倒装LED芯片的制备方法、倒装LED芯片以及显示设备.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114420797A(43)申请公布日2022.04.29(21)申请号202111470401.X(22)申请日2021.12.03(71)申请人深圳市思坦科技有限公司地址518000广东省深圳市龙华区大浪街道同胜社区工业园路1号1栋凯豪达大厦十三层1309(72)发明人刘召军吴涛张珂(74)专利代理机构深圳中细软知识产权代理有限公司44528代理人徐春祺(51)Int.Cl.H01L33/00(2010.01)H01L33/44(2010.01)权利要求书2页说明书6页附图3页(54)发明名称倒装LED芯片的制备方法、倒装LED芯片以及显示设备(57)摘要本发明公开了一种倒装LED芯片的制备方法、倒装LED芯片以及显示设备。这种倒装LED芯片的制备方法在通过在第一芯片半成品上形成第一保护层，第一保护层可以对第一n型层、第一发光层和第一p型层的侧壁形成保护，从而有效避免后续金属沉积及剥离工艺带来的潜在金属残留等导致的漏电风险。这些残留可能是光刻胶，黏附在侧壁的金属物等，一旦有残留就会影响器件的性能，最终体现在可靠性上表现较差甚至失效，在此阶段的第一保护层可以大大降低上述问题带来的潜在风险。与传统的倒装LED芯片的制备方法相比，这种倒装LED芯片的制备方法可以大幅度的降低制得的倒装LED芯片的漏电风险。CN114420797ACN114420797A权利要求书1/2页1.一种倒装LED芯片的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供或制备第一芯片半成品，所述第一芯片半成品上设有发光区和非发光区，所述发光区包括依次层叠的第一基层、第一n型层、第一发光层和第一p型层，所述非发光区包括第二基层和第二n型层，所述第一基层和所述第二基层共同组成基层，所述第一n型层与所述第二n型层接触，且所述第一n型层不与所述第一发光层接触；在所述第一芯片半成品上形成第一保护层，接着在所述第一保护层上开孔使得所述第一p型层和所述第二n型层暴露出来，得到第二半成品；在所述第二半成品上形成导电层，接着将除所述第一p型层和所述第二n型层之外区域的所述导电层去除，得到第三半成品，所述第一p型层上对应的部分所述导电层形成第一导电层，所述第二n型层上对应的部分所述导电层形成第二导电层；以及在所述第一导电层上设置第一电极，在所述第二导电层上设置第二电极，得到所述倒装LED芯片。2.根据权利要求1所述的倒装LED芯片的制备方法，其特征在于，所述在所述第一导电层上设置第一电极，在所述第二导电层上设置第二电极，得到所述倒装LED芯片的操作为：在所述第三半成品上形成第二保护层，接着在所述第二保护层上开孔使得所述第一导电层和所述第二导电层暴露出来，得到第四半成品；在所述第一导电层上设置第一电极，在所述第二导电层上设置第二电极，得到所述倒装LED芯片。3.根据权利要求1所述的倒装LED芯片的制备方法，其特征在于，所述第一导电层和所述第一p型层之间还设有电流扩散层；所述第一导电层和所述第二导电层的材料均为Ti、Al、Au、Pt或Ni；所述第一电极和所述第二电极的材料包括铟或锡。4.根据权利要求1所述的倒装LED芯片的制备方法，其特征在于，所述第一芯片半成品通过如下操作制备得到：提供外延片，所述外延片包括依次层叠的基层、n型层、发光层和p型层；对所述外延片进行刻蚀，使得所述外延片上形成所述发光区和所述非发光区。5.根据权利要求1～4中任意一项所述的倒装LED芯片的制备方法，其特征在于，还包括在得到所述倒装LED芯片之后的如下操作：提供键合基板，所述键合基板包括对应所述第一电极的第一键合金属层以及对应所述第二电极的第二键合金属层；将所述倒装LED芯片和所述键合基板键合到一起，使得所述第一电极和所述第一键合金属层固定连接，所述第二电极和所述第二键合金属层固定连接。6.根据权利要求5所述的倒装LED芯片的制备方法，其特征在于，所述第一键合金属层靠近所述第一电极的一端设有粗化结构。7.根据权利要求6所述的倒装LED芯片的制备方法，其特征在于，所述粗化结构包括间隔设置的多条凸楞，所述凸楞的截面呈梯形，且所述梯形的底面与所述第一键合金属层直接接触。8.根据权利要求6所述的倒装LED芯片的制备方法，其特征在于，所述第一键合金属层上的所述粗化结构通过如下操作制备得到：2CN114420797A权利要求书2/2页在所述第一键合金属层上形成第三保护层，接着在所述第三保护层上按照预设图案开孔，使得所述第一键合金属层上暴露出所述预设图案，接着在所述第一键合金属层和所述第三保护层上沉积第二金属层，最后将所述第三保护层以及部分所述第二金属层去除，保留下来的形成所述预设图案并且设置在所述第一键合金属层上的部分所述第二金属层即为所述粗化结构