一种反极性AlGaInP四元LED芯片的制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110120443A(43)申请公布日2019.08.13(21)申请号201810121564.9(22)申请日2018.02.07(71)申请人山东浪潮华光光电子股份有限公司地址261061山东省潍坊市高新区金马路9号(72)发明人李晓明单立英任忠祥徐现刚肖成峰(74)专利代理机构济南金迪知识产权代理有限公司37219代理人杨树云(51)Int.Cl.H01L33/00(2010.01)H01L33/38(2010.01)权利要求书1页说明书4页附图2页(54)发明名称一种反极性AlGaInP四元LED芯片的制备方法(57)摘要本发明涉及一种反极性AlGaInP四元LED芯片的制备方法，包括：(1)在反极性AlGaInP四元LED外延片的P面上依次制备P面欧姆接触层、电流阻挡层；(2)键合到单晶导电Si衬底或蓝宝石衬底；(3)去除GaAs衬底、阻挡层，制备N面欧姆接触电极图形，包括规则分布且依次通过线状电极图形连接的若干小单元；(4)去除4个小单元与周围小单元电极图形连接的线状电极图形；(5)对4个小单元进行点测，根据客户需求组合若干个小单元电极图形，根据组合后电极图形大小去除不需要保留小单元电极图形之间的线状电极图形，对档率较高。CN110120443ACN110120443A权利要求书1/1页1.一种反极性AlGaInP四元LED芯片的制备方法，其特征在于，包括：(1)在反极性AlGaInP四元LED外延片的P面上依次制备P面欧姆接触层、电流阻挡层；所述反极性AlGaInP四元LED外延片由下自上依次包括GaAs衬底、阻挡层、不透光外延层、N型AlGaInP层、反极性四元LED外延层；(2)将步骤(1)生成的外延片键合到单晶导电Si衬底或蓝宝石衬底；(3)去除所述GaAs衬底、所述阻挡层，在所述不透光外延层上制备N面欧姆接触电极图形，所述N面欧姆接触电极图形包括规则分布且依次通过线状电极图形连接的若干小单元；其中的4个小单元位于同心圆中任意两条垂直的直径与该同心圆的四个交点上，所述同心圆是外延片的同心圆；(4)去除所述4个小单元与周围小单元连接的线状电极图形；(5)使用时，对所述4个小单元进行点测，通过点测数据对标客户需求，根据客户需求组合若干个小单元，根据组合需要去除不需要保留的小单元之间的线状电极图形，制得反极性AlGaInP四元LED芯片。2.根据权利要求1所述的一种反极性AlGaInP四元LED芯片的制备方法，其特征在于，所述同心圆的直径为1/2外延片的直径。3.根据权利要求1所述的一种反极性AlGaInP四元LED芯片的制备方法，其特征在于，所述线状电极图形的宽度为8-15μm。4.根据权利要求1所述的一种反极性AlGaInP四元LED芯片的制备方法，其特征在于，所述线状电极图形的宽度为8μm。5.根据权利要求1所述的一种反极性AlGaInP四元LED芯片的制备方法，其特征在于，相邻两个所述小单元中心之间的间距为80-150μm。6.根据权利要求1所述的一种反极性AlGaInP四元LED芯片的制备方法，其特征在于，相邻两个所述小单元中心之间的间距为100μm。7.根据权利要求1所述的一种反极性AlGaInP四元LED芯片的制备方法，其特征在于，所述步骤(4)，包括：a、在步骤(3)制得的N面欧姆接触电极图形上，通过光刻完成粗化、腐蚀切割槽；b、通过光刻、金属腐蚀方法去除所述4个小单元与周围小单元连接的线状电极图形。8.根据权利要求7所述的一种反极性AlGaInP四元LED芯片的制备方法，其特征在于，所述切割槽的宽度为8-15μm。9.根据权利要求1-8任一所述的一种反极性AlGaInP四元LED芯片的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)，在所述不透光外延层上制备N面欧姆接触电极图形，包括：A、通过电子束蒸镀方式，在所述不透光外延层上蒸镀一层厚度为1-1.8μm的GeAu膜；B、在所述GeAu膜表面涂正性光刻胶；C、在所述正性光刻胶表面通过光刻制得N面欧姆接触电极图形；D、去除正性光刻胶，即得。10.根据权利要求9所述的一种反极性AlGaInP四元LED芯片的制备方法，其特征在于，所述步骤B，在所述GeAu膜表面涂厚度为2-3.6μm的正性光刻胶。2CN110120443A说明书1/4页一种反极性AlGaInP四元LED芯片的制备方法技术领域[0001]本发明涉及一种反极性AlGaInP四元LED芯片的制备方法，属于光电子技术领域。背景技术[0002]LED作为21世纪的照明新光源，同样亮度下，半导体灯耗电仅为普通白炽灯的l/10，而寿命却可以延长100倍。LED器件是冷光源，光效高，工作电压低，耗电量小，体积小，可平面封装，易于开发