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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN103733136103733136A(43)申请公布日2014.04.16(21)申请号201280039344.2(72)发明人越后雅敏东原豪内山直哉(22)申请日2012.08.09(74)专利代理机构北京林达刘知识产权代理事(30)优先权数据务所(普通合伙)112772011-1769232011.08.12JP代理人刘新宇李茂家2011-2017572011.09.15JP(51)Int.Cl.2011-2184402011.09.30JPG03F7/11(2006.01)(85)PCT国际申请进入国家阶段日C07D311/96(2006.01)2014.02.11(86)PCT国际申请的申请数据PCT/JP2012/0703052012.08.09(87)PCT国际申请的公布数据WO2013/024779JA2013.02.21(71)申请人三菱瓦斯化学株式会社地址日本东京都权利要求书2页权利要求书2页说明书48页说明书48页(54)发明名称光刻用下层膜形成材料、光刻用下层膜及图案形成方法(57)摘要提供碳浓度高、氧浓度低、耐热性较高、溶剂溶解性也比较高、能够适用湿式工艺的新型光刻用下层膜形成材料等。本发明的光刻用下层膜形成材料的特征在于,其含有下述通式(1)所示的化合物。式(1)中,X各自独立地是氧原子或硫原子,R1各自独立地是单键或碳原子数为1~30的2n价的烃基,该烃基任选具有环式烃基、双键、杂原子或碳原子数为6~30的芳香族基团,R2各自独立地是碳原子数为1~10的直链状、支链状或环状的烷基、碳原子数为6~10的芳基、碳原子数为2~10的链烯基或羟基,其中,R2的至少一个是羟基,m各自独立地是1~6的整数,n是1~4的整数。CN103733136ACN10376ACN103733136A权利要求书1/2页1.一种光刻用下层膜形成材料,其特征在于,其含有下述通式(1)所示的化合物,式(1)中,X各自独立地是氧原子或硫原子,R1各自独立地是单键或碳原子数为1~30的2n价的烃基,该烃基任选具有环式烃基、双键、杂原子或碳原子数为6~30的芳香族基团,R2各自独立地是碳原子数为1~10的直链状、支链状或环状的烷基、碳原子数为6~10的芳基、碳原子数为2~10的链烯基或羟基,其中,R2的至少一个是羟基,m各自独立地是1~6的整数,n是1~4的整数。2.根据权利要求1所述的光刻用下层膜形成材料,其特征在于,所述通式(1)所示的化合物为下述通式(1a)所示的化合物,式(1a)中,X各自独立地是氧原子或硫原子,R1各自独立地是单键或碳原子数为1~30的2n价的烃基,该烃基任选具有环式烃基、双键、杂原子或碳原子数为6~30的芳香族基团,R4各自独立地是碳原子数为1~10的直链状、支链状或环状的烷基、碳原子数为6~10的芳基、碳原子数为2~10的链烯基或羟基,m4各自独立地是0~5的整数。3.一种光刻用下层膜形成材料,其特征在于,其含有具有下述通式(2)所示结构的树脂,2CN103733136A权利要求书2/2页式(2)中,X各自独立地是氧原子或硫原子,R1各自独立地是单键或碳原子数为1~30的2n价的烃基,该烃基任选具有环式烃基、双键、杂原子或碳原子数为6~30的芳香族基团,R2各自独立地是碳原子数为1~10的直链状、支链状或环状的烷基、碳原子数为6~10的芳基、碳原子数为2~10的链烯基或羟基,其中,R2的至少一个是羟基,R3各自独立地是单键或碳原子数为1~20的直链状或支链状的亚烷基,m2各自独立地是1~5的整数,n是1~4的整数。4.根据权利要求1~3中任一项所述的光刻用下层膜形成材料,其特征在于,其还含有有机溶剂。5.根据权利要求1~4中任一项所述的光刻用下层膜形成材料,其特征在于,其还含有产酸剂。6.根据权利要求1~5中任一项所述的光刻用下层膜形成材料,其特征在于,其还含有交联剂。7.一种光刻用下层膜,其特征在于,其是由权利要求1~6中任一项所述的光刻用下层膜形成材料形成的。8.一种图案形成方法,其特征在于,使用权利要求1~6中任一项所述的下层膜形成材料在基板上形成下层膜,在该下层膜上形成至少一层光致抗蚀剂层后,对该光致抗蚀剂层的所需区域照射辐射线,进行碱显影。9.一种图案形成方法,其特征在于,使用权利要求1~6中任一项所述的下层膜形成材料在基板上形成下层膜,使用含有硅原子的抗蚀剂中间层膜材料在该下层膜上形成中间层膜,在该中间层膜上形成至少一层光致抗蚀剂层后,对该光致抗蚀剂层的所需区域照射辐射线,进行碱显影,形成抗蚀剂图案,然后,以该抗蚀剂图案作为掩模,对所述中间层膜进行蚀刻,以所得到的中间层膜图案作为蚀刻掩模,对所