一种电子元器件电极的制作方法及电子元器件.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN106783554A(43)申请公布日2017.05.31(21)申请号201611145965.5(22)申请日2016.12.13(71)申请人深圳顺络电子股份有限公司地址518110广东省深圳市宝安区观光路观澜大富苑顺络工业园(72)发明人余瑞麟戴春雷王亚珂(74)专利代理机构深圳新创友知识产权代理有限公司44223代理人余敏(51)Int.Cl.H01L21/027(2006.01)H01L21/48(2006.01)H01L23/48(2006.01)C25D5/02(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图1页(54)发明名称一种电子元器件电极的制作方法及电子元器件(57)摘要本发明公开了一种电子元器件电极的制作方法及电子元器件，制作方法包括以下步骤：S1，在用于制作电子元器件的薄膜生带上沉积导电聚合物，形成一层厚度≤1μm的导电层；S2，在所述导电层上铺光阻剂；S3，对光阻剂进行曝光、显影，根据曝光时所使用的掩膜板中的电极图案去除所述导电层上的部分光阻剂，在所述导电层上保留的光阻剂之间形成电极沟槽；S4，电镀处理，在所述导电层上的所述电极沟槽中电镀沉积金属材料，形成电极；S5，去除光阻剂及光阻剂底部的导电聚合物，保留电极底部的导电聚合物，从而在薄膜生带上制得电极。本发明的制作方法可制得精细化的电极，且制得的电极的电导率较高。CN106783554ACN106783554A权利要求书1/1页1.一种电子元器件电极的制作方法，其特征在于：包括以下步骤：S1，在用于制作电子元器件的薄膜生带上沉积导电聚合物，形成一层厚度≤1μm的导电层；S2，在所述导电层上铺光阻剂；S3，对光阻剂进行曝光、显影，根据曝光时所使用的掩膜板中的电极图案去除所述导电层上的部分光阻剂，在所述导电层上保留的光阻剂之间形成电极沟槽；S4，电镀处理，在所述导电层上的所述电极沟槽中电镀沉积金属材料，形成电极；S5，去除光阻剂及光阻剂底部的导电聚合物，保留电极底部的导电聚合物，从而在薄膜生带上制得电极。2.根据权利要求1所述的电子元器件电极的制作方法，其特征在于：步骤S1中，所述薄膜生带包括PET膜和附着在所述PET膜上的生坯。3.根据权利要求1所述的电子元器件电极的制作方法，其特征在于：步骤S2中，所述光阻剂的厚度大于等于10μm。4.根据权利要求1所述的电子元器件电极的制作方法，其特征在于：步骤S2中，所述光阻剂为感光胶，通过旋涂法在所述导电层上均匀平铺感光胶；或者，所述光阻剂为感光干膜，通过压膜的方式在所述导电层上均匀平铺感光干膜。5.根据权利要求1所述的电子元器件电极的制作方法，其特征在于：步骤S3中，曝光时使用的掩膜板中的电极图案的线宽、线间距均≤10μm。6.根据权利要求1所述的电子元器件电极的制作方法，其特征在于：步骤S4中，所述金属材料为银或者铜。7.根据权利要求1所述的电子元器件电极的制作方法，其特征在于：步骤S5中，先采用脱膜液去除所述光阻剂，再采用溶剂将裸露出来的导电聚合物溶解去除并进行清洗。8.根据权利要求7所述的电子元器件电极的制作方法，其特征在于：所述脱膜液为强碱性溶液。9.根据权利要求1所述的电子元器件电极的制作方法，其特征在于：制得的电极的线宽、线间距均≤10μm，电极的厚度与线宽的比例大于等于1。10.一种电子元器件，包括电极，其特征在于：所述电极为根据权利要求1～9任一项所述的制作方法制得的。2CN106783554A说明书1/4页一种电子元器件电极的制作方法及电子元器件【技术领域】[0001]本发明涉及一种电子元器件电极的制作方法及电子元器件。【背景技术】[0002]随着电子元器件产品小型化的发展趋势以及高性能的发展要求，要求电极制作越来越精细，并且电导率要求越来越高。目前行业内有两种普遍的电极制作方式，一种为网版印刷工艺，一种为黄光工艺。印刷工艺受网版的限制以及印刷浆料印刷特性的限制，无法制作精细电极，目前可达到极限水平为线宽/线间距＝30μm/30μm。黄光工艺虽然可达到线宽/线间＝14μm/11μm的电极水平，但是由于受光刻银浆本身特性的影响，工艺本身无法继续制作更精细电极。另外，上述两种工艺中由银浆制得电极，银浆烧结后电阻率较高，无法满足元器件日益对于高电导率电极的需求。【发明内容】[0003]本发明所要解决的技术问题是：弥补上述现有技术的不足，提出一种电子元器件电极的制作方法及电子元器件，可制得精细化的电极，且制得的电极的电导率较高。[0004]本发明的技术问题通过以下的技术方案予以解决：[0005]一种电子元器件电极的制作方法，包括以下步骤：S1，在用于制作电子元器件的薄膜生带上沉积导电聚合物，形成一层厚度≤1μm的导电层；