晶片以及用于分析该晶片形状的方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN109755145A(43)申请公布日2019.05.14(21)申请号201811294557.5(22)申请日2018.11.01(30)优先权数据10-2017-01449522017.11.01KR(71)申请人爱思开矽得荣株式会社地址韩国庆尚北道(72)发明人李愚星李應周(74)专利代理机构上海专利商标事务所有限公司31100代理人马淑香(51)Int.Cl.H01L21/66(2006.01)权利要求书1页说明书6页附图5页(54)发明名称晶片以及用于分析该晶片形状的方法(57)摘要本发明提供一种分析晶片形状的方法，该方法包括：测量多个晶片的截面形状；获取由第一线和晶片的前表面形成的第一角度，上述第一线连接第一点和第二点，上述第二点在晶片的边缘区域中具有最大曲率；在每个晶片的表面上形成薄膜层；测量晶片的边缘区域的厚度轮廓，在上述晶片上形成有每个薄膜层；在多个晶片中确认具有薄膜层的最小最大厚度轮廓的晶片。CN109755145ACN109755145A权利要求书1/1页1.一种用于分析晶片形状的方法，所述方法包括：测量多个所述晶片的截面形状；获取由第一线和所述晶片的前表面形成的第一角度，所述第一线连接第一点和第二点，所述第一点在所述晶片的边缘区域中具有最大曲率；在每个所述晶片的表面上形成薄膜层；测量所述晶片的边缘区域的厚度轮廓，在所述晶片上形成有每个薄膜层；以及在多个所述晶片中确认具有所述薄膜层的最小最大厚度轮廓的晶片。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，当所述晶片的所述边缘区域中的倾斜部的高度为B1时，所述第二点与所述晶片的所述前表面具有10％以内的高度差。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二点定位成在水平方向上与所述晶片的所述边缘区域的倾斜部的起点相距50微米至90微米。4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，当所述晶片的所述边缘区域中的倾斜部的高度为B1时，所述第一点与所述晶片的所述前表面具有2.0％以内的高度差。5.一种晶片，包括：块状区域；所述块状区域的前表面和后表面，所述前表面和所述后表面彼此相对且彼此平行；以及边缘区域，所述边缘区域配置在所述块状区域的边缘，其中，所述边缘区域包括倾斜部以及所述倾斜部的边缘的顶端，其中，所述倾斜部包括第一点和第二点，所述第一点具有最大曲率，所述第二点在所述顶端的方向上与所述第一点间隔开，所述第一点和所述第二点从所述前表面向所述顶端依次配置，并且其中，由连接所述第一点和所述第二点的第一线与所述晶片的前表面形成的第一角度为22°或更小。6.如权利要求5所述的晶片，其特征在于，由连接所述第一点和所述第二点的所述第一线与所述晶片的所述前表面形成的所述第一角度为18°或更大。7.如权利要求5所述的晶片，其特征在于，当所述晶片的所述边缘区域中的倾斜部的高度为B1时，所述第二点与所述晶片的所述前表面具有10％以内的高度差。8.如权利要求5所述的晶片，其特征在于，所述第二点定位成在水平方向上与所述晶片的所述边缘区域的所述倾斜部的起点相距50微米至90微米。9.如权利要求5所述的晶片，其特征在于，当所述晶片的所述边缘区域中的所述倾斜部的高度为B1时，所述第一点与所述晶片的所述前表面具有2.0％以内的高度差。2CN109755145A说明书1/6页晶片以及用于分析该晶片形状的方法[0001]相关申请的交叉引用[0002]本申请要求2017年11月01日提交的韩国专利申请第10-2017-0144952号的优先权，其以参见的方式纳入本文。技术领域[0003]本发明涉及一种晶片以及分析该晶片形状的方法，更详细而言，涉及一种检查晶片形状的方法，其中，在晶片的制造过程中，在该晶片上适当地形成有光致抗蚀剂等。背景技术[0004]半导体设备形成在晶片上。在上述情况下，为了半导体设备的高集成度和高产量，要求晶片的边缘具有较高的纯度且具有适用于半导体设备的制造工序的合适形状。为此，要求一种分析晶片的边缘形状的实用且简单的方法。例如，晶片的边缘形状的最重要的数学参数之一是曲率，并且由晶片的边缘和晶片的前表面形成的整体曲率应当尽可能的小。这是因为，当曲率较小时，晶片的前表面和晶片的边缘平滑地形成且彼此没有边界。[0005]但是，当由晶片的边缘和前表面形成的曲率不小时，在晶片上制造半导体设备的过程中，可能发生晶片未均匀地涂敷有光致抗蚀剂(PR)等这一严重的问题。[0006]在一种分析晶片的边缘形状的常规方法中，通过诸如激光散射之类的光学原理分析晶片的表面粗糙度。但是，在上述常规方法中，为了进行与边缘曲率的计算相对应的极其精确的分析，存在需要较小尺寸的激光光斑的技术负担，并且需要精心对准的昂贵设备。发明内容[0007]本发