

光刻用下层膜形成材料、光刻用下层膜及图案形成方法.pdf
是丹****ni
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光刻用下层膜形成材料、光刻用下层膜及图案形成方法.pdf
提供碳浓度高、氧浓度低、耐热性较高、溶剂溶解性也比较高、能够适用湿式工艺的新型光刻用下层膜形成材料等。本发明的光刻用下层膜形成材料的特征在于,其含有下述通式(1)所示的化合物。式(1)中,X各自独立地是氧原子或硫原子,R1各自独立地是单键或碳原子数为1~30的2n价的烃基,该烃基任选具有环式烃基、双键、杂原子或碳原子数为6~30的芳香族基团,R2各自独立地是碳原子数为1~10的直链状、支链状或环状的烷基、碳原子数为6~10的芳基、碳原子数为2~10的链烯基或羟基,其中,R2的至少一个是羟基,m各自独立地是
形成下层膜的组合物、图案形成方法及形成图案的下层膜形成用共聚物.pdf
本发明提供一种形成下层膜的组合物,该形成下层膜的组合物的材料对有机溶剂的溶解度较高,可通过在大气下且相对低温的加热处理而形成难以破裂的下层膜,在形成有下层膜的情况下对于有机溶剂的涂布膜残留率较高。本发明是一种形成下层膜的组合物及图案形成方法,该形成下层膜的组合物包含共聚物及有机溶剂,共聚物具有聚合部a及聚合部b,聚合部a具有糖衍生物部,糖衍生物部为五碳糖衍生物部及六碳糖衍生物部中的至少一者,聚合部b不具有糖衍生物部,该形成下层膜的组合物为用于图案形成的下层膜形成用。
芳香族烃树脂和光刻用下层膜形成组合物.pdf
本发明提供可以作为半导体用的涂布剂或抗蚀剂用树脂使用的碳浓度高、氧浓度低的芳香族烃树脂;另外提供用于形成作为多层抗蚀剂工艺用下层膜的、耐蚀刻性优异的光刻用下层膜的组合物、以及由这些组合物形成的下层膜和使用了该下层膜的图案形成方法。使芳香族烃和芳香族醛在酸性催化剂的存在下反应,得到碳浓度高至90~99.9质量%且氧浓度低至0~5质量%的芳香族烃树脂。另外,本发明涉及包含该树脂和有机溶剂的光刻用下层膜形成组合物、由该组合物形成的下层膜和使用了该下层膜的图案形成方法。
抗蚀剂下层膜形成用组合物.pdf
提供用于形成不溶于抗蚀剂溶剂、光学常数良好、可以适当调整蚀刻速率的抗蚀剂下层膜,并且对高低差基板的埋入性和平坦化性优异的组合物。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物,其包含:(A)下述式(I)所示的交联性化合物;以及(D)溶剂。[式中,n为2~6的整数,n个Z各自独立地为包含单甲酰基芳基、二甲酰基芳基、三甲酰基芳基、四甲酰基芳基、五甲酰基芳基或六甲酰基芳基的1价有机基,n个A各自独立地表示?OCH<base:Sub>2</base:Sub>CH(OH)CH<base:Sub>2</base:Sub>O?、或(BB
抗蚀剂下层膜形成用组合物.pdf
本发明提供表现出高耐蚀刻性、良好的干蚀刻速度比及光学常数,对所谓高低差基板被覆性也良好、埋入后的膜厚差小、可形成平坦膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物。另外还提供使用了该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂下层膜、以及半导体装置的制造方法。该抗蚀剂下层膜形成用组合物包含具有下述式(1)所示的部分结构的聚合物和溶剂。<base:Imagehe=@430@wi=@615@file=@DDA0003586299600000011.JPG@imgContent=@drawing@imgFormat=@JPEG@orient