闪存器件的制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113725221A(43)申请公布日2021.11.30(21)申请号202111006983.6(22)申请日2021.08.30(71)申请人上海华虹宏力半导体制造有限公司地址201203上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号(72)发明人梁肖贾雪梅刘昌宇郭国超(74)专利代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237代理人周耀君(51)Int.Cl.H01L27/11524(2017.01)H01L27/11529(2017.01)H01L21/28(2006.01)权利要求书1页说明书5页附图6页(54)发明名称闪存器件的制造方法(57)摘要本发明提供了一种闪存器件的制造方法，包括：提供一衬底，衬底包括存储单元区及逻辑单元区，存储单元区及逻辑单元区的衬底上形成有浮栅层，在存储单元区的浮栅层上形成有闪存单元结构；形成侧墙层及第一氧化层；执行灰化工艺去除聚合物，形成第二氧化层，第一氧化层及第二氧化层的厚度和为76埃～80埃，工艺气体包括氧气、氢气及氮气；蚀刻逻辑单元区的浮栅层以暴露衬底。利用灰化工艺中额外通入的氢气和氮气形成第二氧化层并与第一氧化层的厚度和为76埃～80埃，利用该厚度的第一氧化层及第二氧化层可在蚀刻浮栅层时既留有一定的缓冲余量不至于产生凹坑缺陷又不至于产生残留缺陷，从而提高蚀刻浮栅层的均匀性。CN113725221ACN113725221A权利要求书1/1页1.一种闪存器件的制造方法，其特征在于，包括：提供一衬底，所述衬底包括存储单元区及逻辑单元区，所述存储单元区及所述逻辑单元区的衬底上形成有浮栅层，在所述存储单元区的浮栅层上形成有闪存单元结构；形成侧墙层及第一氧化层，所述侧墙层覆盖所述闪存单元结构的侧表面，所述第一氧化层覆盖所述逻辑单元区的浮栅层，所述存储单元区及所述逻辑单元区上积聚有聚合物；执行灰化工艺去除所述聚合物，并于所述浮栅层的表面形成第二氧化层，所述第一氧化层及所述第二氧化层的厚度和为76埃～80埃，所述灰化工艺的工艺气体包括氧气、氢气及氮气；以及，以所述闪存结构单元为掩模，蚀刻所述第一氧化层、所述第二氧化层及所述浮栅层以暴露所述衬底，所述闪存单元结构下方的浮栅层为所述闪存器件的浮栅。2.根据权利要求1所述的闪存器件的制造方法，其特征在于，执行灰化工艺去除所述聚合物，并形成所述第二氧化层的方法包括：执行第一灰化工艺以去除部分所述聚合物，并形成部分所述第二氧化层，所述第一灰化工艺的工艺气体包括氧气；以及，执行第二灰化工艺以去除剩余所述聚合物，并形成剩余部分的所述第二氧化层，所述第二灰化工艺的工艺气体包括氧气、氮气及氢气。3.根据权利要求2所述的闪存器件的制造方法，其特征在于，执行所述第一灰化工艺及所述第二灰化工艺的时间比例为1：2～2：1。4.根据权利要求3所述的闪存器件的制造方法，其特征在于，执行所述第一灰化工艺及所述第二灰化工艺的时间和为40秒～50秒。5.根据权利要求2至4中任一项所述的闪存器件的制造方法，其特征在于，所述第一灰化工艺及所述第二灰化工艺中的工艺温度为100℃～200℃。6.根据权利要求2至4中任一项所述的闪存器件的制造方法，其特征在于，所述第一灰化工艺及所述第二灰化工艺中的氧气的流量为2000sccm～4000sccm。7.根据权利要求2至4中任一项所述的闪存器件的制造方法，其特征在于，所述第二灰化工艺中的氧气的流量为2000sccm～4000sccm，所述第二灰化工艺中氢气和氮气的流量和为100sccm～200sccm。8.根据权利要求1所述的闪存器件的制造方法，其特征在于，形成所述侧墙层及所述第一氧化层的方法包括：依次形成缓冲层及侧墙材料层，所述缓冲层覆盖所述闪存单元结构的外壁以及所述逻辑单元区的浮栅层上，所述侧墙材料层覆盖所述缓冲层；蚀刻所述侧墙材料层，以去除位于所述逻辑单元区的浮栅层上及所述闪存单元结构的顶壁上的侧墙材料层以及部分所述缓冲层，以剩余的位于所述闪存单元结构的侧壁上的侧墙材料层及缓冲层为所述侧墙层，以所述逻辑单元区的浮栅层上剩余的缓冲层为所述第一氧化层。9.根据权利要求8所述的闪存器件的制造方法，其特征在于，所述侧墙材料层的材质为氮化硅。10.根据权利要求8所述的闪存器件的制造方法，其特征在于，执行所述灰化工艺后湿法清洗所述衬底。2CN113725221A说明书1/5页闪存器件的制造方法技术领域[0001]本发明涉及集成电路技术领域，特别涉及一种闪存器件的制造方法。背景技术[0002]闪存元件由于具有可多次进行数据的存入、读取、擦除等动作，且存入的数据在断电后也不会消失的优点，所以已成为个人计算机和电子设备所广泛采用的一种挥发性存储器元件。[0003]如图1a