单晶硅片处理方法及装置.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115763320A(43)申请公布日2023.03.07(21)申请号202211562109.5(22)申请日2022.12.07(71)申请人西安奕斯伟材料科技有限公司地址710000陕西省西安市高新区西沣南路1888号1-3-029室(72)发明人郭宇轩(74)专利代理机构北京银龙知识产权代理有限公司11243专利代理师张博(51)Int.Cl.H01L21/67(2006.01)H01L21/02(2006.01)权利要求书2页说明书6页附图1页(54)发明名称单晶硅片处理方法及装置(57)摘要本发明提供了一种单晶硅片处理方法及装置，属于半导体制造技术领域。单晶硅片处理装置，包括：旋转夹持结构，用于夹持单晶硅片并带动所述单晶硅片旋转；旋转台，包括一承载平面；保护胶容器，用于存储保护胶；通过管路与所述保护胶容器连通的喷嘴，用于向所述承载平面喷射所述保护胶；移动机构，用于移动和旋转所述旋转台，并控制所述旋转台的旋转速度。本发明的技术方案能够提高单晶硅片的洁净度。CN115763320ACN115763320A权利要求书1/2页1.一种单晶硅片处理装置，其特征在于，包括：旋转夹持结构，用于夹持单晶硅片并带动所述单晶硅片旋转；旋转台，包括一承载平面；保护胶容器，用于存储保护胶，所述保护胶采用疏水性材料；通过管路与所述保护胶容器连通的喷嘴，用于向所述承载平面喷射所述保护胶；移动机构，用于移动和旋转所述旋转台，并控制所述旋转台的旋转速度。2.根据权利要求1所述的单晶硅片处理装置，其特征在于，还包括：设置在所述管路上的阀门组件，用于控制所述保护胶的供给速度。3.根据权利要求1所述的单晶硅片处理装置，其特征在于，还包括：加热组件，用于对喷射到所述承载平面上的保护胶进行加热。4.根据权利要求1所述的单晶硅片处理装置，其特征在于，所述承载平面为圆形，且所述承载平面的直径等于所述旋转夹持结构夹持的单晶硅片的直径。5.根据权利要求1所述的单晶硅片处理装置，其特征在于，所述保护胶包括主剂和固化剂，所述主剂和所述固化剂的重量比为10：1～20：1，所述主剂采用疏水性材料。6.一种单晶硅片处理方法，其特征在于，应用于如权利要求1‑5中任一项所述的单晶硅片处理装置，所述方法包括：控制所述喷嘴向所述承载平面喷射所述保护胶，同时控制所述移动机构旋转所述旋转台；控制所述喷嘴停止喷射所述保护胶，控制所述移动机构将所述旋转台移动至所述旋转夹持结构夹持的单晶硅片在竖直方向上的下方，且所述承载平面的圆心与所述单晶硅片的圆心在竖直方向上重合；控制所述移动机构旋转所述旋转台，同时向上移动所述旋转台，使得所述单晶硅片的背面与所述承载平面上的保护胶接触；控制所述旋转夹持结构旋转所述单晶硅片，在所述单晶硅片的背面形成由所述保护胶组成的保护膜。7.根据权利要求6所述的单晶硅片处理方法，其特征在于，应用于如权利要求2所述的单晶硅片处理装置，控制所述喷嘴向所述承载平面喷射所述保护胶，同时控制所述移动机构旋转所述旋转台包括：在第一保护胶供给阶段，通过所述阀门组件控制所述保护胶的供给速度为5ml/s，供给时长为5s～20s，同时控制所述移动机构开始旋转所述旋转台，在所述旋转台的速度达到设定速度后，所述旋转台旋转60s，对所述承载平面上的保护胶进行固化；在第二保护胶供给阶段，通过所述阀门组件控制所述保护胶的供给速度为3ml/s，供给时长为5s～20s，所述旋转台以设定速度旋转60s。8.根据权利要求7所述的单晶硅片处理方法，其特征在于，应用于如权利要求3所述的单晶硅片处理装置，对所述承载平面上的保护胶进行固化包括：在所述第一保护胶供给阶段，控制所述加热组件对喷射到所述承载平面上的保护胶进行加热，加热温度为40℃～70℃。9.根据权利要求7所述的单晶硅片处理方法，其特征在于，所述单晶硅片与所述承载平面之间的最小距离d为0.1‑1mm。2CN115763320A权利要求书2/2页10.根据权利要求6所述的单晶硅片处理方法，其特征在于，所述旋转夹持结构的旋转方向与所述旋转台的旋转方向相反；所述旋转夹持结构的旋转速度和/或所述旋转台的旋转速度与所述单晶硅片背面形成的保护膜的厚度成反比。3CN115763320A说明书1/6页单晶硅片处理方法及装置技术领域[0001]本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种单晶硅片处理方法及装置。背景技术[0002]作为当前大规模硅半导体集成电路制作用途最广的基底，硅晶圆的制造过程一般包括拉晶，切割，抛光，清洗等工序。集成电路制造领域中不同的器件制造需要不同类型的晶圆。外延片是在单晶硅片表面上沉积一层薄的单晶硅层的硅晶圆，多应用在CMOS(ComplementaryMetalOxideSemic