用于TiN硬掩模去除和蚀刻残留物清洁的组合物.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110777381A(43)申请公布日2020.02.11(21)申请号201910682235.6(22)申请日2019.07.26(30)优先权数据62/703,6032018.07.26US16/516,4052019.07.19US(71)申请人弗萨姆材料美国有限责任公司地址美国亚利桑那州(72)发明人陈昭翔李翊嘉刘文达张仲逸(74)专利代理机构北京市金杜律师事务所11256代理人吴亦华徐志明(51)Int.Cl.C23F1/44(2006.01)C23F1/02(2006.01)权利要求书4页说明书24页附图2页(54)发明名称用于TiN硬掩模去除和蚀刻残留物清洁的组合物(57)摘要本发明公开了用于从电子电路器件(例如高级图案晶片)除去TiN硬掩模的组合物、方法和系统。所述清洁组合物优选包含蚀刻剂(也称为基质)、氧化剂、氧化稳定剂(也称为螯合剂)、铵盐、腐蚀抑制剂和溶剂。可以提供其他任选的添加剂。清洁组合物的pH优选大于5.5。清洁组合物优选不含二甲基亚砜和四甲基氢氧化铵。CN110777381ACN110777381A权利要求书1/4页1.一种用于从其上具有氮化钛和光致抗蚀剂蚀刻残留物材料中的至少一种的微电子器件的表面选择性地除去该氮化钛和光致抗蚀剂蚀刻残留物材料中的至少一种的组合物，所述组合物包含：氧化剂；溶剂；蚀刻剂；铵盐；金属腐蚀抑制剂；和任选的氟化物源，其中所述组合物的pH范围为5.5至14。2.根据权利要求1所述的组合物，其中所述金属腐蚀抑制剂选自1,2,4-三唑(TAZ)、苯并三唑(BZT)、甲基-1H-苯并三唑、甲苯基三唑(TTL)、2-氨基苯并噻唑、苯并咪唑、2-巯基-5-甲基苯并咪唑、8-羟基喹啉、1-硫代甘油、抗坏血酸、吡唑、山梨糖醇、麦芽糖醇、甘露醇、茶碱、咖啡因、聚乙二醇、聚(丙二醇)、PEG400、TritonX-100、Surfynol-485、尿酸、癸酸、11-巯基十一烷酸(MUDA)、十六烷基三甲基对甲苯磺酸铵(CTAT)、己胺、3,4-二氨基甲苯、对茴香胺、4-甲基邻苯二胺、4-硝基苯胺、4-羧基邻苯二胺、8-氨基喹啉、5-氨基-2-苯并咪唑啉酮、N,N-二甲基对苯二胺及其组合。3.根据权利要求1或2所述的组合物，其中所述金属腐蚀抑制剂选自山梨糖醇、麦芽糖醇、甘露醇、茶碱、甲苯基三唑(TTL)、11-巯基十一烷酸(MUDA)、聚(丙二醇)、PEG400、TritonX-100、3,4-二氨基甲苯、对茴香胺、4-甲基邻苯二胺、4-硝基苯胺、4-羧基邻苯二胺、8-氨基喹啉、5-氨基-2-苯并咪唑啉酮及其组合。4.根据权利要求1-3中任一项所述的组合物，其中所述金属腐蚀抑制剂选自茶碱、山梨糖醇、麦芽糖醇、甲苯基三唑(TTL)、3,4-二氨基甲苯、11-巯基十一烷酸(MUDA)、对茴香胺、4-甲基邻苯二胺、4-硝基苯胺、4-羧基邻苯二胺、8-氨基喹啉、5-氨基-2-苯并咪唑啉酮及其组合。5.根据权利要求1-4中任一项所述的组合物，其中所述蚀刻剂选自四乙基氢氧化铵(TEAH)、三甲基苯基氢氧化铵(TMPAH)、四甲基氢氧化铵(TMAH)、四丙基氢氧化铵(TPAH)、四丁基氢氧化铵(TBAH)、氢氧化胆碱、氢氧化铵、苄基三乙基氢氧化铵(BTEAH)、四丁基氢氧化鏻(TBPH)、(2-羟乙基)三甲基氢氧化铵、(2-羟乙基)三乙基氢氧化铵、(2-羟乙基)三丙基氢氧化铵、(1-羟丙基)三甲基氢氧化铵、乙基三甲基氢氧化铵、二乙基二甲基氢氧化铵(DEDMAH)、二甲基二丙基氢氧化铵、二亚乙基三胺、单乙醇胺、1,8-二氮杂双环(5.4.0)十一碳-7-烯、三乙醇胺、1-氨基-2-丙醇、3-吗啉代丙胺、1-(2-氨基乙基)哌嗪、N-(2-羟乙基)乙二胺、2-(甲基氨基)乙醇及其组合。6.根据权利要求1-5中任一项所述的组合物，其中所述蚀刻剂选自四乙基氢氧化铵(TEAH)、氢氧化胆碱、四甲基氢氧化铵(TMAH)、三甲基苯基氢氧化铵(TMPAH)、四丁基氢氧化铵(TBAH)、乙基三甲基氢氧化铵、氢氧化铵、1,8-二氮杂双环(5.4.0)十一碳-7-烯、1-(2-氨基乙基)哌嗪及其组合。7.根据权利要求1-6中任一项所述的组合物，其还包含氧化稳定剂。8.根据权利要求7所述的组合物，其中所述氧化稳定剂选自甘氨酸、丝氨酸、脯氨酸、亮2CN110777381A权利要求书2/4页氨酸、丙氨酸、天冬酰胺、天冬氨酸、谷氨酰胺、谷氨酸、缬氨酸、赖氨酸和胱氨酸、次氮基三乙酸(NTA)、亚氨基二乙酸(IDA)、乙二胺四乙酸(EDTA)、(1,2-环己二胺)四乙酸(CDTA)、尿酸、四乙二醇二甲醚、二亚乙基三胺五乙酸(DTPA)、丙二胺-N,N,N',N'