

多腔室半导体设备.pdf
努力****骞北
亲,该文档总共19页,到这已经超出免费预览范围,如果喜欢就直接下载吧~
相关资料
多腔室半导体设备.pdf
本发明涉及半导体制造设备技术领域,更具体的说,涉及一种多腔室半导体设备。本发明提供的多腔室半导体设备,包括过渡管路,可通断地与吹扫管路、第一反应源管路、第二反应源管路连接,将通入的气体排出设备;吹扫管路,可通断地与第一吹扫源、第二吹扫源连接,选择接入第一吹扫源或第二吹扫源的吹扫气体;第一反应源管路,通过阀门在第一反应空间、第二反应空间和过渡管路之间进行选择切换;第二反应源管路,通过阀门在第一反应空间、第二反应空间和过渡管路之间进行选择切换。本发明将高流量吹扫气体和低流量吹扫气体持续性地流入吹扫管路,实现吹
反应腔室及半导体加工设备.pdf
本发明提供一种反应腔室及半导体加工设备,其包括法拉第屏蔽环和用于支撑该法拉第屏蔽环的绝缘环,在绝缘环的支撑面设置有凹部,且在法拉第屏蔽环的被支撑面设置有凸部,该凸部位于凹部内,其中,凹部包括朝外方向的第一侧面,凸部包括朝内方向的第二侧面,第一侧面和第二侧面相贴合;凹部被设置为使凸部在受热膨胀时不受凹部的限制。本发明提供的反应腔室,其不仅可以保证绝缘环在高温状态下不被破坏,而且可以确保法拉第屏蔽环的准确定位,从而可以提高工艺均匀性、稳定性和设备可靠性。
中转腔室及半导体加工设备.pdf
本发明提供一种中转腔室及半导体加工设备,该中转腔室包括腔体、加热装置和排风装置,其中,在腔体内设置有承载装置,用于承载被加工工件;加热装置用于对被加工工件进行加热,以使被加工工件表面的残留气体挥发;排风装置用于排出腔体内的气体。本发明提供的中转腔室,其可以避免被加工工件表面的残留气体腐蚀前端腔室,从而可以提高前端腔室内部零部件的寿命,减少设备运行维护成本。
半导体工艺腔室及半导体工艺设备.pdf
本发明提供一种半导体工艺腔室及半导体工艺设备,半导体工艺腔室包括腔室本体、旋转升降组件和设置在腔室本体内的承载部件和加热组件,承载部件用于承载晶圆,加热组件位于承载部件下方,用于通过加热承载部件,以加热承载部件上的晶圆,旋转升降组件包括分别设置在腔室本体外内的磁发生部件和磁配合部件,磁发生部件用于在通电时产生磁场使磁配合部件磁化,向磁配合部件施加悬浮支撑力和旋转驱动力,磁配合部件与承载部件连接,用于在磁发生部件向其施加的悬浮支撑力和旋转驱动力的作用下悬浮并旋转,带动承载部件在腔室本体内悬浮并旋转。本发明提
腔室内衬、工艺腔室和半导体处理设备.pdf
本发明公开了一种腔室内衬、工艺腔室和半导体处理设备。腔室内衬用于在工艺腔室内形成限制等离子体分布的工艺空间,包括:第一围挡部;自第一围挡部向工艺空间内侧弯折延伸形成的过渡连接部;自过渡连接部向背离第一围挡部的方向弯折延伸形成的第二围挡部;第一围挡部、过渡连接部和第二围挡部共同形成工艺空间;过渡连接部上设置有第一收容结构,用于收容工艺腔室内产生的颗粒杂质。通过所设置的第一收容结构,能够有效收集工艺腔室内产生的颗粒杂质,从而能够避免该些颗粒杂质落到工艺腔室中的硅片表面,进而能够提高硅片的工艺良率,降低制作成本