于凸图案的侧处的第二层,移除第一层以暴露出蚀刻对象层的顶部,以及使用设置于被移除的第一层的凸部的侧面处的第二层作为蚀刻掩模对蚀刻对象层进行蚀刻,其中第一层及第二层中的一者为含碳的层且另一者为含硅的层,含硅的层是通过对含硅的组合物进行涂布并对硅的组合物进行热处理来形成。本发明可实现精细的图案并同时