一种电子元器件的制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110798164A(43)申请公布日2020.02.14(21)申请号201911021576.5(22)申请日2019.10.25(71)申请人苏师大半导体材料与设备研究院（邳州）有限公司地址221300江苏省徐州市邳州市邳州经济开发区辽河西路88号(72)发明人闫一方(74)专利代理机构北京劲创知识产权代理事务所(普通合伙)11589代理人王志敏(51)Int.Cl.H03H3/02(2006.01)G01R23/02(2006.01)G01R27/02(2006.01)G01R27/26(2006.01)权利要求书2页说明书4页(54)发明名称一种电子元器件的制造方法(57)摘要本发明提供一种电子元器件的制造方法，涉及电子元器件技术领域。该电子元器件的制造方法，包括以下步骤：S1.将石英片使用清洗液进行清洗,然后使用真空电镀法在石英片蒸发上一定厚度的金属导电薄膜；S2.将振子固定安装在基座组件上；S3.将金属壳罩与基座组件焊接成一个密封整体，并在密封体内保留氮气；S4.对石英晶体元件进行密封性检查，剔除不良品；S5.测量石英晶体元件的谐振频率、谐振电阻、绝缘电阻、并电容与串并间隔。通过合理的制备方法，对晶振生产工艺进行了明显的优化，使得生产制造出的晶振良品率大大提高，同时也提高了晶振的生产效率，从而减少了企业的生产成本。CN110798164ACN110798164A权利要求书1/2页1.一种电子元器件的制造方法，其特征在于：包括以下步骤：S1.将石英片使用清洗液进行清洗,然后使用真空电镀法在石英片蒸发上一定厚度的金属导电薄膜；S2.将振子固定安装在基座组件上；S3.将金属壳罩与基座组件焊接成一个密封整体，并在密封体内保留氮气；S4.对石英晶体元件进行密封性检查，剔除不良品；S5.测量石英晶体元件的谐振频率、谐振电阻、绝缘电阻、并电容与串并间隔。2.根据权利要求1所述的一种电子元器件的制造方法，其特征在于：所述步骤1中将石英片使用清洗液进行清洗,然后使用真空电镀法在石英片蒸发上一定厚度的金属导电薄膜，具体如下：1)将石英片放入到镀膜设备中，除去镀膜设备中的银屑和灰尘，在钼舟里加上适量银丝；2)调节镀膜设备的真空度，当真空度达到6KPa时，调节镀膜设备的电流，使得设备开始蒸发，在石英片上镀第一面；3)石英片第一面镀好银后，将石英片翻转过来，待翻转完毕，调节镀膜设备的电流镀第二面。3.根据权利要求1所述的一种电子元器件的制造方法，其特征在于：所述步骤2中将振子固定安装在基座组件上，具体如下：1)用工具蘸少许导电胶，在振子与簧片卡孔接触部位外侧点上适量导电胶；2)把点好胶的谐振件连同插盘放入干燥装置，控制干燥装置中的温度在140-160℃，加热2小时以上，加热完毕之后冷却至室温取出。4.根据权利要求1所述的一种电子元器件的制造方法，其特征在于：所述步骤3中将金属壳罩与基座组件焊接成一个密封整体，并在密封体内保留氮气，具体如下：1)经待焊接件放入到真空干燥箱并关好门，接通真空干燥箱电源，进行抽真空，当真空度达到-0.1Mpa时，进行真空烘烤；2)设置真空干燥箱为100-120℃，加热时间为1小时，加热完毕之后，关掉电源，往箱体中充入氮气；3)待真空干燥箱的温度冷却到30-40℃后，将待焊接件取出并放入到真空室中，接通真空室电源，进行抽真空，当真空度达到-0.1Mpa时，往室内充入氮气，当氮气量达到预先设定值，对待焊接件进行焊接。5.根据权利要求1所述的一种电子元器件的制造方法，其特征在于：所述步骤4中对石英晶体元件进行密封性检查，剔除不良品，具体如下：1)将制备的石英晶体元件放入到高压装置中，并往该装置中注入适量的液体酒精，知道酒精液面漫过所有的石英晶体元件即可；2)压缩高压装置中的气体，10-20min之后关闭压缩装置，待高压装置中压力恢复到常压之后，取出石英晶体元件并进行干燥处理；3)用绝缘电阻测试仪对石英晶体元件进行测试，观察绝缘电阻测试仪的读数，判断石英晶体元件是否合格。6.根据权利要求1所述的一种电子元器件的制造方法，其特征在于：所述步骤5中测量2CN110798164A权利要求书2/2页石英晶体元件的谐振频率、谐振电阻、绝缘电阻、并电容与串并间隔，具体如下：1)将被测石英晶体元件放在基准温度下，调整好频率计阻抗计，在阻抗计上测试被测石英晶体元件的谐振频率与谐振电阻；2)用测量笔触碰被测石英晶体元件的外壳与引线间，测量石英晶体元件的绝缘电阻；3)用仪表笔测量被测石英晶体元件的并电容；4)在阻抗上分别测出被测石英晶体元件在多种负载电容情况下的频率，并计算出的频率差值，进行串并间隔的测试。3CN110798164A说明书1/4页一种电子元器件的