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金属层间通孔形成方法.pdf
2023-11-06
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永梅****33
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金属层间通孔形成方法.pdf
本发明公开了一种金属层间通孔形成方法，在介质凹槽侧壁上保留一定厚度的绝缘层材料，在后续对介质凹槽及对应通孔实施金属层间介质一体化刻蚀时，由于介质凹槽侧壁有绝缘层材料残余的保护，介质凹槽的开口尺寸保持不变不会变大，同时也是介质凹槽侧壁的残余绝缘层材料的作用，通孔相对底层金属即使有移位也不会偏移出相应的位线的底层金属外面，不会因通孔移位造成的某一边的金属间距更小，避免相邻通孔之间出现金属短接风险，增加了底层金属的通孔区域的工艺窗口，增加了次工艺的窗口边距，从而提升了金属层间通孔形成工艺的健康度。
2023-11-06
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形成通孔的方法.pdf
本发明提供了一种形成通孔的方法，包括：提供前端器件结构，所述前端器件结构上具有层间介质层，所述层间介质层上形成有具有开口图案的硬掩膜层，露出部分所述层间介质层；对所述硬掩膜层和所述层间介质层进行等离子体放电处理和/或气体吹扫；以所述硬掩膜层为掩膜，刻蚀所述层间介质层，形成所述通孔。根据本发明，能够避免在形成通孔时出现盲孔，提高了半导体器件的整体性能，提高了良品率。
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金属布线层形成方法、金属布线层形成装置以及存储介质.pdf
能够在基板的凹部内形成金属布线层，且不会在基板表面残留异物镀层。金属布线层形成方法具有：在设置于基板(2)的凹部(3)的底面(3a)的钨或钨合金(4)上形成作为保护层的第一镀层(7)的工序；对基板(2)的表面(2a)上的异物镀层(7a)进行清洗来将其去除的工序；以及在凹部(3)内的第一镀层(7)上形成第二镀层(8)的工序。
2023-11-15
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本发明提供改善对于半导体装置中的形成通孔或沟槽的后蚀刻的方法。在较佳实施例中，包含进行一初始蚀刻以在一介电层上形成一元件，接着在此介电层上形成一重盖层，接着再进行额外蚀刻及回蚀刻工艺步骤。此重盖方法提供保护底下膜层及避免其在蚀刻后受到损伤。使用本发明可得到一致的元件轮廓及关键尺寸，增加时依性介电质击穿。
2023-10-22
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本发明提供一种金属层的形成方法，包括提供半导体衬底，该半导体衬底上形成有介质层和贯穿介质层的接触孔；在介质层表面沉积一层阻挡层；在阻挡层表面沉积金属，且该金属填满接触孔；进行研磨至露出介质层，形成接触孔插塞；在半导体衬底上方依次淀积形成介质阻挡层、层间介质层、抗反射层以及掩膜层，并刻蚀形成暴露出接触孔插塞上表面的沟槽；采用氢氟酸溶液清洗去除刻蚀残留物；用水清洗去除氢氟酸溶液残留；在沟槽中填充金属，以形成与接触孔插塞电接触的金属层。本发明采用DHF清洗溶剂来替代EKC作为湿法清洗溶液来清洗去除刻蚀残留物，避
2023-11-06
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