用于薄晶片处理的改进的晶片边缘形状.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN106711093A(43)申请公布日2017.05.24(21)申请号201611027771.5(22)申请日2016.11.17(30)优先权数据14/945,1152015.11.18US(71)申请人英飞凌科技股份有限公司地址德国诺伊比贝尔格(72)发明人H·奥弗纳H-J·舒尔策(74)专利代理机构北京市金杜律师事务所11256代理人郑立柱张昊(51)Int.Cl.H01L23/00(2006.01)H01L21/304(2006.01)权利要求书2页说明书7页附图5页(54)发明名称用于薄晶片处理的改进的晶片边缘形状(57)摘要本公开涉及用于薄晶片处理的改进的晶片边缘形状，提供了一种晶片，包括前表面、后表面以及位于前表面和后表面之间的边缘，该边缘具有位于前表面的边缘与晶片边缘的侧面之间的弯曲边缘轮廓。边缘轮廓包括接合前表面的边缘的第一凸曲线、接合侧面的第二凸曲线以及接合第一凸曲线和第二凸曲线的中间凹曲线。CN106711093ACN106711093A权利要求书1/2页1.一种晶片，包括：前表面；后表面；以及边缘，位于所述前表面与所述后表面之间，所述边缘具有位于所述前表面的边缘与所述晶片的边缘的侧面之间的弯曲边缘轮廓，其中所述弯曲边缘轮廓包括：第一凸曲线，接合所述前表面的边缘，第二凸曲线，接合所述侧面，和中间凹曲线，接合所述第一凸曲线和所述第二凸曲线，其中所述第二凸曲线包括距所述前表面第一距离的第一拐点，其中所述中间凹曲线包括距所述前表面第二距离的第二拐点，其中所述第二距离大于所述第一距离。2.根据权利要求1所述的晶片，其中所述第一凸曲线的最小曲率半径小于所述第二凸曲线的最小曲率半径。3.根据权利要求1所述的晶片，其中所述中间凹曲线的至少一部分和所述第一凸曲线具有正梯度。4.根据权利要求1所述的晶片，其中所述中间凹曲线在所述前表面的水平下方的第一深度处接合所述第一凸曲线。5.根据权利要求4所述的晶片，其中所述第一凸曲线的最小曲率半径等于或小于所述第一深度。6.根据权利要求4所述的晶片，其中所述第二凸曲线在所述前表面的水平下方的第二深度处接合所述侧面，并且其中所述第二深度大于所述第一深度。7.根据权利要求6所述的晶片，其中所述中间凹曲线在所述前表面的水平下方的中间深度处接合所述第二凸曲线，并且其中所述中间深度大于所述第一深度且小于所述第二深度。8.根据权利要求4所述的晶片，其中所述第一深度等于或小于150微米。9.一种晶片，包括：前表面；后表面；圆周边缘，位于所述前表面与所述后表面之间，所述圆周边缘具有位于所述前表面的边缘与所述晶片的所述圆周边缘的侧面之间的弯曲边缘轮廓，其中所述弯曲边缘轮廓包括：第一凸曲线，与距所述侧面第一径向距离的所述前表面的边缘接合，第二凸曲线，与所述侧面接合，和中间凹曲线，位于所述第一凸曲线与所述第二凸曲线之间，其中所述中间凹曲线与距所述侧面第二径向距离的所述第一凸曲线接合且与距所述侧面第三径向距离的所述第二凸曲线接合，并且其中所述第一径向距离大于所述第二径向距离，并且所述第二径向距离大于所述第三径向距离，其中所述第二凸曲线包括距所述前表面第一距离的最大值，其中所述中间凹曲线包括距所述前表面第二距离的最小值，其中所述第二距离大于所述第一距离。10.根据权利要求9所述的晶片，其中所述第一凸曲线的最小曲率半径小于所述第二凸2CN106711093A权利要求书2/2页曲线的最小曲率半径。11.根据权利要求9所述的晶片，其中所述中间凹曲线的至少一部分和所述第一凸曲线具有正梯度。12.根据权利要求9所述的晶片，其中所述中间凹曲线在所述前表面的水平下方的第一深度处接合所述第一凸曲线。13.根据权利要求12所述的晶片，其中所述第一凸曲线的最小曲率半径等于或小于所述第一深度。14.根据权利要求12所述的晶片，其中所述第二凸曲线在所述前表面的水平下方的第二深度处接合所述侧面，并且其中所述第二深度大于所述第一深度。15.根据权利要求14所述的晶片，其中所述中间凹曲线在所述前表面的水平下方的中间深度处接合所述第二凸曲线，并且其中所述中间深度大于所述第一深度且小于所述第二深度。16.一种形成晶片的方法，包括：提供晶片，所述晶片包括前表面、后表面以及位于所述前表面与所述后表面之间的边缘；以及在所述前表面的边缘与所述晶片的边缘的侧面之间形成弯曲边缘轮廓，所述弯曲边缘轮廓包括接合所述前表面的边缘的第一凸曲线、接合所述侧面的第二凸曲线以及接合所述第一凸曲线和所述第二凸曲线的中间凹曲线，其中所述第二凸曲线包括距所述前表面第一距离的第一拐点，其中所述中间凹曲线包括距所述前表面第二距离的第二拐点，其中所述第二距离大于所述第一距离。17.根据权利要求16所