紫外光LED芯片制造方法以及紫外光LED芯片.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110137336A(43)申请公布日2019.08.16(21)申请号201910523119.X(22)申请日2019.06.17(71)申请人上海工程技术大学地址201620上海市松江区龙腾路333号(72)发明人郝惠莲(74)专利代理机构上海唯智赢专利代理事务所(普通合伙)31293代理人刘朵朵(51)Int.Cl.H01L33/64(2010.01)H01L33/40(2010.01)权利要求书1页说明书5页附图3页(54)发明名称紫外光LED芯片制造方法以及紫外光LED芯片(57)摘要本发明提供了一种紫外光LED芯片制造方法以及紫外光LED芯片，包括：步骤一、提供一衬底，在衬底上依次外延生长N-AlGaN结构、量子阱和P-AlGaN结构，形成一紫外光LED芯片；步骤二、外延生长完成后，在紫外光LED芯片上进行光刻和刻蚀，以将部分N-AlGaN结构暴露出来；步骤三、制备单层或多层石墨烯薄膜，将石墨烯薄膜转移到紫外光LED芯片表面；对紫外光LED芯片进行光刻和刻蚀，以在紫外光LED芯片表面的特定区域保留石墨烯薄膜，去除其他区域的石墨烯薄膜；步骤四、采用光刻的方法制作电极图形，利用电子束蒸发设备将紫外光LED芯片的表面的开孔区域蒸镀上P电极和N电极；步骤五、将紫外光LED芯片的背面的衬底进行研磨，将石墨烯薄膜转移到紫外光LED芯片的背面的衬底上。CN110137336ACN110137336A权利要求书1/1页1.一种紫外光LED芯片制造方法，其特征在于，所述紫外光LED芯片制造方法包括：步骤一、提供一衬底，在所述衬底上依次外延生长N-AlGaN结构、量子阱和P-AlGaN结构，形成一紫外光LED芯片；步骤二、外延生长完成后，在所述紫外光LED芯片上进行光刻和刻蚀，以将部分所述N-AlGaN结构暴露出来；步骤三、制备单层或多层石墨烯薄膜，将所述石墨烯薄膜转移到所述紫外光LED芯片表面；对所述紫外光LED芯片进行光刻和刻蚀，以在所述紫外光LED芯片表面的特定区域保留所述石墨烯薄膜，去除其他区域的所述石墨烯薄膜；步骤四、采用光刻的方法制作电极图形，利用电子束蒸发设备将所述紫外光LED芯片的表面的开孔区域蒸镀上P电极和N电极；步骤五、将所述紫外光LED芯片的背面的衬底进行研磨，将所述石墨烯薄膜转移到所述紫外光LED芯片的背面的衬底上。2.如权利要求1所述的紫外光LED芯片制造方法，其特征在于，所述的紫外光LED芯片制造方法包括：利用金属有机化合物化学气相沉淀设备在所述衬底上依次外延生长N-AlGaN结构、量子阱和P-AlGaN结构。3.如权利要求1所述的紫外光LED芯片制造方法，其特征在于，所述衬底的材料适合GaN结构生长，所述衬底的材料为蓝宝石或硅。4.如权利要求1所述的紫外光LED芯片制造方法，其特征在于，所述刻蚀使用干法刻蚀或湿法刻蚀；所述干法刻蚀利用ICP设备或RIE设备，所述湿法刻蚀利用H3PO4、KOH或NaOH化学溶液。5.如权利要求1所述的紫外光LED芯片制造方法，其特征在于，所述石墨烯薄膜采用氧化还原法制备，或采用化学气相沉积法制备。6.如权利要求1所述的紫外光LED芯片制造方法，其特征在于，利用聚合物支撑法将所述石墨烯薄膜转移到所述紫外光LED芯片表面，以及所述紫外光LED芯片的背面的衬底上，所述聚合物支撑法所用的支撑材料为聚甲基丙烯酸甲酯。7.如权利要求1所述的紫外光LED芯片制造方法，其特征在于，所述P电极和所述N电极的材料为Cr、Pt、Au、Ti-Al合金或Ti-Au合金；所述P电极和所述N电极的周围具有所述石墨烯薄膜。8.如权利要求1所述的紫外光LED芯片制造方法，其特征在于，所述紫外光LED芯片为正装LED芯片或倒装LED芯片。9.一种紫外光LED芯片，其特征在于，所述紫外光LED芯片基于权利要求1～8中任一项所述的紫外光LED芯片制造方法制作而成。2CN110137336A说明书1/5页紫外光LED芯片制造方法以及紫外光LED芯片技术领域[0001]本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种紫外光LED芯片制造方法以及紫外光LED芯片。背景技术[0002]近年来，紫外发光二极管(LED)因其在激发白光、生化探测、杀菌消毒、净化环境、聚合物固化以及短距离安全通讯等诸多应用领域有着巨大的潜在应用价值而备受关注。紫外光LED芯片还将面临的一个问题是，紫外芯片的正向电压相对蓝绿光芯片的正向电压偏高，且由于发热较蓝绿光严重，导致芯片的可靠性不理想。同时，紫外光LED芯片几乎全部使用氧化铟锡做透明导电层，但氧化铟锡材料的导电导热性能较差，使得紫外光LED芯片的可靠性不高。发明内容[0003]本发明的目的在于提供一种紫外光LED芯片制造