一种晶圆缺陷标记装置及晶圆缺陷标记方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110416129A(43)申请公布日2019.11.05(21)申请号201910698776.8(22)申请日2019.07.31(71)申请人上海华力微电子有限公司地址201315上海市浦东新区良腾路6号(72)发明人陈肖宋箭叶(74)专利代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237代理人屈蘅(51)Int.Cl.H01L21/67(2006.01)H01L21/66(2006.01)H01L23/544(2006.01)权利要求书2页说明书9页附图3页(54)发明名称一种晶圆缺陷标记装置及晶圆缺陷标记方法(57)摘要本发明涉及一种晶圆缺陷标记装置和晶圆缺陷标记方法，用于对待测晶圆的缺陷位置进行标记，以便于后续对缺陷进行分析。本发明通过采用激光对待测晶圆进行刻蚀而产生标记，具有标记简单，可永久保留的优点。CN110416129ACN110416129A权利要求书1/2页1.一种晶圆缺陷标记装置，其特征在于，包括：主腔室，具有扫描标记区；扫描标记系统，与所述扫描标记区对应设置并包括扫描电子显微镜组件和激光标记组件；以及，第一样品台，可活动地设置于所述主腔室内并用于承载待测晶圆；其中：当所述第一样品台运动至所述扫描标记区时，所述扫描电子显微镜组件用于先对所述第一样品台上的待测晶圆进行扫描探测，以得到所述待测晶圆的缺陷位置，进而所述激光标记组件用于向所述待测晶圆的缺陷位置发射激光，以对所述待测晶圆的缺陷位置进行刻蚀而形成标记。2.根据权利要求1所述的晶圆缺陷标记装置，其特征在于，所述晶圆缺陷标记装置还包括：第一密闭腔，可活动地设置于所述主腔室内；第二密闭腔，可活动地设置于所述主腔室内；以及，第二样品台，可活动地设置于所述主腔室内并用于承载待测晶圆；其中：所述第一样品台设置于所述第一密闭腔，所述第一密闭腔用于带动所述第一样品台运动至所述扫描标记区，且当所述第一样品台运动至所述扫描标记区时，所述扫描标记系统用于透过所述第一密闭腔对所述第一样品台上的待测晶圆进行标记；所述第二密闭腔用于运动至所述扫描标记区，以使所述扫描标记系统在所述第二密闭腔室中实现清洁；所述第二样品台用于运动至所述扫描标记区，以使所述扫描电子显微镜组件对所述第二样品台上的待测晶圆进行扫描探测，以得到所述第二样品台上的待测晶圆的缺陷形貌。3.根据权利要求2所述的晶圆缺陷标记装置，其特征在于，所述晶圆缺陷标记装置还包括：光学显微镜组件，与所述扫描标记区对应设置；当所述第一样品台运动至所述扫描标记区时，所述扫描显微镜组件和所述光学显微镜组件共同对所述第一样品台上的待测晶圆进行扫描探测；和/或，当所述第二样品台运动至所述扫描标记区时，所述扫描电子显微镜组件和所述光学显微镜组件共同对所述第二样品台上的待测晶圆进行扫描探测。4.根据权利要求2所述的晶圆缺陷标记装置，其特征在于，所述晶圆缺陷标记装置还包括：第三密闭腔，可活动地设置于所述主腔室内；其中：所述第二样品台设置于所述第三密闭腔，所述第三密闭腔用于带动所述第二样品台运动至所述扫描标记区，且当所述第二样品台运动至所述扫描标记区时，所述扫描电子显微镜组件对所述第二样品台上的待测晶圆进行扫描探测。5.根据权利要求4所述的晶圆缺陷标记装置，其特征在于，所述第一密闭腔、所述第二密闭腔和所述第三密闭腔均可升降地设置于所述主腔室中。6.根据权利要求5所述的晶圆缺陷标记装置，其特征在于，所述晶圆缺陷标记装置还包括：平移台，设置于所述主腔室内并用于在所述主腔室内做水平运动，且所述第一密闭腔、2CN110416129A权利要求书2/2页第二密闭腔和第三密闭腔均可升降地设置于所述平移台上。7.根据权利要求6所述的晶圆缺陷标记装置，其特征在于，所述平移台为弧形板，所述第一密闭腔、所述第二密闭腔和所述第三密闭腔沿所述平移台的周向间隔布置；或，所述平移台为矩形板，所述第一密闭腔、所述第二密闭腔和所述第三密闭腔沿所述平移台的一侧边方向间隔设置。8.根据权利要求2所述的晶圆缺陷标记装置，其特征在于，所述晶圆缺陷标记装置还包括：抽真空系统，与所述第二密闭腔连接，以对所述第二密闭腔抽真空而对所述扫描标记系统进行清洁。9.根据权利要求2所述的晶圆缺陷标记装置，其特征在于，所述扫描标记系统设置于所述主腔室的顶壁上；所述第一密闭腔的顶部设置有可开闭的窗口；当所述第一密闭腔运动至所述扫描标记区时，所述窗口打开，且所述第一密闭腔与所述主腔室的顶壁共同构成一密闭空间，所述激光标记组件用于将激光入射至所述密闭空间内。10.根据权利要求1-9中任一项所述的晶圆缺陷标记装置，其特征在于，所述激光标记组件包括：激光器、光阑、反射镜和聚焦镜；所述激光器用于发射激光，且所述激光依次经所述光阑