一种反极性AlGaInP四元LED芯片的电极对准方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN109994575A(43)申请公布日2019.07.09(21)申请号201711487966.2(22)申请日2017.12.29(71)申请人山东浪潮华光光电子股份有限公司地址261061山东省潍坊市高新区金马路9号(72)发明人李晓明沈龙梅任忠祥单立英肖成峰(74)专利代理机构济南金迪知识产权代理有限公司37219代理人杨树云(51)Int.Cl.H01L33/00(2010.01)H01L33/36(2010.01)权利要求书2页说明书5页附图3页(54)发明名称一种反极性AlGaInP四元LED芯片的电极对准方法(57)摘要本发明涉及一种反极性AlGaInP四元LED芯片的电极对准方法，包括：先在反极性AlGaInP四元LED外延片P面上生长一层Au或AuBe膜，通过常规光刻的方法得到P面欧姆接触图形，并在外延片上下或左右边缘位置留下两个对称的标记，根据P面留下的标记通过光刻胶或金属膜做掩膜的方式将键合及腐蚀衬底完成的反极性AlGaInP四元LED芯片标记处对应的N面去除到透明可见(即露出N型AlGaInP层)，再根据标记处将N面欧姆接触图形与P面欧姆接触图形对准，对准方法更简单更实用，对准程度高减少了芯片的损失，提升了芯片的品质，操作简便且能得到更稳定的出光效果，适合规模化生产。CN109994575ACN109994575A权利要求书1/2页1.一种反极性AlGaInP四元LED芯片的电极对准方法，其特征在于，包括：(1)在反极性AlGaInP四元LED外延片的P面上蒸镀上一层Au膜或AuBe膜，在所述Au膜或AuBe膜上制备P面欧姆接触图形，在外延片上下或左右边缘的中心位置留下两个对称的标记；所述反极性AlGaInP四元LED外延片由下自上依次包括GaAs衬底、阻挡层、不透光外延层、N型AlGaInP层、反极性四元LED外延层；(2)在步骤(1)生成的外延片上生长一层SiO2膜，去除步骤(1)生成的所述P面欧姆接触图形上的SiO2膜，得到SiO2膜图形；(3)在步骤(2)生成的外延片上依次蒸镀金属反射镜层与金属键合层；在单晶导电Si衬底或蓝宝石衬底表面蒸镀金属键合层，在所述金属键合层上蒸镀金属粘结层，再将反极性AlGaInP四元LED外延片与单晶导电Si衬底或蓝宝石衬底键合在一起；(4)去除所述衬底、所述阻挡层，在与步骤(1)做出的标记对应的N面的位置处，去除所述不透光外延层，使得在与步骤(1)做出的标记对应的N面的位置处露出所述N型AlGaInP层，制作N面欧姆接触图形，使其与所述P面欧姆接触图形对准。2.根据权利要求1所述的一种反极性AlGaInP四元LED芯片的电极对准方法，其特征在于，所述步骤(4)中，包括：A、在与步骤(1)做出的标记对应的N面的位置处贴上膜；B、在N面的膜上匀上厚度为1.5-3μm的正性光刻胶；C、去除膜，膜上的正性光刻胶也连带去除，对整个外延片进行烘烤，烘烤温度为90-105℃，烘烤时间为5-15分钟；D、将整个外延片放入到腐蚀液中，对无正性光刻胶区域露出的外延层进行腐蚀，露出N型AlGaInP层，看到P面欧姆接触图形的标记，制作N面欧姆接触图形，使其与所述P面欧姆接触图形对准。3.根据权利要求2所述的一种反极性AlGaInP四元LED芯片的电极对准方法，其特征在于，所述膜为蓝膜。4.根据权利要求1所述的一种反极性AlGaInP四元LED芯片的电极对准方法，其特征在于，所述步骤(4)中，包括：a、在与步骤(1)做出的标记对应的N面的位置处贴上耐高温胶带；b、在N面上蒸镀厚度为0.3-0.6μm的GeAu膜；c、去除耐高温胶带，耐高温胶带上的正性光刻胶也连带去除；d、将整个外延片放入到腐蚀液中，对GeAu膜的区域露出的外延层进行腐蚀，露出N型AlGaInP层，看到P面欧姆接触图形的标记，制作N面欧姆接触图形，使其与所述P面欧姆接触图形对准。5.根据权利要求1所述的一种反极性AlGaInP四元LED芯片的电极对准方法，其特征在于，所述步骤(1)中，Au膜或AuBe膜的厚度为0.3-0.4μm。6.根据权利要求1所述的一种反极性AlGaInP四元LED芯片的电极对准方法，其特征在于，所述步骤(1)中，所述标记为长方形。7.根据权利要求1所述的一种反极性AlGaInP四元LED芯片的电极对准方法，其特征在于，所述步骤(1)中，所述标记为正方形，面积为0.25-1mm2。8.根据权利要求1所述的一种反极性AlGaInP四元LED芯片的电极对准方法，其特征在2CN109994575A权利要求书2/2页于，所述步骤(2)中，SiO2膜的厚度为0.35-0.5μm。9.根据权利要求1-8任一所述的一种反极性AlGaIn