中转腔室及半导体加工设备.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN109841548A(43)申请公布日2019.06.04(21)申请号201711204368.X(22)申请日2017.11.27(71)申请人北京北方华创微电子装备有限公司地址100176北京市北京经济技术开发区文昌大道8号(72)发明人黄亚辉李一成高志民茅兴飞(74)专利代理机构北京天昊联合知识产权代理有限公司11112代理人彭瑞欣张天舒(51)Int.Cl.H01L21/677(2006.01)H01L21/67(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图2页(54)发明名称中转腔室及半导体加工设备(57)摘要本发明提供一种中转腔室及半导体加工设备，该中转腔室包括腔体、加热装置和排风装置，其中，在腔体内设置有承载装置，用于承载被加工工件；加热装置用于对被加工工件进行加热，以使被加工工件表面的残留气体挥发；排风装置用于排出腔体内的气体。本发明提供的中转腔室，其可以避免被加工工件表面的残留气体腐蚀前端腔室，从而可以提高前端腔室内部零部件的寿命，减少设备运行维护成本。CN109841548ACN109841548A权利要求书1/1页1.一种中转腔室，用于去除被加工工件表面的残留气体，其特征在于，包括腔体、加热装置和排风装置，其中，在所述腔体内设置有承载装置，用于承载所述被加工工件；所述加热装置用于对所述被加工工件进行加热，以使所述被加工工件表面的残留气体挥发；所述排风装置用于排出所述腔体内的气体。2.根据权利要求1所述的中转腔室，其特征在于，所述承载装置包括支撑本体和设置在所述支撑本体上的一层或者多层支撑件，且多层所述支撑件沿竖直方向间隔排布，每层所述支撑件用于支撑一个所述被加工工件。3.根据权利要求2所述的中转腔室，其特征在于，所述支撑片和所述支撑本体均采用导电材料制作，且所述支撑片与所述被加工工件直接接触，以消除所述被加工工件上的静电荷。4.根据权利要求3所述的中转腔室，其特征在于，所述支撑片所采用的材料包括聚醚醚酮。5.根据权利要求1所述的中转腔室，其特征在于，所述加热装置包括加热层，所述加热层包覆在所述腔体的外侧表面上，用于加热所述腔体。6.根据权利要求5所述的中转腔室，其特征在于，所述加热装置还包括温度传感器和控制单元，其中，所述温度传感器设置在所述加热层中，用于检测所述加热层的实时温度，并将其发送至所述控制单元；所述控制单元用于根据所述实时温度控制所述加热层的输出功率。7.根据权利要求5所述的中转腔室，其特征在于，所述加热层包括至少一层硅胶膜层。8.根据权利要求5所述的中转腔室，其特征在于，在所述加热层的外表面包覆至少一层保温层。9.根据权利要求1所述的中转腔室，其特征在于，所述排风装置包括负压排风管，所述负压排风管的进气端与所述腔体的内部连通；所述负压排风管的出气端与外部的排风管连接。10.根据权利要求9所述的中转腔室，其特征在于，在所述负压排风管上设置有流量调节阀和流量计，其中，所述流量调节阀用于调节所述负压排风管中的排气流量；所述流量计用于检测所述负压排风管中的排气流量。11.根据权利要求1所述的中转腔室，其特征在于，在所述腔体的内侧表面覆盖有保护层，用于保护所述腔体的内侧表面不被所述腔体内的气体腐蚀。12.根据权利要求11所述的中转腔室，其特征在于，所述保护层包括至少一层聚四氟乙烯层。13.一种半导体加工设备，包括反应腔室、传输腔室和前端腔室，在所述传输腔室中设置有第一机械手；在所述前端腔室中设置有第二机械手，其特征在于，还包括权利要求1-12任意一项所述的中转腔室，所述中转腔室与所述前端腔室连通，所述第二机械手能够将所述被加工工件传输至所述中转腔室中；所述中转腔室用于去除所述被加工工件表面的残留气体。2CN109841548A说明书1/4页中转腔室及半导体加工设备技术领域[0001]本发明涉及半导体制造技术领域，具体地，涉及一种中转腔室及半导体加工设备。背景技术[0002]刻蚀工艺是芯片制造中形成图形图案的关键工艺，刻蚀工艺的原理是：工艺气体通过射频产生等离子体，等离子体中含有大量的电子、离子、激发态的原子、分子和自由基等活性粒子，这些活性粒子和衬底相互作用，使衬底表面发生各种物理和化学反应,从而使衬底表面性能发生变化，完成刻蚀工艺。[0003]在刻蚀工艺结束之后，往往会有卤素元素的气体或化合物残留在晶圆(Wafer)表面，这些残留的卤素气体或化合物在大气中的水汽作用下会发生冷凝反应，导致在晶圆表面形成冷凝颗粒。这种颗粒一般呈水滴状，且不规则的分布在晶圆表面，严重影响了刻蚀产品的良率。[0004]现有的半导体加工设备主要包括反应腔室、传输腔室和前端腔室(又称前端设备模块，EFEM，equipmentfront-endmod