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抗蚀剂下层膜形成用组合物.pdf

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本发明提供表现出高耐蚀刻性、良好的干蚀刻速度比及光学常数,对所谓高低差基板被覆性也良好、埋入后的膜厚差小、可形成平坦膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物。另外还提供使用了该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂下层膜、以及半导体装置的制造方法。该抗蚀剂下层膜形成用组合物包含具有下述式(1)所示的部分结构的聚合物和溶剂。(式中,Ar表示可以被取代的碳原子数为6～20的芳香族基团)。