用于单晶硅片的旋转式双面清洗装置及清洗方法.pdf
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用于单晶硅片的旋转式双面清洗装置及清洗方法.pdf
本发明公开一种用于单晶硅片的旋转式双面清洗装置及清洗方法,启动第一电机带动转动盘转动,喷头对单晶硅片的内侧面进行清洗;当夹块和齿轮转至矩形齿条处时,齿轮和矩形齿条啮合,齿轮自转半圈,单晶硅片内外两侧面反转,喷头对单晶硅片反转过来的外侧面进行清洗;在底座上表面边缘处一周有间隔地固定设置多个固定板,每个固定板在面对夹块的一侧设有能转动的清洁器,清洁器内侧面是清洁面且与每个单晶硅片外侧面相接触,对旋转的单晶硅片的外侧面进行清洁;能够往复地对单晶硅片的两面均进行清洗,结构简单,既节省人力又节省物力。
一种用于清洗太阳能单晶硅片的清洗工艺.pdf
本发明公开了一种用于清洗太阳能单晶硅片的清洗工艺,包括以下步骤:一)超声波清洗:将线割机切割下来的单晶硅片浸泡在装有自来水的超声清洗机内进行超声波清洗,清洗时间为10~15min,水温为30~35℃;二)放水:将步骤一)中清洗后的自来水排出,经过过滤净化处理后进行储存;三)碱性清洗:往步骤一)中超声清洗机内添加APM溶液,单晶硅片在APM溶液中清洗5~10min,清洗温度为45~55℃。本发明同样选用APM溶液和HPM溶液利用湿式化学法对单晶硅片进行清洗,但本发明一方面增加清洗液设计,使其在APM溶液之后
一种硅片清洗方法和清洗装置.pdf
本发明提供一种硅片清洗方法和清洗装置,硅片清洗方法包括以下步骤:在利用药液对硅片进行蚀刻后,将所述硅片浸入盛有超纯水的浸水槽内清洗;取出浸水槽中的硅片后,将硅片依次置于第N冲洗槽、第N‑1冲洗槽、…、第1冲洗槽进行清洗,在第1冲洗槽中清洗结束后,取出硅片并结束清洗;向第1冲洗槽供应清洗液并使其处于溢流状态,第1冲洗槽溢流出的清洗液供应至第2冲洗槽中,以此类推,第N‑1冲洗槽溢流出的清洗液供应至第N冲洗槽;N为大于1的整数。通过上述方法,能够有效清洗硅片表面的药液,降低硅片表面的药液或杂质的残留量,提高清洗
硅片清洗装置及降低硅片清洗装置中过滤器累积污染的方法.pdf
本发明提供一种硅片清洗装置及降低硅片清洗装置中过滤器累积污染的方法,定期打开排液阀,排空过滤器中残留的积液,之后关闭排液阀;然后向药液清洗槽体内放入柠檬酸液体,通过循环泵流经硅片清洗装置各装置和管路,通过柠檬酸的螯合作用与Al(OH)4
清洗硅片的周缘的装置、方法及清洗硅片的设备.pdf
本发明实施例公开了一种清洗硅片的周缘的装置、方法及清洗硅片的设备,所述装置包括:硅片支承机构,所述硅片支承机构用于将所述硅片水平地支承;第一清洗液喷嘴,所述第一清洗液喷嘴用于喷射清洗液的射束并且使所述射束入射至被支承的所述硅片的周缘,其中,所述射束的下边缘在入射点处与所述硅片的底面齐平并且所述射束的竖向高度为所述硅片的厚度的1.25至1.75倍,所述射束从所述硅片的下方入射并且与所述硅片之间的夹角为5°,所述射束在所述硅片所在平面中的投影与所述硅片的经过所述入射点的切线之间的夹角为40°至50°,所述射束