一种用于清洗太阳能单晶硅片的清洗工艺.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110575995A(43)申请公布日2019.12.17(21)申请号201910920073.5(22)申请日2019.09.26(71)申请人南通晶耀新能源有限公司地址226000江苏省南通市海安市海安镇黄海西路188号(72)发明人张大鹏(74)专利代理机构合肥律众知识产权代理有限公司34147代理人龙海丽(51)Int.Cl.B08B3/12(2006.01)B08B3/08(2006.01)B08B3/10(2006.01)B08B13/00(2006.01)权利要求书1页说明书6页(54)发明名称一种用于清洗太阳能单晶硅片的清洗工艺(57)摘要本发明公开了一种用于清洗太阳能单晶硅片的清洗工艺，包括以下步骤：一）超声波清洗：将线割机切割下来的单晶硅片浸泡在装有自来水的超声清洗机内进行超声波清洗，清洗时间为10～15min，水温为30～35℃；二）放水：将步骤一）中清洗后的自来水排出，经过过滤净化处理后进行储存；三）碱性清洗：往步骤一）中超声清洗机内添加APM溶液，单晶硅片在APM溶液中清洗5～10min，清洗温度为45～55℃。本发明同样选用APM溶液和HPM溶液利用湿式化学法对单晶硅片进行清洗，但本发明一方面增加清洗液设计，使其在APM溶液之后使用，可以对单晶硅片的表面有机物进行清理，同时可以对APM溶液清理后残留的微粒再次进行清理，从而提高清洗效果。CN110575995ACN110575995A权利要求书1/1页1.一种用于清洗太阳能单晶硅片的清洗工艺，其特征在于，包括以下步骤：超声波清洗：将线割机切割下来的单晶硅片浸泡在装有自来水的超声清洗机内进行超声波清洗，清洗时间为10～15min，水温为30～35℃；放水：将步骤一）中清洗后的自来水排出，经过过滤净化处理后进行储存；碱性清洗：往步骤一）中超声清洗机内添加APM溶液，单晶硅片在APM溶液中清洗5～10min，清洗温度为45～55℃；排液和冲洗：将步骤三）清洗后的废液排出，并将步骤2）储存的自来水加加入到超声清洗机内进行冲洗，冲洗完成后再加入纯水对其再次进行冲洗操作；清洗液清洗：将清洗液加入步骤四）中的超声清洗机内，单晶硅片在清洗液中清洗20～30min，清洗温度为60～75℃；等离子水一次冲洗：将步骤五）中清洗后的单晶硅片冲超声波清洗内取出并放入进清洗槽内，利用等离子水对清洗槽内的单晶硅片进行循环冲洗，冲洗时间为10～15min；酸性清洗：往步骤六）中的单晶硅片取出放入进兆声波清洗机中，并加入HPM溶液进行清洗，清洗时间为8～15min，清洗温度为80～120℃；等离子水二次冲洗：往步骤七）中加入等离子水对单晶硅片进行循环冲洗，冲洗时间为5～10min；烘干：将步骤八）冲洗后的单晶硅片从兆声波清洗机中取出并烘干，可以得到清洗后的单晶硅片。2.根据权利要求1所述的一种用于清洗太阳能单晶硅片的清洗工艺，其特征在于，所述步骤三）中APM溶液包括如下质量百分比的各组分：NH4OH溶液0.05%～0.4%；H2O2溶液1.2%～3.0%；纯水96.6%～98.75%。3.根据权利要求1所述的一种用于清洗太阳能单晶硅片的清洗工艺，其特征在于，所述步骤五）中清洗液由包括如下质量百分比的各组分：KOH溶液0.6～1.2%；异构醇聚氧乙烯醚1.1%～2.1%；丙酮1.5%～2.4%；纯水94.3%～96.8%。4.根据权利要求1所述的一种用于清洗太阳能单晶硅片的清洗工艺，其特征在于，所述超声清洗机的超声波频率为40KHz，所述兆声波清洗机的高频为850KHz。5.根据权利要求1所述的一种用于清洗太阳能单晶硅片的清洗工艺，其特征在于，所述步骤七）中HPM溶液包括如下质量百分比的各组分：HCL溶液0.15%～0.3%；H2O2溶液1.8%～2.6%；纯水97.1%～98.05%。2CN110575995A说明书1/6页一种用于清洗太阳能单晶硅片的清洗工艺技术领域[0001]本发明涉及单晶硅制备技术领域，具体为一种用于清洗太阳能单晶硅片的清洗工艺。背景技术[0002]单晶硅太阳能电池转换效率最高，技术也最为成熟，在大规模应用和工业生产中仍占据主导地位。其中，硅片表面的洁净度及表面态对高质量的光伏器件至关重要。硅片经过线切割加工，钢线的磨损、碳化硅的磨削以及切割液的残留，都不可避免的造成了硅片表面的脏污。硅片清洗的目的就在于清除晶片表面的颗粒、金属和有机物等脏污，如果硅片的清洗效果达不到要求，无论其他工序工艺条件多么优越，都无法最终制造出高品质的光伏电池器件。[0003]目前的单晶硅片的清洗方法主要有湿式化学清洗、机械式清洗和干式化学清洗等清洗方法，其中湿式化学清洗是目前应用最广泛的清洗方法，需要根据硅