一种用于选择性移除氮化钛硬掩模和/或蚀刻残留物的组合物.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110095952A(43)申请公布日2019.08.06(21)申请号201810082642.9(22)申请日2018.01.29(71)申请人张家港奥擎电子化学有限责任公司地址215634江苏省苏州市张家港保税区新兴产业育成中心A栋210B室(72)发明人曹立志王新龙支肖琼杨玉川周友(74)专利代理机构北京市中咨律师事务所11247代理人肖威刘金辉(51)Int.Cl.G03F7/42(2006.01)权利要求书1页说明书5页(54)发明名称一种用于选择性移除氮化钛硬掩模和/或蚀刻残留物的组合物(57)摘要本发明公开了一种用于选择性移除氮化钛硬掩模和/或蚀刻残留物的组合物，其包含氧化剂、多胺化合物、铵盐和腐蚀抑制剂。本发明组合物可有效移除氮化钛硬掩模和/或蚀刻残留物，而不对半导体晶片结构上暴露的金属铜和介电材料(即低k材料)产生明显腐蚀。此外，本发明的移除组合物可在比较大的温度范围内发挥作用，具有较大的操作窗口。CN110095952ACN110095952A权利要求书1/1页1.一种移除组合物，其包含氧化剂、多胺化合物、铵盐和腐蚀抑制剂。2.如权利要求1所述的移除组合物，其中所述氧化剂选自如下组：过氧化氢、过硫酸铵、过氧苯甲酸、高碘酸、高氯酸、过乙酸及其组合；优选地，所述氧化剂为过氧化氢。3.如权利要求1或2所述的移除组合物，其中所述多胺化合物选自如下组：乙二胺、1,3-二氨基丙烷、六亚甲基二胺、腐胺、尸胺、亚精胺、精胺、二亚乙基三胺、三亚乙基四胺、四甲基乙二胺、五甲基二亚乙基三胺及其组合；优选地，所述多胺化合物为五甲基二亚乙基三胺或二亚乙基三胺。4.如权利要求1-3中任一项所述的移除组合物，所述铵盐选自柠檬酸铵、乙酸铵、丙二酸铵、乙二酸铵、乳酸铵、亚氨基二乙酸铵、氯化铵、溴化铵、硫酸铵、磷酸铵及其组合；优选地，所述铵盐为柠檬酸铵、乙酸铵、乙二酸铵或磷酸铵。5.如权利要求1-4中任一项所述的移除组合物，所述腐蚀抑制剂选自：苯并三唑(BTA)、1,2,4-三唑(TAZ)、甲苯基三唑、5-甲基苯并三唑、5-苯基苯并三唑、5-硝基苯并三唑、苯并三唑羧酸、1-氨基-1,2,4-三唑、羟基苯并三唑、2-(5-氨基戊基)-苯并三唑、1-氨基-1,2,3-三唑、1-氨基-5-甲基-1,2,3-三唑、3-氨基-1,2,4-三唑、苯并咪唑、吡唑及其组合；优选地，所述腐蚀抑制剂为苯并三唑、1,2,4-三唑或5-甲基苯并三唑。6.如权利要求1-5中任一项所述的移除组合物，其中所述组合物进一步包含溶剂。7.如权利要求6所述的溶剂，其中所述溶剂为水，其可任选包含有机溶剂。8.如权利要求1-7中任一项所述的移除组合物，其中所述氧化剂含量为0.1-50重量％，优选为0.5-40重量％，更优选为0.5-30重量％，最优选为0.5-15重量％，例如为1-10％；所述多胺化合物的含量为0.0001-50重量％，优选为0.001-40重量％，更优选为0.05-30重量％，更优选为0.1-30重量％，更优选为1-30重量％，最优选为5-20重量％；所述铵盐含量为0.0001-50重量％，优选为0.001-30重量％，更优选为0.05-20重量％，更优选为0.1-15重量％，更优选为1-15重量％，最优选为2-10重量％；所述腐蚀抑制剂含量为0.0001-10重量％，优选为0.001-10重量％，更优选为0.05-5重量％，更优选为0.01-5重量％，最优选为0.1-2重量％，各自基于所述组合物的总重量。9.如权利要求1-8中任一项所述的移除组合物，其中所述明组合物的pH为8以上。10.如权利要求1-9中任一项所述的移除组合物用于选择性移除氮化钛硬掩模和/或蚀刻残留物的用途。11.一种选择性移除晶片上的氮化钛硬掩模和/或蚀刻残留物的方法，包括：(1)提供含有氮化钛硬掩模和/或蚀刻残留物的晶片，(2)使所述晶片与如权利要求1-9中任一项所述的移除组合物接触。2CN110095952A说明书1/5页一种用于选择性移除氮化钛硬掩模和/或蚀刻残留物的组合物发明领域[0001]本发明涉及一种用于在铜金属导体和低k介电材料暴露的情况下从晶片上选择性地移除氮化钛硬掩模和/或光致抗蚀剂蚀刻残留物的组合物及其用途，以及使用所述组合物来移除氮化钛硬掩模和/或蚀刻残留物的方法。背景技术[0002]在半导体工艺制程中，在后段(BEOL)IC制程(即双镶嵌制程)期间，在形成通道和沟槽时使用各种掩模来形成图案，以获得在干蚀刻步骤期间对低介电常数的介电材料的高选择性。光致抗蚀剂掩模通常用于半导体工业中以将诸如半导体或电介质的材料形成图案。光致抗蚀剂掩模用于双镶嵌工艺中以在微电子器件的后端金属化中形成互联。双镶嵌工