用于去除蚀刻后残留物的清洁组合物.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110023477A(43)申请公布日2019.07.16(21)申请号201780072992.0(74)专利代理机构北京律盟知识产权代理有限责任公司1(22)申请日2017.11.211287代理人李婷(30)优先权数据62/426,4432016.11.25US(51)Int.Cl.C11D7/32(2006.01)(85)PCT国际申请进入国家阶段日C11D3/00(2006.01)2019.05.24C11D7/36(2006.01)(86)PCT国际申请的申请数据C11D11/00(2006.01)PCT/US2017/0627612017.11.21G03F7/42(2006.01)(87)PCT国际申请的公布数据WO2018/098139EN2018.05.31(71)申请人恩特格里斯公司地址美国马萨诸塞州(72)发明人M·佩恩E·库珀金万涞E·洪S·金权利要求书2页说明书12页(54)发明名称用于去除蚀刻后残留物的清洁组合物(57)摘要本发明涉及一种清洁组合物，其有助于在生产半导体中去除蚀刻后残留物。提供一种储备组合物，其包含：氢氧化四烷基铵碱或季铵化三烷基烷醇胺碱；腐蚀抑制剂；和至少两种或超过两种多元酸或其盐的组合，其中至少一种所述多元酸或其盐含有磷。CN110023477ACN110023477A权利要求书1/2页1.一种储备组合物，其包含：氢氧化四烷基铵碱或季铵化三烷基烷醇胺碱；腐蚀抑制剂；和至少两种或超过两种多元酸或其盐的组合，其中至少一种所述多元酸或其盐含有磷。2.根据权利要求1所述的组合物，其中所述至少两种或超过两种多元酸或其盐的组合包含磷酸、膦酸或其盐。3.根据权利要求1或权利要求2所述的组合物，其中所述至少两种或超过两种多元酸或其盐的组合包含磷酸、二膦酸或其组合。4.根据任一前述权利要求所述的组合物，其中所述至少两种或超过两种多元酸或其盐的组合包含聚羧酸或其盐。5.根据权利要求4所述的组合物，其中所述聚羧酸或其盐包含草酸和烷基二胺四乙酸中的一或多者。6.根据任一前述权利要求所述的组合物，其包含氧化剂，所述氧化剂包含杂环胺N-氧化物。7.根据权利要求6所述的组合物，其中所述氢氧化四烷基铵碱或季铵化三烷基烷醇胺碱以及包含杂环胺N-氧化物的氧化剂一起组成所述组合物的10重量％与35重量％之间。8.根据权利要求6或权利要求7所述的组合物，其中所述杂环胺N-氧化物以5重量％至15重量％的量存在。9.根据权利要求6至8中任一权利要求所述的组合物，其中所述杂环胺N-氧化物包含4-乙基吗啉-N-氧化物、N-甲基哌啶-N-氧化物、3-甲基吡啶N-氧化物、NMMO或其组合。10.根据任一前述权利要求所述的组合物，其中所述组合物中的氢氧化四烷基铵碱或季铵化三烷基烷醇胺碱的量在5重量％与20重量％之间。11.根据任一前述权利要求所述的组合物，其中所述氢氧化四烷基铵碱具有式[NR1R2R3R4]OH，其中R1、R2、R3和R4彼此相同或不同且选自由H和C1-C6烷基组成的群组，且所+-述季铵化三烷基烷醇胺具有式[R1R2R3NR4OH][OH]，其中R1、R2、R3和R4各自为低碳烷基，例如甲基、乙基或丙基。12.根据任一前述权利要求所述的组合物，其中所述腐蚀抑制剂包含5-甲基苯并三唑、甲苯基三唑、苯并三唑、二甲基苯并三唑或其组合。13.根据任一前述权利要求所述的组合物，其中腐蚀抑制剂的量在0.1重量％至5重量％之间。14.根据任一前述权利要求所述的组合物，其包含有机溶剂。15.根据权利要求14所述的组合物，其中所述溶剂包含二醇醚，且所述组合物中的所述溶剂的量介于10重量％至30重量％范围内。16.根据任一前述权利要求所述的组合物，其包含余量的水。17.一种稀释组合物，其包含用在3份与12份之间的稀释氧化剂稀释的1重量份的根据任一前述权利要求所述的组合物。18.根据权利要求17所述的稀释组合物，其中所述稀释氧化剂包含30％过氧化氢。19.一种从微电子装置去除蚀刻后残留物和/或含钛硬掩模材料的方法，所述方法包含使根据任一前述权利要求所述的组合物与所述装置接触，所述装置任选地包含含钛硬掩模2CN110023477A权利要求书2/2页材料以及AlN、Cu和Co中的一或多者。20.一种根据权利要求1至18中任一权利要求所述的组合物的用途，其用于从微电子装置去除蚀刻后残留物和/或含钛硬掩模材料同时使AlN蚀刻减至最少的目的。3CN110023477A说明书1/12页用于去除蚀刻后残留物的清洁组合物技术领域[0001]本发明涉及用于从微电子装置去除蚀刻后残留物和/或含钛硬掩模材料的组合物以及其制备和使用方法。相对于微电子装置上的氮化铝和金属互连材料，所述