蚀刻混切玻璃基板的方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110316971A(43)申请公布日2019.10.11(21)申请号201910594360.1(22)申请日2019.07.03(71)申请人深圳市华星光电技术有限公司地址518132广东省深圳市光明新区塘明大道9-2号(72)发明人袁林晏英(74)专利代理机构深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙)44300代理人黄威(51)Int.Cl.C03C15/00(2006.01)权利要求书2页说明书5页附图3页(54)发明名称蚀刻混切玻璃基板的方法(57)摘要本发明公开了一种蚀刻混切玻璃基板的方法以改善膜层厚度的均一性，包括以下步骤：S1)获取玻璃基板中每一蚀刻区中的蚀刻量、残留膜厚量与对应的可控参数之间的关联数据；S2)根据关联数据对可控参数、检测区域的蚀刻量、残留膜厚量进行数据分析，得到膜层厚度均一性所述可控参数之间的关系函数；S3)设定残留膜厚量的阈值，并根据所述关系函数，重新优化可控参数；根据优化后的可控参数干蚀刻混切玻璃基板。CN110316971ACN110316971A权利要求书1/2页1.一种蚀刻混切玻璃基板的方法，其特征在于，包括以下步骤：S1)获取玻璃基板中每一蚀刻区中的蚀刻量、残留膜厚量与对应的可控参数之间的关联数据；S2)根据所述关联数据对所述可控参数、所述检测区域的蚀刻量、残留膜厚量进行数据分析，得到膜层厚度均一性所述可控参数之间的关系函数，其中，残留膜厚量波动区间越小，膜层厚度均一性越佳；S3)设定残留膜厚量的阈值，并根据所述关系函数，重新优化可控参数；根据优化后的可控参数干蚀刻混切玻璃基板。2.根据权利要求1所述的蚀刻混切玻璃基板的方法，其特征在于，在步骤S1)中包括以下步骤：S11)提供一实验混切玻璃基板，所述实验混切玻璃基板包括若干蚀刻区，每一蚀刻区具有若干检测区域，每一检测区域具有蚀刻前的膜层厚度；S12)设定干蚀刻工艺中至少两个以上可控参数，并在每一蚀刻区干蚀刻所述实验混切玻璃基板；S13)在所述实验混切玻璃基板进行干蚀刻工艺后，测定每一蚀刻区中检测区域的蚀刻后的膜层厚度以及测量每一蚀刻区中检测区域的蚀刻后的残留膜厚量；S14)根据蚀刻前的膜层厚度和蚀刻后的膜层厚度，计算每一蚀刻区中检测区域的蚀刻量；S15)将每一蚀刻区中检测区域的蚀刻量、残留膜厚量与对应的可控参数关联，得到关联数据；S16)重复步骤S11)至步骤S15)直至重复次数达到预设次数，得到多组关联数据。3.根据权利要求1所述的蚀刻混切玻璃基板的方法，其特征在于，所述可控参数包括电源功率、气体压力、气体浓度比例；所述电源功率包括Source电源功率、Bias电源功率；所述气体浓度比例为氯气与六氟化硫的浓度比例。4.根据权利要求3所述的蚀刻混切玻璃基板的方法，其特征在于，在每一蚀刻区中，所述检测区域至少具有五个，其中一个检测区域位于这一蚀刻区的中心位置，其余检测区域分布在这一蚀刻区的边角。5.根据权利要求4所述的蚀刻混切玻璃基板的方法，其特征在于，在所述蚀刻区中，中心位置的检测区域的膜层厚度小于边角的检测区域的膜层厚度。6.根据权利要求4所述的蚀刻混切玻璃基板的方法，其特征在于，在蚀刻前，所有实验混切玻璃基板的膜厚均一性均一致。7.根据权利要求6所述的蚀刻混切玻璃基板的方法，其特征在于，所述步骤S2)中包括以下步骤：S21)计算中心位置的检测区域的蚀刻量与边角的检测区域的蚀刻量的差值；S22)对所述差值进行望大分析，得到所述差值与所述气体压力、所述Source电源功率、所述Bias电源功率和所述气体浓度比例的望大分析结果；S23)对残留膜厚量波动区间进行望小分析，得到所述残留膜厚量与所述气体压力、所述Source电源功率、所述Bias电源功率和所述气体浓度比例的望小分析结果；2CN110316971A权利要求书2/2页S24)根据望大分析结果、望小分析结果，分析膜层厚度均一性与所述气体压力、所述Source电源功率、所述Bias电源功率和所述气体浓度比例的关系。8.根据权利要求1所述的蚀刻混切玻璃基板的方法，其特征在于，所述蚀刻区分为第一蚀刻区和第二蚀刻区，所述第一蚀刻区的尺寸小于所述第二蚀刻区的尺寸。9.根据权利要求8所述的蚀刻混切玻璃基板的方法，其特征在于，所述第一蚀刻区的检测区域的数量少于所述第一蚀刻区的检测区域的数量。10.根据权利要求1所述的蚀刻混切玻璃基板的方法，其特征在于，所述残留膜厚量的阈值为25％。3CN110316971A说明书1/5页蚀刻混切玻璃基板的方法技术领域[0001]本发明涉及显示器等领域，具体为一种蚀刻混切玻璃基板的方法，以改善膜厚的均一性。背景技术[0002]对于玻璃混切基板(MMG)而言，玻璃混切基板(MMG)能够通