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(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115896904A(43)申请公布日2023.04.04(21)申请号202310221146.8(22)申请日2023.03.09(71)申请人苏州智程半导体科技股份有限公司地址215000江苏省苏州市昆山市玉山镇玉杨路299号3号房(72)发明人刘瑞杨仕品李威(74)专利代理机构苏州友佳知识产权代理事务所(普通合伙)32351专利代理师储振(51)Int.Cl.C25D17/02(2006.01)C25D21/14(2006.01)C25D7/12(2006.01)权利要求书2页说明书8页附图11页(54)发明名称一种晶圆电镀腔室结构(57)摘要本发明提供了一种晶圆电镀腔室结构,包括腔室主体,腔室主体居中开设阳极液池,阳极液池内安装阳极板,腔室主体侧壁连接阳极液入口,腔室主体内形成与阳极液入口连通的阳极液路;腔室主体位于阳极液池上方安装第二腔室,第二腔室包括连接座和支撑板,连接座的底面固定于腔室主体顶端,连接座的顶面开设阴极液腔体,阴极液腔体底壁居中开设离子交换口,支撑板设置于离子交换口处并伸入阳极液池内,支撑板覆有供阳极电解液中金属离子通过的离子膜;腔室主体侧壁连接阴极液入口,腔室主体内形成阴极液路。本发明用以解决化学镀工艺方法难以满足晶圆生产的电镀效率要求的问题,同时具有有效提高晶圆电镀的镀膜均匀性,进而保证晶圆质量的效果。CN115896904ACN115896904A权利要求书1/2页1.一种晶圆电镀腔室结构,其特征在于,包括:腔室主体,所述腔室主体居中开设阳极液池,所述阳极液池内安装阳极板,所述腔室主体侧壁连接阳极液入口,所述腔室主体内形成与阳极液入口连通的阳极液路,阳极电解液依次经过所述阳极液入口、阳极液路以及阳极板后进入所述阳极液池内;所述腔室主体位于所述阳极液池上方安装第二腔室,所述第二腔室包括连接座和支撑板,所述连接座的底面固定于所述腔室主体顶端,所述连接座的顶面开设阴极液腔体,所述阴极液腔体底壁居中开设离子交换口,所述支撑板设置于所述离子交换口处并伸入所述阳极液池内,所述支撑板覆有供阳极电解液中金属离子通过的离子膜;所述腔室主体侧壁连接阴极液入口,所述腔室主体内形成阴极液路,阴极电解液经过所述阴极液入口和阴极液路通过分布于所述离子交换口侧壁的若干个第一通孔进入所述离子交换口后进入所述阴极液腔体。2.根据权利要求1所述的晶圆电镀腔室结构,其特征在于,所述阳极液路包括第一液路槽以及若干与所述第一液路槽连通的第一进液通道,所述第一液路槽环形分布于所述腔室主体的底壁内并与所述阳极液入口连通,所述第一进液通道的底端与所述第一液路槽连通;所述阳极液池的底壁开设数量与第一进液通道相等的第二通孔,所述第一进液通道的顶端与第二通孔连通,所述阳极板安装于所述第二通孔远离第一进液通道一侧,阳极电解液依次流经所述第一液路槽、第一进液通道以及阳极板后与所述离子膜接触。3.根据权利要求2所述的晶圆电镀腔室结构,其特征在于,所述阳极板与阳极液池的底壁之间形成进液空间,所述阳极液池的底壁居中穿设支撑件,所述支撑件的顶面与阳极板的底面贴合,所述第一液路槽围绕所述支撑件环形分布。4.根据权利要求3所述的晶圆电镀腔室结构,其特征在于,所述阴极液路包括环形分布于所述腔室主体的底壁内的第二液路槽以及若干与所述第二液路槽连通的第二进液通道,所述第二进液通道包括第一通道和第二通道,所述第一通道的底端与第二液路槽连通,所述第一通道的顶端穿过所述腔室主体顶面后延伸至所述连接座内,所述第二通道一端与第一通孔连通,另一端与所述第一通道的顶端相连;所述第二液路槽与所述阴极液入口连通,所述第二液路槽与所述第一液路槽同心分布,所述第二液路槽与支撑件之间的距离大于所述第一液路槽与支撑件之间的距离。5.根据权利要求1所述的晶圆电镀腔室结构,其特征在于,所述支撑板的顶面和底面设置为两个相互平行的锥形面,所述支撑板的中心处为所述支撑板的最低点并伸入所述阳极液池内,所述支撑板均布若干蜂窝孔。6.根据权利要求1所述的晶圆电镀腔室结构,其特征在于,所述腔室主体远离阳极液池一侧开设供阴极电解液排出的排液槽,所述排液槽的槽底穿设排液管,所述排液槽远离阴极液腔体一侧固定连接环形挡板;所述环形挡板顶端扣合挡水构件,晶圆居中穿过所述挡水构件后伸入所述阴极液腔体内。7.根据权利要求6所述的晶圆电镀腔室结构,其特征在于,所述挡水构件包括由上至下依次设置的防溅罩、上集液罩以及下集液罩,所述上集液罩与防溅罩连接处均匀开设若干第一过水口,所述上集液罩靠近下集液罩处开设第二过水口;2CN115896904A权利要求书2/2页所述环形挡板远离排液槽一侧连接收集盒,晶圆旋转甩出的清洗液经过所述第一过水口和第二过水口后进入所述收集盒内。8