一种纳米压印模具及其制作方法和纳米压印方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN109739067A(43)申请公布日2019.05.10(21)申请号201910225594.9(22)申请日2019.03.25(71)申请人京东方科技集团股份有限公司地址100015北京市朝阳区酒仙桥路10号(72)发明人谢昌翰谭伟(74)专利代理机构北京同达信恒知识产权代理有限公司11291代理人郭润湘(51)Int.Cl.G03F7/00(2006.01)权利要求书2页说明书6页附图7页(54)发明名称一种纳米压印模具及其制作方法和纳米压印方法(57)摘要本发明公开了一种纳米压印模具及其制作方法和纳米压印方法，用于使得纳米压印模具脱模后无残胶留存，提升后续工艺的乾刻均匀性。其中的纳米压印模具，包括：支撑基底；压印层，所述压印层上背离所述支撑基板的一面具有与预设图形相对应的凸起结构，所述凸起结构对应的区域为吸光区域，相邻的凸起结构之间形成透光区域。CN109739067ACN109739067A权利要求书1/2页1.一种纳米压印模具，其特征在于，包括：支撑基底；压印层，所述压印层上背离所述支撑基板的一面具有与预设图形相对应的凸起结构，所述凸起结构对应的区域为吸光区域，相邻的凸起结构之间形成透光区域。2.如权利要求1所述的纳米压印模具，其特征在于，所述支撑基底与所述压印层为一体成型结构，所述一体成型结构通过吸光材料制成；其中，所述支撑基底的透光率大于或等于50％。3.如权利要求1所述的纳米压印模具，其特征在于，所述支撑基底为透光基底，所述压印层采用吸光材料制成。4.如权利要求1所述的纳米压印模具，其特征在于，所述压印层包括：位于背离所述支撑基底的一面的结构层，其中，所述结构层具有与所述凸起结构相对应的遮光件，所述遮光件在所述支撑基底的正投影与所述吸光区域相互重合；位于所述结构层中相邻的遮光件之间，以及位于所述结构层远离所述支撑基底一侧的平坦化层；位于所述平坦化层远离所述支撑基底一侧，且具有所述凸起结构的凸起结构层。5.如权利要求4所述的纳米压印模具，其特征在于，所述遮光件为黑矩阵，或者，所述遮光件由吸光材料制成。6.一种纳米压印模具的制作方法，其特征在于，包括：提供支撑基底，并在所述支撑基板的一面形成压印层；其中，所述压印层具有与预设图形相对应的凸起结构，所述凸起结构对应的区域为吸光区域，相邻的凸起结构之间形成透光区域。7.如权利要求6所述的制作方法，其特征在于，提供支撑基底，并在所述支撑基底的一面形成压印层，包括：在模板载体上沉积一层遮光层，其中，所述遮光层由吸光材料制成；对位于所述透光区域的部分遮光层进行刻蚀，形成一体成型的所述支撑基底和所述压印层。8.如权利要求6所述的制作方法，其特征在于，提供支撑基底，并在所述支撑基底的一面形成压印层，包括：在模板载体上沉积一层透光层，形成所述支撑基底；在所述支撑基底的一面沉积一层遮光层，其中，所述遮光层采用吸光材料制成；对位于所述透光区域的部分遮光层进行刻蚀，形成所述压印层。9.如权利要求6所述的制作方法，其特征在于，在所述支撑基板的一面形成压印层，包括：在背离所述支撑基底的一面沉积一层结构层，其中，所述结构层具有多个遮光件；在所述结构层中相邻的遮光件之间，以及所述结构层远离所述支撑基底一侧沉积一层平坦化层；在所述平坦化层远离所述支撑基底一侧沉积一层压胶层；对所述压胶层进行刻蚀，形成具有与预设图形相对应的凸起结构，所述凸起结构对应的区域为吸光区域，相邻的凸起结构之间形成透光区域，且所述吸光区域与所述遮光件在2CN109739067A权利要求书2/2页所述支撑基底的正投影相互重合，形成所述压印层。10.一种纳米压印方法，其特征在于，包括：采用如权利要求1-5任一项所述的纳米压印模具与涂覆有纳米压印胶层的基板对位；将所述纳米压印模具压入所述纳米压印胶层；在所述纳米压印模具一侧照射紫外光，通过所述紫外光固化位于所述透光区域的所述纳米压印胶层；通过溶剂溶解所述基板上的纳米压印胶层中未被固化的部分纳米压印胶层，形成所述预设图形。3CN109739067A说明书1/6页一种纳米压印模具及其制作方法和纳米压印方法技术领域[0001]本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种纳米压印模具及其制作方法和纳米压印方法。背景技术[0002]纳米压印技术(NIL)作为一种直接利用机械接触挤压，使被压印材料在模板和基底之间发生再分布的方法，具有高分辨率(＜10nm)、工艺简单、成本低、产率高、可大规模生产等优点，成为最具前景的下一代光科技术，在显示、半导体等领域具有广泛的应用。[0003]目前多采用紫外纳米压印工艺，即在衬底基板上涂覆压印胶，将纳米压印模具和衬底基板对准完成后，将纳米压印模具压入压印胶层并且照射紫外光使压印胶发生