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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN109759937A(43)申请公布日2019.05.17(21)申请号201910092130.5(22)申请日2019.01.30(71)申请人西安奕斯伟硅片技术有限公司地址710065陕西省西安市高新区锦业路1号都市之门A座1323室(72)发明人具成旻崔世勋李昀泽白宗权(74)专利代理机构北京银龙知识产权代理有限公司11243代理人许静胡影(51)Int.Cl.B24B29/02(2006.01)B08B3/04(2006.01)B08B3/02(2006.01)权利要求书1页说明书7页附图4页(54)发明名称一种硅片的处理方法和装置(57)摘要本发明提供一种硅片的处理方法和装置,在硅片的处理方法中,将硅片输送盒置于盛有浸没液且处于溢流状态的卸载槽中,硅片输送盒交互面与水平面呈平行状态,硅片输送盒中用于承载硅片的承载面与水平面垂直,在硅片完成最终抛光之后,将硅片以竖直方式装载至硅片输送盒中并使硅片浸没于浸没液中。根据本发明的硅片的处理方法,在硅片完成最终抛光之后,能够将硅片以竖直方式装载至硅片输送盒中并使硅片浸没于浸没液中,避免硅片完成最终抛光后装载至硅片输送盒时该硅片输送盒中的硅片露出,减轻因残留的浆料引起的蚀刻,通过硅片的处理装置能够实现上述的硅片的处理方法,有效减少硅片的二次污染,提高清洗效果。CN109759937ACN109759937A权利要求书1/1页1.一种硅片的处理方法,其特征在于,将硅片输送盒置于盛有浸没液且处于溢流状态的卸载槽中,所述硅片输送盒交互面与水平面呈平行状态,所述硅片输送盒中用于承载硅片的承载面与水平面垂直,在硅片完成最终抛光之后,将所述硅片以竖直方式装载至所述硅片输送盒中并使所述硅片浸没于所述浸没液中。2.根据权利要求1所述的硅片的处理方法,其特征在于,将所述硅片装载至所述硅片输送盒中之后,通过喷嘴分别从所述卸载槽的上部和下部以不同角度喷射去离子水,以清洗所述硅片输送盒和所述硅片。3.根据权利要求1所述的硅片的处理方法,其特征在于,从所述卸载槽的底部的导流口向所述卸载槽内供应所述浸没液,从所述卸载槽的底部的导出口排出所述卸载槽中的浸没液。4.根据权利要求1所述的硅片的处理方法,其特征在于,从所述卸载槽的底部的导出口通过输送泵排出所述卸载槽中的浸没液。5.根据权利要求1所述的硅片的处理方法,其特征在于,在所述硅片装载至所述卸载槽内的所述硅片输送盒中之后,向所述卸载槽中供应酸性中和剂和/或表面活性剂。6.一种硅片的处理装置,其特征在于,包括:卸载槽,所述卸载槽用于盛装浸没液且处于溢流状态;硅片输送盒,所述硅片输送盒置于所述卸载槽中且所述硅片输送盒交互面与水平面呈平行状态,所述硅片输送盒中用于承载硅片的承载面与水平面垂直,以使所述硅片以竖直方式装载至所述硅片输送盒中并使所述硅片浸没于所述浸没液中。7.根据权利要求6所述的硅片的处理装置,其特征在于,还包括:设置在所述卸载槽上部和下部的喷嘴,用于分别从所述卸载槽的上部和下部以不同角度喷射去离子水,以清洗所述硅片输送盒和所述硅片。8.根据权利要求6所述的硅片的处理装置,其特征在于,还包括:第一供应部,所述卸载槽的底部设有导流口,所述第一供应部通过管道与所述导流口连接,以使所述第一供应部从所述卸载槽的底部的导流口向所述卸载槽内供应所述浸没液,所述卸载槽的底部设有导出口以排出所述卸载槽中的浸没液。9.根据权利要求8所述的硅片的处理装置,其特征在于,还包括:输送泵,所述输送泵的进口与所述导出口连通,以通过所述输送泵从所述导出口排出所述卸载槽中的浸没液。10.根据权利要求6所述的硅片的处理装置,其特征在于,还包括:第二供应部,用于向所述卸载槽中供应酸性中和剂和/或表面活性剂。2CN109759937A说明书1/7页一种硅片的处理方法和装置技术领域[0001]本发明涉及硅片技术领域,特别涉及一种硅片的处理方法和装置。背景技术[0002]在硅片的抛光处理过程中,一般的抛光工程的工序按照双面抛光→清洗→边缘抛光→清洗→最终抛光的顺序进行,根据需要,也可以按照边缘抛光→清洗→双面抛光→清洗→最终抛光的顺序进行抛光工程。另外,为强化对抛光工程内硅片品质的监控,也可以追加平坦度测量工程和边缘检查工程。最终抛光是通过使用抛光垫、抛光浆料、模板组件以及其他化学品对完成双面抛光和边缘抛光的硅片进行正面的最终抛光的工程。由此,应能够最终决定硅片的平坦度,且使硅片表面的污染(颗粒、刮伤等)最小化。[0003]最终抛光工艺通过最终抛光机进行,最终抛光机大体以装载→硅片移栽→一次抛光→二次抛光→三次抛光→硅片移栽→卸载的顺序构成,如图1所示为硅片的最终抛光过程示意图,最终抛光机主要由装载结构1、抛光结构