一种阵列基板及其制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110620079A(43)申请公布日2019.12.27(21)申请号201910901103.8(22)申请日2019.09.23(71)申请人武汉华星光电技术有限公司地址430079湖北省武汉市东湖开发区高新大道666号生物城C5栋(72)发明人许勇宋德伟(74)专利代理机构深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙)44300代理人汪阮磊(51)Int.Cl.H01L21/77(2017.01)H01L27/12(2006.01)权利要求书2页说明书6页附图8页(54)发明名称一种阵列基板及其制备方法(57)摘要本申请提供一种阵列基板及其制备方法，本申请的阵列基板上形成有钝化层、金属层以及光刻胶，采用半色调掩膜工艺进行光刻制程，在形成钝化层过孔后，仅保留待制备的顶电极膜层需要被去除部分相应位置的光刻胶，形成光刻胶图块；接着蚀刻金属层以形成位于光刻胶图块下方的金属图块，其中光刻胶图块与金属图块的组合形成底切结构；在制备顶电极膜层时，顶电极膜层需要被去除掉的部分形成于光刻胶图块表面，需要保留的部分无需使用光罩便可直接形成于钝化层上从而形成预设图案的顶电极层，之后剥离光刻胶图块以及金属图块，与此同时顶电极膜层需要被去除掉的部分与光刻胶图块一同被剥离。CN110620079ACN110620079A权利要求书1/2页1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：步骤S10，提供一基板，在所述基板上依次形成钝化层、金属层以及光刻胶，采用半色调掩膜工艺进行光刻制程，形成钝化层过孔，保留待制备的顶电极膜层需要被去除部分相应位置的所述光刻胶，去除其余位置的所述光刻胶，形成光刻胶图块；步骤S20，对所述金属层进行图案化，蚀刻后形成位于所述光刻胶图块下方的金属图块，所述光刻胶图块与所述金属图块的组合形成底切结构，所述金属图块在所述基板上的正投影位于所述光刻胶图块在所述基板上的正投影的范围内；步骤S30，在所述光刻胶图块以及所述钝化层上制备所述顶电极膜层，所述顶电极膜层需要去除掉的部分形成于所述光刻胶图块表面，所述顶电极膜层需要保留的部分形成于所述钝化层上，以在所述钝化层上形成预设图案的顶电极层，其中，所述顶电极膜层位于所述光刻胶图块表面的部分与其余部分呈断开状态；步骤S40，将所述光刻胶图块以及位于所述光刻胶图块表面的所述顶电极膜层的相应部分一同剥离；步骤S50，将所述钝化层表面的所述金属图块蚀刻掉。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述步骤S10之前，所述方法还包括以下步骤：步骤S101，在所述基板上依次形成多晶硅图案、栅绝缘层、栅极以及层间绝缘层，在所述层间绝缘层上制备底电极膜层，并在所述底电极膜层上制备所述光刻胶；步骤S102，采用半色调掩膜工艺进行光刻制程，完全去除待形成源漏极过孔位置的所述光刻胶，完全保留待形成底电极层相应位置的所述光刻胶，其余位置的所述光刻胶部分保留；步骤S103，依次去除待形成所述源漏极过孔相应位置的所述底电极膜层、所述层间绝缘层以及所述栅极绝缘层，形成所述源漏极过孔；步骤S104，保留待形成所述底电极层相应位置的所述光刻胶，其余位置的所述光刻胶完全去除，对所述底电极膜层进行蚀刻，形成所述底电极层，并去除所述光刻胶。3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，在所述步骤S104之后，所述方法还包括以下步骤：步骤S105，在所述底电极层上制备源漏极金属层，对所述源漏极金属层进行图案化后形成与所述多晶硅图案的离子掺杂区电连接的源漏极，以及形成与所述源漏极和所述底电极层绝缘的信号线。4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述顶电极层通过所述钝化层过孔与所述信号线电连接。5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述步骤S20中，采用湿法蚀刻工艺对所述金属层进行蚀刻，未被所述光刻胶图块遮挡的所述金属层以及对应所述光刻胶图块边缘位置下方的所述金属层被蚀刻掉，以形成所述金属图块。6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述金属图块的截面宽度小于所述光刻胶图块的截面宽度。7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述步骤S30中，形成于所述钝化层以及所述光刻胶图块上的所述顶电极膜层与所述金属图块之间存在空隙，所述顶电极膜层2CN110620079A权利要求书2/2页不与所述金属图块接触。8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述光刻胶图块在所述基板上的正投影与所述钝化层过孔在所述基板上的正投影的范围不重叠。9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述金属层包括由从铝、铂、钯、银、镁、金、镍、钕、铱、铬、锂、钙、钼、钛、钨和铜中选择的至少一种金属形成的单层或多层。10.一种采用如权利