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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110869851A(43)申请公布日2020.03.06(21)申请号201780092950.3(74)专利代理机构北京康信知识产权代理有限(22)申请日2017.12.20责任公司11240代理人赵曦(30)优先权数据2017-1374522017.07.13JP(51)Int.Cl.G03F7/11(2006.01)(85)PCT国际申请进入国家阶段日2020.01.06(86)PCT国际申请的申请数据PCT/JP2017/0458042017.12.20(87)PCT国际申请的公布数据WO2019/012716JA2019.01.17(71)申请人王子控股株式会社地址日本东京(72)发明人服部贵美子森田和代权利要求书1页说明书43页(54)发明名称形成下层膜的组合物、图案形成方法及形成图案的下层膜形成用共聚物(57)摘要本发明提供一种形成下层膜的组合物,该形成下层膜的组合物的材料对有机溶剂的溶解度较高,可通过在大气下且相对低温的加热处理而形成难以破裂的下层膜,在形成有下层膜的情况下对于有机溶剂的涂布膜残留率较高。本发明是一种形成下层膜的组合物及图案形成方法,该形成下层膜的组合物包含共聚物及有机溶剂,共聚物具有聚合部a及聚合部b,聚合部a具有糖衍生物部,糖衍生物部为五碳糖衍生物部及六碳糖衍生物部中的至少一者,聚合部b不具有糖衍生物部,该形成下层膜的组合物为用于图案形成的下层膜形成用。CN110869851ACN110869851A权利要求书1/1页1.一种形成下层膜的组合物,其为下层膜形成用,所述下层膜用于图案形成,所述形成下层膜的组合物包含共聚物及有机溶剂,所述共聚物具有聚合部a及聚合部b,所述聚合部a具有糖衍生物部,所述糖衍生物部为五碳糖衍生物部及六碳糖衍生物部中的至少一者,所述聚合部b不具有糖衍生物部。2.如权利要求1所述的形成下层膜的组合物,其中,所述糖衍生物部为纤维素衍生物部、半纤维素衍生物部或木寡糖衍生物部。3.如权利要求1或2所述的形成下层膜的组合物,其进而包含糖衍生物。4.如权利要求1至3中任一项所述的形成下层膜的组合物,其进而包含交联性化合物。5.如权利要求1至4中任一项所述的形成下层膜的组合物,其进而包含抗光反射剂。6.如权利要求1至5中任一项所述的形成下层膜的组合物,其中,在用于所述图案形成时,包括导入金属的步骤。7.一种图案形成方法,其包括如下步骤:使用权利要求1至6中任一项所述的形成下层膜的组合物而形成下层膜。8.如权利要求7所述的图案形成方法,其包括向所述下层膜导入金属的步骤。9.一种形成图案的下层膜形成用共聚物,其具有聚合部a及聚合部b,所述聚合部a具有糖衍生物部,所述糖衍生物部为五碳糖衍生物部及六碳糖衍生物部中的至少一者,所述聚合部b不具有糖衍生物部。2CN110869851A说明书1/43页形成下层膜的组合物、图案形成方法及形成图案的下层膜形成用共聚物技术领域[0001]本发明是关于一种形成下层膜的组合物、图案形成方法及形成图案的下层膜形成用共聚物。背景技术[0002]半导体等电子器件要求因微细化所带来的高积体化,对于半导体器件的图案,正研究微细化或形状的多样化。作为这种图案的形成方法,已知通过使用抗蚀剂的光刻工艺而进行的图案形成方法。通过使用抗蚀剂的光刻工艺而进行的图案形成方法是如下的加工法:在硅晶圆等半导体基板上形成抗蚀剂的薄膜,隔着描绘有半导体器件的图案的掩模图案照射紫外线等活性光线并进行显影,将由此获得的抗蚀剂图案作为保护膜而对基板进行蚀刻处理,由此在基板表面形成与上述图案对应的微细凹凸。[0003]为了形成微细的图案,提出有在基板上涂布形成下层膜的组合物而形成下层膜后,在下层膜上形成图案的方法。例如,在专利文献1中记载有形成抗蚀剂下层膜的组合物,其特征在于:含有[A]聚硅氧烷及[B]溶剂,且[B]溶剂包含(B1)叔醇。在专利文献2中记载有抗蚀剂下层膜形成方法,其包括:将形成抗蚀剂下层膜的组合物涂布于基板的涂布步骤、及将所获得的涂膜在氧浓度小于1容量%的氛围中且超过450℃并在800℃以下的温度下进行加热的加热步骤,且形成抗蚀剂下层膜的组合物含有具有芳香环的化合物。[0004]现有技术文献[0005]专利文献[0006]专利文献1:日本专利特开2016-170338号公报[0007]专利文献2:日本专利特开2016-206676号公报[0008]专利文献3:国际公开第2005/043248号公报[0009]专利文献4:日本专利特开2007-256773号公报发明内容[0010]专利文献1中所记载的包含聚硅氧烷的形成下层膜的组合物由于在涂布后的加热处理下容易产生下层膜的破裂,故而难以使用。专利文献2中所