一种阵列基板及其制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112542470A(43)申请公布日2021.03.23(21)申请号202011408407.X(22)申请日2020.12.04(71)申请人TCL华星光电技术有限公司地址518132广东省深圳市光明新区塘明大道9-2号(72)发明人翟玉浩(74)专利代理机构深圳紫藤知识产权代理有限公司44570代理人裴磊磊(51)Int.Cl.H01L27/12(2006.01)H01L21/77(2017.01)权利要求书2页说明书7页附图4页(54)发明名称一种阵列基板及其制备方法(57)摘要本申请提供一种阵列基板及其制备方法，所述阵列基板包括基板；开关薄膜晶体管，阵列的设置于所述基板上；感光薄膜晶体管，设置于所述基板上；所述开关薄膜晶体管与所述感光薄膜晶体管同层且间隔设置；其中，所述开关薄膜晶体管包括位于所述基板上的第一半导体层和遮光层；所述感光薄膜晶体管包括位于基板上的第二半导体层。本申请通过采用同一道光罩制程制备所述遮光层、所述第一半导体层以及所述第二半导体层，减少了阵列基板的制作流程，降低使用现有技术的生产成本以及提高产能效益；同时，保留所述第一半导体层上方的遮光层，在保证了所述开关薄膜晶体管特性的同时，避免了光照对所述开关薄膜晶体管特性的影响。CN112542470ACN112542470A权利要求书1/2页1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S10：在基板上形成第一金属层，对所述第一金属层图案化处理，形成间隔设置的第一电极和第二电极；步骤S20：在所述基板、所述第一电极以及第二电极上形成绝缘层、半导体层以及遮光层；步骤S30：利用掩膜板对所述遮光层和所述半导体层进行图案化处理，形成位于所述第一电极上方的第一半导体层和第一遮光层，及位于所述第二电极上方的第二半导体层；步骤S40：在所述第一遮光层、所述绝缘层以及所述第二半导体层上形成第二金属层，对所述第二金属层图案化处理，形成位于所述第一遮光层两个相对的边缘区域的第三电极和第四电极，及位于所述第二半导体层两个相对的边缘区域的第五电极和第六电极。2.如权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述步骤30包括以下步骤：步骤S31：在所述遮光层上制备一光刻胶；步骤S32：采用掩膜板对所述光刻胶进行曝光、随后对所述光刻胶进行显影，形成位于所述第一电极上方第一光阻层，及位于所述第二电极上方的第二光阻层，所述第一光阻层的厚度大于所述第二光阻层的厚度；步骤S33：刻蚀未被所述第一光阻层和所述第二光阻层覆盖的所述遮光层和所述半导体层，形成位于所述第一电极上方的第一半导体层和第一遮光层，及位于所述第二电极上方的第二半导体层和第二遮光层；步骤S34：对所述第一光阻层和所述第二光阻层进行灰化处理，使所述第二光阻层全部剥离，及所述第一光阻层减薄形成第一子光阻层；步骤S35：采用刻蚀工艺刻蚀所述第二遮光层；步骤S36：剥离所述第一子光阻层。3.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，步骤S32中，采用具有不同穿透率的掩膜板对所述光刻胶进行光罩制程；所述掩膜板包括第一穿透率区域、第二穿透率区域以及第三穿透率区域；其中，所述第一穿透率区域对应所述第一电极且所述第一穿透率区域不透光；所述二穿透率区域对应所述第二电极且所述第二穿透率区域的透过率为50％；所述第三穿透率区域对应剩余区域且所述第三穿透率区域的透过率为100％。4.如权利要求2所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，步骤S33中包括以下步骤：步骤S331：采用干法刻蚀工艺刻蚀未被所述第一光阻层和所述第二光阻层覆盖的所述遮光层；步骤S332：采用湿法刻蚀工艺刻蚀未被所述第一光阻层和所述第二光阻层覆盖的所述半导体层。5.如权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，步骤S40中包括以下步骤：步骤S41：在所述第一遮光层、所述绝缘层以及所述第二半导体层上沉积第二金属层；步骤S42：通过一掩膜板对所述第二金属层进行图案化处理，形成位于所述第一遮光层两个相对的边缘区域的第三电极和第四电极，及位于所述第二半导体层两个相对的边缘区域的第五电极和第六电极。6.一种阵列基板，其特征在于，包括：2CN112542470A权利要求书2/2页基板；开关薄膜晶体管，阵列的设置于所述基板上，所述开关薄膜晶体管包括层叠设置的第一电极和第一半导体层；感光薄膜晶体管，设置于所述基板上，所述感光薄膜晶体管包括层叠设置的第二电极和第二半导体层；其中，所述开关薄膜晶体管与所述感光薄膜晶体管间隔设置，所述开关薄膜晶体管还包括位于所述第一半导体层上方的遮光层。7.如权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括层叠设置的第一金属层、绝缘层、半导体层、第二金属层以及钝化层；