半导体器件的制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110289243A(43)申请公布日2019.09.27(21)申请号201910643646.4(22)申请日2019.07.17(71)申请人上海华力集成电路制造有限公司地址201315上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室(72)发明人刘厥扬(74)专利代理机构上海浦一知识产权代理有限公司31211代理人戴广志(51)Int.Cl.H01L21/8238(2006.01)权利要求书2页说明书5页附图10页(54)发明名称半导体器件的制备方法(57)摘要本申请公开了一种半导体器件的制备方法，属于半导体技术领域。所述方法包括：提供一衬底，在衬底上制备鳍式场效晶体管Fin-FET的N沟道和P沟道，N沟道包括至少一个第一鳍部，P沟道包括至少一个第二鳍部；在衬底、第一鳍部以及第二鳍部的表面覆盖第一氮化硅层；在第一鳍部的上方制备磷硅层；对第一氮化硅层进行第一清除处理；在磷硅层、第一鳍部的侧表面以及第二鳍部的表面覆盖第二氮化硅层；在第二鳍部的上方制备锗硅层；对第二氮化硅层进行第二清除处理。本申请通过对氮化硅层的两次清除处理，能够较为彻底地清除氮化硅残留，解决了在制备Fin-FET的过程中产生的微小缺陷问题，提高了Fin-FET的稳定性。CN110289243ACN110289243A权利要求书1/2页1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供一衬底，在所述衬底上制备鳍式场效晶体管Fin-FET的N沟道和P沟道，所述N沟道包括至少一个第一鳍部，所述P沟道包括至少一个第二鳍部；在所述第一鳍部以及所述第二鳍部的表面覆盖第一氮化硅层；在所述第一鳍部的上方制备磷硅层；对所述第一氮化硅层进行第一清除处理；在所述磷硅层、所述第一鳍部的侧表面以及所述第二鳍部的表面覆盖第二氮化硅层；在所述第二鳍部的上方制备锗硅层；对所述第二氮化硅层进行第二清除处理。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述对所述第一氮化硅层进行第一清除处理，包括：通过酸清除的方式对所述第一氮化硅层进行所述第一清除处理；和/或，通过刻蚀的方式对所述第一氮化硅层进行所述第一清除处理。所述对所述第二氮化硅层进行第二清除处理，包括：通过酸清除的方式对所述第二氮化硅层进行所述第二清除处理；和/或，通过刻蚀的方式对所述第二氮化硅层进行所述第二清除处理。3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述酸清除的方式包括通过磷酸溶液，和/或，氢氟酸溶液进行清除。4.根据权利要求1至3任一所述的制备方法，其特征在于，在所述第一鳍部的上方制备磷硅层，包括：通过第一掩模板，对所述第一鳍部上方的第一氮化硅层进行刻蚀处理，所述第一掩模板遮挡所述P沟道的上方；在所述第一鳍部的上方沉积所述磷化硅层。5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述在所述第一鳍部的上方沉积所述磷化硅层，包括：通过第三掩模板，在所述第一鳍部的上方沉积所述磷化硅层，所述第三掩模板遮挡住除所述第一鳍部上表面以外的其它区域。6.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述在所述第一鳍部的上方沉积所述磷化硅层，包括：在所述衬底、所述N沟道以及所述P沟道的表面覆盖光刻胶；通过第三掩模板对所述第一鳍部上方的光刻胶进行曝光，所述第三掩模板遮挡住除所述第一鳍部上表面以外的其它区域；对所述第一鳍部上方被曝光的光刻胶进行清洗；在所述第一鳍部上方沉积所述磷化硅层；对所述光刻胶进行清洗。7.根据权利要求1至3任一所述的制备方法，其特征在于，所述在所述第二鳍部的上方制备锗硅层，包括：通过第二掩模板，对所述第二鳍部上方的第二氮化硅层进行刻蚀处理，所述第二掩模板遮挡所述N沟道的上方；2CN110289243A权利要求书2/2页在所述第二鳍部的上方沉积所述锗硅层。8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述在所述第二鳍部的上方沉积所述锗硅层，包括：通过第四掩模板，在所述第二鳍部的上方沉积所述锗硅层，所述第四掩模板遮挡住除所述第二鳍部上表面以外的其它区域。9.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述在所述第二鳍部的上方沉积所述锗硅层，包括：在所述衬底、所述N沟道以及所述P沟道的表面覆盖光刻胶；通过第四掩模板对所述第二鳍部上方的光刻胶进行曝光，所述第四掩模板遮挡住除所述第二鳍部上表面以外的其它区域；对所述第二鳍部上方被曝光的光刻胶进行清洗；在所述第二鳍部上方沉积所述锗硅层；对所述光刻胶进行清洗。3CN110289243A说明书1/5页半导体器件的制备方法技术领域[0001]本申请涉及半导体技术领域，具体涉及一种半导体器件的制备方法。背景技术[0002]鳍式场效晶体管(FinField-effecttransistor，Fin-FET)是一种互补