用于生产薄晶片的方法.pdf
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相关资料
用于生产薄晶片的方法.pdf
用于生产薄晶片的方法包括:通过用光从晶片层合体的支持体侧照射晶片层合体而将支持体从晶片层合体分离,所述晶片层合体包括支持体、在支持体上形成的粘合剂层和以其表面层合的包括朝向粘合剂层的电路平面的晶片;和在分离之后通过剥离将晶片上残留的树脂层从晶片去除;其中粘合剂层从支持体侧依序仅包括具有遮光性的树脂层A和包括热固性有机硅树脂或非有机硅热塑性树脂的树脂层B。
用于薄晶片处理的改进的晶片边缘形状.pdf
本公开涉及用于薄晶片处理的改进的晶片边缘形状,提供了一种晶片,包括前表面、后表面以及位于前表面和后表面之间的边缘,该边缘具有位于前表面的边缘与晶片边缘的侧面之间的弯曲边缘轮廓。边缘轮廓包括接合前表面的边缘的第一凸曲线、接合侧面的第二凸曲线以及接合第一凸曲线和第二凸曲线的中间凹曲线。
晶片以及用于分析该晶片形状的方法.pdf
本发明提供一种分析晶片形状的方法,该方法包括:测量多个晶片的截面形状;获取由第一线和晶片的前表面形成的第一角度,上述第一线连接第一点和第二点,上述第二点在晶片的边缘区域中具有最大曲率;在每个晶片的表面上形成薄膜层;测量晶片的边缘区域的厚度轮廓,在上述晶片上形成有每个薄膜层;在多个晶片中确认具有薄膜层的最小最大厚度轮廓的晶片。
用于弄干晶片基板的方法和用于实施该方法的晶片保持器.pdf
一种用于弄干被浸入液体内的晶片基板的方法和用于实施该方法的晶片保持器。该方法包括将该基板保持在伸长的晶片保持器的楔形边缘上,该基板在该晶片保持器上直立;将该基板和该晶片保持器的楔形边缘从该液体转移到包含蒸气的气体空间,该蒸气不会凝结在该基板上并且该蒸气降低了液态残留物粘附至该基板的表面张力,其特征在于通过该晶片保持器的楔形边缘的中部的槽除去该晶片基板与该晶片保持器之间的液态残留物。
用于监视半导体晶片的薄化的原位测量晶片厚度的监视设备和方法、以及包括湿蚀刻设备和监视设备的薄化设备.pdf
根据本发明,发明了一种监视装置(12)来监视在湿蚀刻单元(5)中薄化至少一个半导体晶片(4),其中,监视装置(12)包括光源(14),光源(14)被设计为发射一定光波段的相干光,半导体晶片(4)对所述一定光波段的相干光是光学透明的。监视装置(12)还包括测量头(13),测量头(13)相对于将被蚀刻的半导体晶片(4)的表面被非接触式地布置,其中,测量头(13)被设计为以所述一定光波段的相干光照射半导体晶片(4),并被设计为接收被半导体晶片(4)反射的光束(16)。此外,监视装置(12)包括光谱仪(17)和分