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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110491757A(43)申请公布日2019.11.22(21)申请号201910742968.4(22)申请日2019.08.13(71)申请人上海华力集成电路制造有限公司地址201315上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区康桥东路298号1幢1060室(72)发明人张钱江旻董海平(74)专利代理机构上海浦一知识产权代理有限公司31211代理人焦天雷(51)Int.Cl.H01J37/32(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图1页(54)发明名称刻蚀设备腔体清洁方法及其清洁系统(57)摘要本发明公开了一种用于金属硬质掩模刻蚀工艺的泛林腔体,清除半导体生产工艺中的刻蚀设备腔体内残留杂质的刻蚀设备腔体清洁方法,包括:采用沉积气体在刻蚀设备腔体内进行淀积,使刻蚀设备腔体内表面形成清洁薄膜,并使该清洁薄膜包裹黏附刻蚀设备腔体内表面上的待清洁杂质;采用清洁气体清除所述清洁薄膜。本发明还公开了一种用于清除半导体生产工艺中的刻蚀设备腔体内残留杂质的刻蚀设备腔体清洁系统。本发明的清洁方法和清洁系统能清除刻蚀设备腔体内残留杂质(聚合物或污染颗粒),能提高刻蚀设备腔体高清洁效率。CN110491757ACN110491757A权利要求书1/1页1.一种刻蚀设备腔体清洁方法,用于金属硬质掩模刻蚀工艺的泛林腔体腔体,其特征在于,包括以下步骤:S1,采用沉积气体在刻蚀设备腔体内进行淀积,使刻蚀设备腔体内表面形成清洁薄膜,并使该清洁薄膜包裹黏附刻蚀设备腔体内表面上的待清洁杂质;S2,采用清洁气体清除所述清洁薄膜。2.如权利要求1所述的刻蚀设备腔体清洁方法,其特征在于:所述沉积气体是SiCl4、C4F8、C4F6、C2F2、C2F4或BCl3之中至少一种。3.如权利要求2所述的刻蚀设备腔体清洁方法,其特征在于:所述清洁气体是CF4、O2、N2、NF3或SF6之中至少一种。4.如权利要求2所述的刻蚀设备腔体清洁方法,其特征在于:执行步骤S1时,沉积气体的淀积参数为:流量50sccm-500sccm,电感耦合能量500W-1500W,压力30mT-100mT。5.如权利要求3所述的刻蚀设备腔体清洁方法,其特征在于:执行步骤S2时,清洁气体的清洁参数为:流量100sccm-600sccm,电感耦合能量500W-2000W,压力10mT-100mT。6.权利要求1所述的刻蚀设备腔体清洁方法,其特征在于,还包括:S3,定时和或定量重新执行步骤S1和S1至少一次,所述定时是指刻蚀设备腔体工作预设时长,所述定量是指刻蚀设备腔体刻蚀预设数量的硅片。7.一种刻蚀设备腔体清洁系统,用于金属硬质掩模刻蚀工艺的泛林腔体腔体,其特征在于,包括:淀积模块,其内存淀积程式,根据淀积程式在刻蚀设备腔体内进行淀积,使刻蚀设备腔体内表面形成清洁薄膜,并使该清洁薄膜包裹黏附刻蚀设备腔体内表面上的待清洁杂质;清洁模块,其内存清洁程式,根据清洁程式清除所述清洁薄膜。8.如权利要求7所述的刻蚀设备腔体清洁系统,其特征在于:淀积程式的沉积气体是SiCl4、C4F8、C4F6、C2F2、C2F4或BCl3之中至少一种。9.如权利要求8所述的刻蚀设备腔体清洁系统,其特征在于:清洁程式的清洁气体是CF4、O2、N2、NF3或SF6之中至少一种。10.如权利要求7所述的刻蚀设备腔体清洁系统,其特征在于:淀积膜块沉积程式的淀积参数为:流量50sccm-500sccm,电感耦合能量(TCP)500W-1500W,压力30mT-100mT。11.如权利要求9所述的刻蚀设备腔体清洁系统,其特征在于:清洁模块清洁程式的清洁参数为:流量100sccm-600sccm,电感耦合能量(TCP)500W-2000W,压力10mT-100mT。12.如权利要求7所述的刻蚀设备腔体清洁系统,其特征在于:还包括:控制模块,其用于控制淀积模块和清洁模块启动执行腔体清洁,其适用于定时和或定量控制淀积模块和清洁模块启动执行腔体清洁至少一次,所述定时是指刻蚀设备腔体工作预设时长,所述定量是指刻蚀设备腔体刻蚀预设数量的硅片。2CN110491757A说明书1/4页刻蚀设备腔体清洁方法及其清洁系统技术领域[0001]本发明涉及半导体生产领域,特别是涉及一种用于金属硬质掩模刻蚀(MHMEtch)工艺的泛林(LAM)MetalM腔体,清除半导体生产工艺中的刻蚀设备腔体内残留杂质的刻蚀设备腔体清洁方法。本发明还涉及一种用于金属硬质掩模刻蚀(MHMEtch)工艺的泛林(LAM)MetalM腔体,清除半导体生产工艺中的刻蚀设备腔体内残留杂质的刻蚀设备腔体清洁系统。背景技术[0002]半导体器件生产工艺中经常会使用到化学和物理沉积或刻蚀形成相应的功能区。广义而言,