LED芯片及LED芯片制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111864026A(43)申请公布日2020.10.30(21)申请号202010892949.2(22)申请日2020.08.31(71)申请人聚灿光电科技（宿迁）有限公司地址223800江苏省宿迁市经济技术开发区东吴路南侧(72)发明人不公告发明人(74)专利代理机构苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙)32235代理人沈晓敏(51)Int.Cl.H01L33/38(2010.01)H01L33/44(2010.01)权利要求书1页说明书5页附图4页(54)发明名称LED芯片及LED芯片制造方法(57)摘要本发明提供一种LED芯片及LED芯片制造方法，LED芯片包括衬底和设于其上的N型半导体层、发光层、P型半导体层、透明导电层、N电极和P电极，透明导电层设有第一窗口区，第一窗口区设于N型半导体层上方，暴露出N型半导体层；于第一窗口区内，N型半导体层上设有金属层，金属层上方设有绝缘层，金属层与透明导电层电性连接；N电极包括N电极焊盘部和N电极扩展部，N电极焊盘部设于绝缘层上方，N电极扩展部电性连接至N型半导体层。保留了位于N电极下方的发光层，在绝缘层下方区域采用金属层代替透明导电层，具有优良粘附性的金属层稳固粘附绝缘层和半导体层，且纳米级厚度的金属层呈透明状，具有透光性，使N电极下方的发光区域得到有效利用。CN111864026ACN111864026A权利要求书1/1页1.一种LED芯片，包括衬底和设于其上的N型半导体层、发光层、P型半导体层、透明导电层、N电极和P电极，其特征在于，所述透明导电层设有第一窗口区，所述第一窗口区设于所述N型半导体层上方，暴露出所述N型半导体层；于所述第一窗口区内，所述N型半导体层上设有金属层，所述金属层上方设有绝缘层，所述金属层与所述透明导电层电性连接；所述N电极包括N电极焊盘部和N电极扩展部，N电极焊盘部设于所述绝缘层上方，所述N电极扩展部电性连接至所述N型半导体层。2.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述P型半导体层和所述发光层形成有一贯通的N电极连接区，暴露出所述N型半导体层，所述透明导电层设有暴露所述N电极连接区的第二窗口区。3.根据权利要求2所述的LED芯片，其特征在于，所述N电极还包括与所述N电极焊盘部相连的N电极扩展部，所述N电极扩展部延伸至所述N电极连接区内与所述N型半导体层电性连接。4.根据权利要求3所述的LED芯片，其特征在于，所述绝缘层还覆盖于位于所述N电极扩展部下方的所述N型半导体层和所述N电极连接区的部分侧壁面。5.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述金属层的材质为铬、或钛、或铝、或镍、或铂、或金或上述金属形成的合金，其厚度范围为0.5-10nm。6.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述绝缘层的材质为二氧化硅。7.一种LED芯片制造方法，其特征在于，包括步骤：提供一衬底，在所述衬底上生长N型半导体层、发光层和P型半导体层，刻蚀部分所述发光层和所述P型半导体层形成N电极连接区，暴露出所述N型半导体层；在所述P型半导体层上形成一金属层；在所述P型半导体层上形成透明导电层，并在所述透明导电层内形成暴露所述金属层的第一窗口区，和暴露所述N电极连接区的第二窗口区；在所述金属层上形成绝缘层；在所述透明导电层上形成P电极，在所述绝缘层上形成N电极焊盘部，在所述N电极连接区形成与所述N电极焊盘部相连的N电极扩展部。8.根据权利要求7所述的LED芯片制造方法，其特征在于，于所述N电极扩展部下方的所述N型半导体层和所述N电极连接区的部分侧壁面也形成有所述绝缘层。9.根据权利要求7所述的LED芯片制造方法，其特征在于，所述金属层的材质为铬、或钛、或铝、或镍、或铂、或金或上述金属形成的合金，其厚度范围为0.5-10nm。10.根据权利要求7所述的LED芯片制造方法，其特征在于，所述绝缘层的材质为二氧化硅。2CN111864026A说明书1/5页LED芯片及LED芯片制造方法技术领域[0001]本发明涉及半导体发光器件领域，具体地涉及一种LED芯片及LED芯片制造方法。背景技术[0002]发光二极管(英文：LightEmittingDiode，简称：LED)作为一种新型节能、环保固态照明光源，具有能效高、体积小、重量轻、响应速度快以及寿命长等优点，使其在很多领域得到了广泛应用。[0003]常规LED外延结构中，P型半导体层在上层，N型半导体层在下层，主要反光层PN结在P型半导体层和N型半导体层之间，芯片制作中需要把N型半导体层需要通过刻蚀制程将其暴露出来，P型半导体层和发光层被刻蚀掉，造成主要发光层利用率偏低。为改善此问题，现有通过在P型半导体层上制作二氧化硅钝化绝缘层，然后