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含硅的抗蚀剂下层膜形成用组成物、图案形成方法及硅化合物.pdf
2023-05-09
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本发明涉及含硅的抗蚀剂下层膜形成用组成物、图案形成方法及硅化合物。本发明的课题是:提供可形成无论负显影、正显影,对于任何抗蚀剂图案均具良好的密接性,而且对于如EUV曝光的更微细的图案也具良好的密接性的抗蚀剂下层膜的含硅的抗蚀剂下层膜形成用组成物、图案形成方法及硅化合物。一种含硅的抗蚀剂下层膜形成用组成物,其特征为:含有1种以上的下列通式(1)表示的硅化合物(A?1)的水解物或水解缩合物中的任一者、或其两者。<base:Imagehe=@869@wi=@1000@file=@DDA0003425578090
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