用于去除蚀刻残留物的组合物及其使用方法和用途.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114450388A(43)申请公布日2022.05.06(21)申请号202080067656.9(74)专利代理机构北京市金杜律师事务所(22)申请日2020.09.2411256专利代理师吴亦华徐志明(30)优先权数据62/906,8102019.09.27US(51)Int.Cl.C11D11/00(2006.01)(85)PCT国际申请进入国家阶段日C11D7/26(2006.01)2022.03.25C11D7/32(2006.01)(86)PCT国际申请的申请数据C11D7/34(2006.01)PCT/US2020/0524062020.09.24C11D7/60(2006.01)(87)PCT国际申请的公布数据C23F11/12(2006.01)WO2021/061922EN2021.04.01G03F7/42(2006.01)H01L21/02(2006.01)(71)申请人弗萨姆材料美国有限责任公司地址美国亚利桑那州(72)发明人孙来生王莉莉吴爱萍李翊嘉陈天牛权利要求书4页说明书19页附图1页(54)发明名称用于去除蚀刻残留物的组合物及其使用方法和用途(57)摘要一种用于微电子器件或半导体衬底的方法和清洁组合物，其包括至少一种烷醇胺；至少一种羟胺或羟胺衍生物或其混合物；至少一种具有至少两个羧酸基团的多官能有机酸和水。该清洁组合物可进一步包括至少一种腐蚀抑制剂。CN114450388ACN114450388A权利要求书1/4页1.一种用于清洁微电子器件或半导体衬底的组合物，其包含：(i)至少一种烷醇胺；(ii)至少一种羟胺或羟胺衍生物或其混合物；(iii)至少一种具有至少两个羧酸基团的多官能有机酸；和(iv)水。2.一种用于清洁微电子器件或半导体衬底的组合物，其基本上由以下组成：(i)至少一种烷醇胺；(ii)至少一种羟胺或羟胺衍生物或其混合物；(iii)至少一种具有至少两个羧酸基团的多官能有机酸；和(iv)水。3.一种用于清洁微电子器件或半导体衬底的组合物，其由以下组成：(i)至少一种烷醇胺；(ii)至少一种羟胺或羟胺衍生物或其混合物；(iii)至少一种具有至少两个羧酸基团的多官能有机酸；和(iv)水。4.根据权利要求1‑3中任一项所述的组合物，其中所述至少一种烷醇胺包含至少两种烷醇胺。5.根据权利要求1‑3中任一项所述的组合物，其中所述至少一种烷醇胺包含至少三种烷醇胺。6.根据权利要求1‑3中任一项所述的组合物，其中所述至少一种烷醇胺由两种烷醇胺组成。7.根据权利要求1‑3中任一项所述的组合物，其中所述至少一种烷醇胺由三种烷醇胺组成。8.根据权利要求1‑3中任一项所述的组合物，其中所述至少一种烷醇胺具有以下结构：其中R1、R2和R3各自独立地选自：(a)氢，(b1)C1‑C20直链烷基，(b2)C4‑C20支链烷基，(b3)C3‑C20环烷基；(c)未取代的C2‑C20烷基醚基团；(d)C1‑C20烷醇基团，(e)被‑OH基团取代的C2‑C20烷基醚基团；和其中R1、R2和R3中的至少一个必须是(d)或(e)。9.根据权利要求8所述的组合物，其中至少一种烷醇胺包含(c)或(e)。10.根据权利要求1‑3中任一项所述的组合物，其中所述至少一种烷醇胺选自单乙醇胺2CN114450388A权利要求书2/4页(MEA)、氨基乙氧基乙醇、甲醇胺、N‑甲基乙醇胺、N‑乙基乙醇胺、N,N‑二甲基乙醇胺、N,N‑二乙基乙醇胺、N‑甲基二乙醇胺、N‑乙基二乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺(TEA)、叔丁基二乙醇胺、异丙醇胺、2‑氨基‑1‑丙醇、3‑氨基‑1‑丙醇、2‑氨基‑1‑丁醇、异丁醇胺、2‑氨基‑2‑乙氧基丙醇、2‑氨基‑2‑乙氧基乙醇，及其混合物。11.根据权利要求1‑3中任一项所述的组合物，其中所述至少一种烷醇胺选自氨基乙氧基乙醇、2‑氨基‑2‑乙氧基丙醇、2‑氨基‑2‑乙氧基乙醇，及其混合物。12.根据权利要求1‑3中任一项所述的组合物，其中所述至少一种烷醇胺包含单乙醇胺、异丙醇胺、2‑(2‑氨基乙氧基)乙醇。13.根据权利要求1‑3中任一项所述的组合物，其中所述至少一种烷醇胺基本上由单乙醇胺、异丙醇胺、2‑(2‑氨基乙氧基)乙醇组成。14.根据权利要求1‑3中任一项所述的组合物，其中所述至少一种烷醇胺由单乙醇胺、异丙醇胺、2‑(2‑氨基乙氧基)乙醇组成。15.根据权利要求1‑3中任一项所述的组合物，其中所述至少一种羟胺或羟胺衍生物或其混合物包含N‑异丙基羟胺、N‑甲基羟胺、二甲基羟胺、N‑乙基羟胺、二乙基羟胺、N‑丙基羟胺、二丙基羟胺和N‑叔丁基羟胺、N,O‑二甲基羟胺、O‑甲基羟胺、O‑乙基羟胺、O‑丙基羟胺、硫酸羟胺、硝酸羟胺、盐酸羟胺、盐酸N‑叔