闪存器件的制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110634876A(43)申请公布日2019.12.31(21)申请号201910938087.X(22)申请日2019.09.30(71)申请人上海华力集成电路制造有限公司地址201315上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区康桥东路298号1幢1060室(72)发明人刘涛巨晓华黄冠群邵华(74)专利代理机构上海浦一知识产权代理有限公司31211代理人戴广志(51)Int.Cl.H01L27/11524(2017.01)H01L27/1157(2017.01)权利要求书2页说明书4页附图3页(54)发明名称闪存器件的制造方法(57)摘要本申请公开了一种闪存器件的制造方法，包括：提供一衬底，该衬底包括有源区，有源区上形成有栅极，该栅极包括控制栅；对栅极和衬底进行氮化处理，以改变控制栅的侧表面活性；在控制栅之间填充有机介质层。本申请通过在闪存器件的制造过程中，在衬底上形成栅极之后，对衬底和栅极进行氮化处理处理,在控制栅之间的间隙填充有机介质层，由于控制栅经过氮化处理处理后改变了其侧表面的活性，因此能够在一定程度上降低由于填充有机介质层所带来的气泡残留所造成的控制栅的形变，提高了闪存器件的良率。CN110634876ACN110634876A权利要求书1/2页1.一种闪存器件的制造方法，其特征在于，包括：提供一衬底，所述衬底包括有源区，所述有源区上形成有栅极，所述栅极包括控制栅；对所述栅极和所述衬底进行氮化处理，以改变所述控制栅的侧表面活性；在所述栅极和所述衬底的表面填充有机介质层，使所述有机介质层填充在所述控制栅之间。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氮化处理的处理温度为600摄氏度至1000摄氏度。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述氮化处理的时间为30秒至1分钟。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在对所述栅极和所述衬底进行所述氮化处理时，通入的氮气的流量大于60标准毫升/分钟。5.根据权利要求1至4任一所述的方法，其特征在于，所述对所述栅极和所述衬底进行氮化处理之前，还包括：在所述衬底上生成多层膜结构；通过光刻工艺覆盖所述多层膜结构表面所述栅极所在区域；对所述多层膜结构除所述栅极所在区域的其它区域进行刻蚀，形成所述栅极。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述多层膜结构沿所述衬底至所述栅极的方向依次包括氧化层、第一多晶硅层、介电层、第二多晶硅层、间隔层以及硬掩模层；所述第二多晶硅层在通过所述刻蚀之后形成所述控制栅。7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述氧化层包括第一氧化硅层，所述间隔层包括氮化硅层，所述介电层包括ONO介电层。8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述硬掩模层包括第二氧化硅层。9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述有机介电层的高度高于所述栅极的高度。10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述在所述栅极和所述衬底的表面填充有机介质层之后，还包括：对所述有机介质层进行第一次去除，使所述第二氧化硅层暴露在外，不暴露所述ONO介电层；对所述栅极顶部的第二氧化硅层进行第二次去除；对所述衬底和所述栅极表面的所述有机介质层进行第三次去除。11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述对所述有机介质层进行第一次去除，包括：通过干法刻蚀工艺对所述有机介质层进行所述第一次去除。12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述干法刻蚀工艺的反应气体包括氧气。13.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述对所述衬底和所述栅极表面的所述有机介质层进行第三次去除，包括：通过湿法刻蚀工艺对所述衬底和所述栅极表面的所述有机介质层进行所述第三次去除。14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述湿法刻蚀工艺的反应溶液包括氟化2CN110634876A权利要求书2/2页氢。15.根据权利要求1至4任一所述的方法，其特征在于，所述有源区包括存储单元区域和外围电路区域。3CN110634876A说明书1/4页闪存器件的制造方法技术领域[0001]本申请涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种闪存器件的制造方法。背景技术[0002]快闪存储器(Nand-flash，以下简称“闪存”)是一种采用非易失性存储(Non-volatileMemory，NVM)技术的存储器，目前被广泛应用于智能手机、平板电脑、数码相机、通用串行总线闪存盘(UniversalSerialBusFlashDisk，USB闪存盘，简称“U盘”)等具有存储功能的电子产品中。闪存的主要特点在于：容量相对较大，改写速度快，适用于大量数据的存储，断电后仍能保存数据，因此其得到了越来越广泛的应用。[0003]闪存器件的栅极包括控制栅(Con