闪存器件的制造方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115084148A(43)申请公布日2022.09.20(21)申请号202210761846.1(22)申请日2022.06.29(71)申请人上海华虹宏力半导体制造有限公司地址201203上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区祖冲之路1399号(72)发明人张连宝梁海林王卉曹子贵(74)专利代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237专利代理师周耀君(51)Int.Cl.H01L27/11521(2017.01)H01L21/336(2006.01)权利要求书1页说明书6页附图4页(54)发明名称闪存器件的制造方法(57)摘要本发明提供了一种闪存器件的制造方法，在衬底上形成栅极结构，栅极结构两侧形成有隧穿氧化层及字线，隧穿氧化层覆盖衬底，字线覆盖栅极结构的侧壁及隧穿氧化层的部分顶面；减薄隧穿氧化层的暴露部分；形成第一侧墙，以覆盖字线的部分侧壁及隧穿氧化层的部分顶面，并在字线未被第一侧墙覆盖的表面处形成凹陷；形成具有开口的自对准硅化物阻挡层，以至少暴露栅极结构、字线及第一侧墙。本发明通过减薄隧穿氧化层的厚度，以减少或避免隧穿氧化层在后续刻蚀工艺中受到损伤，通过控制自对准硅化物阻挡层的刻蚀工艺时间减少或避免凹陷内残留氧化物，确保后续形成良好的金属硅化物层，减小闪存器件的接触电阻，提高闪存器件的性能及稳定性。CN115084148ACN115084148A权利要求书1/1页1.一种闪存器件的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上形成有栅极结构，所述栅极结构两侧形成有隧穿氧化层及字线，所述隧穿氧化层覆盖所述衬底，所述字线覆盖所述栅极结构的侧壁以及所述隧穿氧化层的部分顶面；对所述隧穿氧化层暴露出来的部分进行减薄；形成第一侧墙，所述第一侧墙覆盖所述字线的部分侧壁以及所述隧穿氧化层的部分顶面，并在所述字线未被第一侧墙覆盖的表面处形成凹陷；以及，形成自对准硅化物阻挡层，并通过刻蚀工艺在所述自对准硅化物阻挡层中形成开口，所述开口至少暴露所述栅极结构、所述字线及所述第一侧墙。2.如权利要求1所述的闪存器件的制造方法，其特征在于，减薄后的隧穿氧化层的厚度为减薄前的隧穿氧化层的厚度的40％～70％。3.如权利要求1所述的闪存器件的制造方法，其特征在于，采用湿法刻蚀工艺在所述自对准硅化物阻挡层中形成所述开口，所述湿法刻蚀工艺的刻蚀时间为280sec～350sec。4.如权利要求3所述的闪存器件的制造方法，其特征在于，所述自对准硅化物阻挡层填满所述凹陷，且采用湿法刻蚀工艺在所述自对准硅化物阻挡层中形成所述开口时去除所述凹陷中的所述自对准硅化物阻挡层。5.如权利要求3所述的闪存器件的制造方法，其特征在于，所述自对准硅化物阻挡层和所述隧穿氧化层的材料相同。6.如权利要求1所述的闪存器件的制造方法，其特征在于，形成所述第一侧墙以及凹陷的过程包括：形成第一侧墙材料层，所述第一侧墙材料层至少覆盖所述字线的表面及所述隧穿氧化层的部分顶面；以及，采用干法刻蚀工艺刻蚀所述第一侧墙材料层，仅保留所述字线的部分侧壁上的第一侧墙材料层以形成所述第一侧墙，同时使所述字线的表面形成所述凹陷。7.如权利要求1所述的闪存器件的制造方法，其特征在于，在形成所述开口之后，还包括：形成金属硅化物层，所述金属硅化物层覆盖所述栅极结构、所述字线及所述第一侧墙。8.如权利要求7所述的闪存器件的制造方法，其特征在于，所述金属硅化物层的材料包括硅化钴。9.如权利要求1所述的闪存器件的制造方法，其特征在于，所述栅极结构包括形成于所述衬底上的擦除栅以及形成于所述擦除栅两侧的浮栅。10.如权利要求1所述的闪存器件的制造方法，其特征在于，所述闪存器件的制造方法用于制造分栅式闪存器件。2CN115084148A说明书1/6页闪存器件的制造方法技术领域[0001]本发明涉及集成电路制造技术领域，尤其涉及一种闪存器件的制造方法。背景技术[0002]闪存器件作为一种非易失性存储器，具有便捷、存储密度高、可靠性强等特点，应用广泛。现有的闪存器件的结构通常包括分栅结构、叠栅结构或其组合，其中，分栅式闪存器件具有编程效率高的特点。[0003]图1为一种分栅式闪存器件的结构示意图。参阅图1，在字线10的侧壁上形成侧墙20的过程中，通常需要先沉积侧墙材料层(图中未示出)，再通过干法刻蚀工艺形成侧墙20。然而，字线10在所述干法刻蚀工艺中也受到轻微刻蚀，导致字线10的表面出现了凹陷区域11(DimpleArea)，在后续的制造工艺中，凹陷区域11内会产生氧化物残留，导致字线10表面的金属硅化物层(例如硅化钴)质量不佳，从而影响所述闪存器件的接触电阻的稳定性。[0004]鉴于此，本发明提供一种方法减少或避免因金属硅化物层形成不良导致的闪