一种单晶硅片清洗方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111613519A(43)申请公布日2020.09.01(21)申请号202010195912.4(22)申请日2020.03.19(71)申请人江苏高照新能源发展有限公司地址212200江苏省镇江市扬中市经济开发区港隆路968号(72)发明人魏泽武王艺澄王友(74)专利代理机构南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)32256代理人艾中兰任立(51)Int.Cl.H01L21/02(2006.01)H01L31/18(2006.01)权利要求书1页说明书3页附图1页(54)发明名称一种单晶硅片清洗方法(57)摘要本发明公开一种单晶硅片清洗方法，采用碱液混合液和双氧水等进行清洗，通过预清洗起到对硅片表面较大杂质残留的基本去除；通过多次碱洗，采用超声波+清洗剂的方式对硅片表面的颗粒杂质、金属离子、硅粉残留进行去除，再通过一次漂洗初步去除清洗剂残留，减少其对后面双氧水的影响；然后利用双氧水去除硅片表面有机物的残留；最后通过多次溢流漂洗去除前面药洗、双氧水、碱、以及硅粉的残留。本发明清洗方法通过对清洗液温度和浓度进行控制，能有效减少单晶脏污产生率，同时不影响后道工序。CN111613519ACN111613519A权利要求书1/1页1.一种单晶硅片清洗方法，其特征在于包括如下步骤：步骤(一)：溢流预清洗，溢流速度＞200L/Hour；步骤(二)：碱洗，使用碱洗混合溶液，利用多个超声波碱洗槽顺次对硅片进行清洗，碱洗槽数量≥3，温度要求50℃～60℃；步骤(三)：一次溢流漂洗，溢流速度＞200L/Hour，温度要求40～50℃；步骤(四)：双氧水浸泡，使用双氧水混合溶液对硅片进行浸泡，温度要求45～55℃；步骤(五)：二次溢流漂洗，利用多个漂洗槽顺次对硅片进行漂洗，漂洗槽数量≥3，溢流速度＞200L/Hour，温度要求45～60℃；步骤(六)：慢拉升温，对水进行升温，使浸没的硅片达到75～95℃的温度；步骤(七)：烘干，对硅片进行烘干处理，温度在80～100℃；步骤(八)：室温自然冷却。2.如权利要求1所述的单晶硅片清洗方法，其特征在于所述碱洗混合溶液由提纯级KOH固体碱、表面活性剂、纯水配置而成，KOH浓度3％～5％。3.如权利要求1所述的单晶硅片清洗方法，其特征在于所述双氧水混合溶液由浓度为7％～10％的双氧水加纯水280～300L配置而成。4.如权利要求1所述的单晶硅片清洗方法，其特征在于步骤(六)中，硅片30min内升到目标温度。2CN111613519A说明书1/3页一种单晶硅片清洗方法技术领域[0001]本发明属于光伏生产技术领域，涉及单晶硅片清洗方法。背景技术[0002]单晶硅片产能飞速发展，迅速挤压原多晶占比产能，已适应目前的各品种多元化发展。单晶要求更高，工艺更复杂，同时单晶电池片的制绒要求对前道清洗工艺的要求更加严苛，因此原多晶硅片清洗工艺已不能适应单晶硅片清洗。发明内容[0003]为了克服现有清洗工艺无法应用于单晶硅片清洗的缺陷，本发明对原多晶硅片清洗工艺进行改进，提供一种单晶硅片清洗方法。[0004]本发明具体采用如下技术方案：[0005]一种单晶硅片清洗方法，其特征在于包括如下步骤：[0006]步骤(一)：溢流预清洗，溢流速度＞200L/Hour；[0007]步骤(二)：碱洗，使用碱洗混合溶液，利用多个超声波碱洗槽顺次对硅片进行清洗，碱洗槽数量≥3，温度要求50℃～60℃；[0008]步骤(三)：一次溢流漂洗，溢流速度＞200L/Hour，温度要求40～50℃；[0009]步骤(四)：双氧水浸泡，使用双氧水混合溶液对硅片进行浸泡，温度要求45～55℃；[0010]步骤(五)：二次溢流漂洗，利用多个漂洗槽顺次对硅片进行漂洗，漂洗槽数量≥3，溢流速度＞200L/Hour，温度要求45～60℃；[0011]步骤(六)：慢拉升温，对水进行升温，使浸没的硅片达到75～95℃的温度；[0012]步骤(七)：烘干，对硅片进行烘干处理，温度在80～100℃。[0013]步骤(八)：室温自然冷却。[0014]优选地，所述碱洗混合溶液由固体碱、表面活性剂、纯水配置而成，KOH浓度3％～5％。[0015]优选地，所述双氧水混合溶液由浓度为7％～10％的双氧水加纯水280～300L配置而成。[0016]本发明单晶硅片清洗方法采用碱液混合液和双氧水等进行清洗，通过预清洗起到对硅片表面较大杂质残留的基本去除；通过多次碱洗，采用超声波+清洗剂的方式对硅片表面的颗粒杂质、金属离子、硅粉残留进行去除，再通过一次漂洗初步去除清洗剂残留，减少其对后面双氧水的影响；然后利用双氧水去除硅片表面有机物的残留；最后通过多次溢流漂洗去除前面药洗、双氧水、碱、以及硅粉的残留。清洗