阵列基板及其制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112002714A(43)申请公布日2020.11.27(21)申请号202010959968.2(22)申请日2020.09.14(71)申请人武汉华星光电技术有限公司地址430079湖北省武汉市东湖开发区高新大道666号生物城C5栋(72)发明人吴咏波(74)专利代理机构深圳紫藤知识产权代理有限公司44570代理人刘泳麟(51)Int.Cl.H01L27/12(2006.01)H01L21/77(2017.01)G02F1/1333(2006.01)G02F1/1343(2006.01)权利要求书2页说明书6页附图6页(54)发明名称阵列基板及其制备方法(57)摘要本发明提供一种阵列基板及其制备方法，该阵列基板包括同层设置的第一电极和第二电极、位于第一电极和第二电极的上方的第一介质层、位于第一介质层的上方的第一金属层、位于第一金属层上方的第二介质层以及位于第二介质层上方的第二金属层，其中，第二介质层延伸至第二电极表面，并设置有通孔，第二金属层通过通孔与第二电极电性连接，通孔未与第一介质层接触，第二电极上方无第一介质层，可彻底解决第一金属层在第一介质层的通孔内残留问题，可降低阵列基板制作时的困难，确保第一金属层不会与第二金属层发生电性连接的现象，避免第一金属层与第二金属层发生异常短路的风险，从而提高阵列基板的显示品质。CN112002714ACN112002714A权利要求书1/2页1.一种阵列基板，其特征在于，至少包括：衬底；同层设置的第一电极和第二电极，位于所述衬底的上方；第一介质层，位于所述第一电极和所述第二电极的上方，所述第一介质层对应所述第一电极的位置设置有过孔；第一金属层，位于所述第一介质层的上方，所述第一金属层通过所述过孔与所述第一电极电性连接；第二介质层，位于所述第一金属层的上方，所述第二介质层延伸至所述第二电极表面，并设置有通孔，所述通孔未与所述第一介质层接触；第二金属层，位于所述第二介质层的上方，所述第二金属层通过所述通孔与所述第二电极电性连接。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一电极为触控信号线，所述第二电极为漏极，所述第一介质层为平坦化层，所述第一金属层为公共电极层，所述第二介质层为钝化层，所述第二金属层为像素电极层，所述平坦化层对应所述触控信号线位置上设置所述过孔，所述公共电极层通过所述过孔与所述触控信号线电性连接，所述钝化层对应所述所述漏极上设置所述通孔，所述像素电极层通过所述通孔与所述漏极电性连接。3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述公共电极层与所述像素电极层均为透明ITO电极。4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述公共电极层沿横纵和纵向划分成多个触控单元，每个触控单元单独与所述触控信号线电性连接，所述触控信号线与触控芯片电性连接。5.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述通孔表面形成有第一凹槽，所述像素电极沉积所述第一凹槽表面，所述像素电极远离所述漏极一侧形成有第二凹槽。6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电极层包括第一倾斜部、水平部以及第二倾斜部，所述第二倾斜部和所述第一倾斜部分别位于所述通孔的两侧上，所述水平部贴合于所述漏极表面且电性连接。7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述第二倾斜部和所述第一倾斜部与所述公共电极层绝缘设置。8.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述平坦化层包括丙烯酸基树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺基树脂、聚酰亚胺基树脂、不饱和聚酯树脂、聚丙烯酸酯、聚碳酸脂类、聚酰亚胺、聚苯乙烯类中一种或一种以上的组合材料；所述钝化层为二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅中一种或一种以上的组合材料。9.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述衬底与所述触控信号线与所述漏极之间还依次设置有栅极金属层、缓冲层、有源层以及层间绝缘层。10.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括；步骤S10，提供一衬底，在所述衬底上制备第一电极和第二电极，在所述第一电极和所述第二电极上制备第一绝缘层，所述第一绝缘层对应所述第一电极的位置设置过孔，在所述第一绝缘层制备第一金属层，所述第一金属层通过所述过孔与所述第一电极电性连接；步骤S20，在所述第一金属层对应所述第二电极上方设置第一通孔，在所述第一金属层2CN112002714A权利要求书2/2页上制备第二绝缘层，所述第二绝缘层对应所述第一通孔的位置设置第二通孔，在所述第二绝缘层上制备第二金属层，所述第二金属层通过所述第二通孔与所述第二电极电性连接。3CN112002714A说明书1/6页阵列基板及其制备方法技术领域[0001]本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法。背景技术