一种硅片清洗设备及清洗工艺.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN107639070A(43)申请公布日2018.01.30(21)申请号201710735930.5B08B3/10(2006.01)(22)申请日2017.08.24B08B3/12(2006.01)B08B13/00(2006.01)(71)申请人天津市环欧半导体材料技术有限公司地址300384天津市西青区华苑产业园区（环外）海泰东路12号(72)发明人古元甲刘晓伟刘涛刘琦李伟刘沛然孙昊孙毅石海涛秦焱泽杨旭洲田志民李方乐(74)专利代理机构天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙)12213代理人栾志超(51)Int.Cl.B08B3/08(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图2页(54)发明名称一种硅片清洗设备及清洗工艺(57)摘要本发明提供一种硅片清洗设备及清洗工艺，依次包括预清洗部，将硅片上的污染物软化、分离、溶解；药液清洗部：去除硅片表面的油污；第一漂洗部：去除硅片表面残留的药液；化学液清洗部：去除有机物；第二漂洗部：去除硅片表面的化学液；慢提拉部：使硅片表面水分均匀；以及利用清洗设备的清洗工艺。本发明的有益效果是实现脏片率降低0.2％，制绒沾污不良降低0.8％，单片水耗降低166％，产量输出提高7.5％的效益，提高硅片表面洁净度，提高了清洗能力，解决了由于清洗能力不足造成的后道制绒沾污问题；节约成本，节能环保，具有生产效率高、清洗产品质量高、节能环保。CN107639070ACN107639070A权利要求书1/1页1.一种硅片清洗设备，其特征在于：依次包括，预清洗部：将硅片上的污染物软化、分离、溶解；药液清洗部：去除硅片表面的油污；第一漂洗部：去除硅片表面残留的药液；化学液清洗部：去除有机物；第二漂洗部：去除硅片表面的化学液；慢提拉部：使硅片表面水分均匀。2.根据权利要求1所述的硅片清洗设备，其特征在于：所述预清洗部依次包括储液器0和储液器1，所述药液清洗部依次包括储液器2、储液器3和储液器4，所述第一漂洗部包括储液器5，所述化学液清洗部包括储液器6，所述第二漂洗部依次包括储液器7、储液器8、储液器9和储液器10，所述慢提拉部包括储液器11。3.根据权利要求2所述的硅片清洗设备，其特征在于：所述储液器8、储液器9和储液器10的外沿均设置坡度，且所述储液器8的最高外沿低于所述储液器9的最低外沿，所述储液器9的最高外沿低于所述储液器10的最高外沿。4.根据权利要求2或3所述的硅片清洗设备，其特征在于：所述储液器8与所述储液器0之间设置第一周转水箱和第一循环泵，用于将储液器8内的液体泵入所述储液器0内。5.根据权利要求2所述的硅片清洗设备，其特征在于：所述储液器11与所述储液器10之间设置第二周转水箱和第二循环泵，用于将储液器11内的液体泵入所述储液器10内。6.根据权利要求2所述的硅片清洗设备，其特征在于：所述储液器内均包括注水口、出水口、加热管、液位传感器和PLC控制器，所述注水口和所述出水口设置在所述容器底部，所述PLC控制器控制所述加热管，所述液位传感器设置在所述容器内壁。7.一种清洗硅片清洗工艺，其特征在于：依次包括如下步骤：预清洗：硅片依次在储液器0和储液器1内清洗，将硅片上的污染物软化、分离、溶解；药液清洗：将预清洗后的硅片依次在储液器2和储液器3和储液器4内清洗，去除硅片表面的油污；第一次漂洗：将药液清洗后的硅片浸泡在储液器5内，去除硅片表面残留的药液；化学液清洗：将第一次漂洗后的硅片浸泡在储液器6内，去除有机物；第二次漂洗：将化学液清洗后的硅片依次浸泡在储液器7、储液器8、储液器9和储液器10内去除硅片表面的化学液；慢提拉：将第二次漂洗后的硅片浸泡在储液器11内，通过机械手移除液面，使硅片表面水分均匀。8.根据权利要求7所述的一种清洗硅片清洗工艺，其特征在于：所述化学液清洗采用浓度为10％-20％的氢氧化钾溶液和15％-16％的双氧水溶液的混合液，所述氢氧化钾溶液与所述双氧水溶液的体积比为1:2。9.根据权利要求7或8所述的一种清洗硅片清洗工艺，其特征在于：所述化学液清洗的温度为40±2℃，清洗时间为240s。10.根据权利要求7所述的一种清洗硅片清洗工艺，其特征在于：所述预清洗，所述第一次漂洗和所述第二次漂洗均采用纯水清洗，清洗温度为40±2℃，清洗时间为240s。2CN107639070A说明书1/4页一种硅片清洗设备及清洗工艺技术领域[0001]本发明属于太阳能材料生产技术领域，尤其是涉及一种硅片清洗设备及清洗工艺。背景技术[0002]随着光伏行业的快速发展，市场竞争日益激烈。提高产品品质、降低生产成本是企业提高竞争力的主要途径之一。在硅片生产的过程中，清洗设备及清洗工艺是必不可少的也是至关重要的一个环节，现