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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110875235A(43)申请公布日2020.03.10(21)申请号201910826854.8(22)申请日2019.09.03(30)优先权数据2018-1643732018.09.03JP(71)申请人信越化学工业株式会社地址日本东京(72)发明人安田浩之菅生道博(74)专利代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038代理人杜丽利(51)Int.Cl.H01L21/683(2006.01)权利要求书2页说明书29页附图1页(54)发明名称用于生产薄晶片的方法(57)摘要用于生产薄晶片的方法包括:通过用光从晶片层合体的支持体侧照射晶片层合体而将支持体从晶片层合体分离,所述晶片层合体包括支持体、在支持体上形成的粘合剂层和以其表面层合的包括朝向粘合剂层的电路平面的晶片;和在分离之后通过剥离将晶片上残留的树脂层从晶片去除;其中粘合剂层从支持体侧依序仅包括具有遮光性的树脂层A和包括热固性有机硅树脂或非有机硅热塑性树脂的树脂层B。CN110875235ACN110875235A权利要求书1/2页1.用于生产薄晶片的方法,其包括:通过用光从晶片层合体的支持体侧照射晶片层合体而将支持体从晶片层合体分离;和在分离之后通过剥离将晶片上残留的树脂层从晶片去除;其中该晶片层合体包括支持体、在支持体上形成的粘合剂层和与其表面堆叠的包括朝向粘合剂层的电路平面的晶片;和该粘合剂层从支持体侧依序仅包括具有遮光性的树脂层A和包括热固性有机硅树脂或非有机硅热塑性树脂的树脂层B。2.根据权利要求1所述的用于生产薄晶片的方法,其中在通过剥离从晶片分离树脂层B时将该层合体暴露至30至60℃的温度。3.根据权利要求1所述的用于生产薄晶片的方法,其中具有遮光性的树脂层A具有在355nm的波长下的20%以下的透射率以及300至500nm的最大吸收波长。4.根据权利要求1所述的用于生产薄晶片的方法,其中树脂层A包括含有树脂A的树脂组合物A的固化物,所述树脂A包括由下式(1)表示的重复单元:其中R1至R3独立地表示氢原子、羟基或1至20个碳原子的一价有机基团,R1至R3的至少一个为羟基,和R4表示氢原子或可以具有取代基的1至30个碳原子的一价有机基团。5.根据权利要求4所述的用于生产薄晶片的方法,其中该树脂组合物A还包括交联剂。6.根据权利要求4所述的用于生产薄晶片的方法,其中该树脂组合物A还包括产酸剂。7.根据权利要求4所述的用于生产薄晶片的方法,其中该树脂组合物A还包括有机溶剂。8.根据权利要求1所述的用于生产薄晶片的方法,其中该树脂层A具有0.1至50μm的厚度。9.根据权利要求1所述的用于生产薄晶片的方法,其中该树脂层B包括包含硅氧烷骨架和环氧基的树脂,和所述包括硅氧烷骨架和环氧基的树脂包括由下式(2)表示的重复单元和任选的由下式(3)表示的重复单元:其中R31至R34独立地表示1至8个碳原子的一价烃基,m表示1至100的整数,A和B为满足0<A≤1、0≤B<1并且A+B=1的数,以及X1和X2各自表示由下式(4)表示的二价有机基团:2CN110875235A权利要求书2/2页其中,Y1表示单键、亚甲基、丙烷-2,2-二基、1,1,1,3,3,3-六氟丙烷-2,2-二基或芴-9,9-二基,R41和R42独立地表示1至4个碳原子的烷氧基或烷基,以及p和q独立地表示0、1或2。10.根据权利要求1所述的用于生产薄晶片的方法,其中该树脂层B包括非有机硅热塑性树脂,和非有机硅热塑性树脂为选自以下的至少一种:聚烯烃系热塑性弹性体、聚丁二烯系热塑性弹性体、聚苯乙烯系热塑性弹性体、聚苯乙烯-丁二烯系热塑性弹性体、聚苯乙烯-烯烃系热塑性弹性体和已氢化的这些弹性体。3CN110875235A说明书1/29页用于生产薄晶片的方法[0001]相关申请的交叉引用[0002]本非临时申请根据美国法典第35卷第119节(a)款要求2018年9月3日于日本提交的第2018-164373号专利申请的优先权,所述专利申请的全部内容通过引用并入本文。技术领域[0003]本发明涉及用于生产薄晶片的方法。背景技术[0004]三维半导体封装在实现更高的密度和更高的容量中已变得必要。三维封装技术是其中将每个减薄的半导体芯片通过硅穿透电极(硅通孔,TSV)连接并且彼此层叠的半导体制造技术。该技术需要通过研磨非形成电路的表面(也称为“背面”)来减薄包括半导体电路的衬底以及在背面上形成包括TSV的电极的步骤。常规地,在硅衬底的背面研磨步骤中,与待研磨表面相对的表面设有背面保护胶带,使晶片在研磨期间不受损。然而,该胶带包括在柔性上有利、但在不足的强度和耐热性上不利的有机树脂膜作为支持基础材料。因此,该胶带不适合用于TSV形成